【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】201480063404
【技术保护点】
一种用于处理面板的表面以便降低其导电性的方法,所述表面位于被称为冷区域的区域中,所述区域位于其中电弧可能会发生在电保护设备中的区域附近,所述冷区域形成切换残留物的再冷凝的区域,其特征在于,其包括在该表面(18)上形成微纹理,以便促进切换残留物的再冷凝的不均匀性,由于这些残留物的沉积物在表面上生长,从而创建残留物的岛部(19),因此限制所产生的沉积物的导电性。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.11.19 FR 13613521.一种用于处理面板的表面以便降低其导电性的方法,所述表面位于被称为冷区域的区域中,所述区域位于其中电弧可能会发生在电保护设备中的区域附近,所述冷区域形成切换残留物的再冷凝的区域,其特征在于,其包括在该表面(18)上形成微纹理,以便促进切换残留物的再冷凝的不均匀性,由于这些残留物的沉积物在表面上生长,从而创建残留物的岛部(19),因此限制所产生的沉积物的导电性。2.如权利要求1所述的处理方法,其特征在于,这些残留物的沉积物在基本上垂直于所述表面的平面的方向上生长于表面上。3.如权利要求1或2所述的处理方法,其特征在于,超疏水性表面由微纹理化的该方法制作,所述方法被优化,以便极大地降低表面上的表面张力,从而减少成核位点的数量并且促进沉积物沿着垂直轴线生长。4.如权利要求1至3中任一项所述的处理方法,其特征在于,该方法是通过使用激光器(22)的微纹理化方法。5.如权利要求4所述的方法,其特征在于,...
【专利技术属性】
技术研发人员:M拉皮奥克斯,M里瓦尔,S法伊克,
申请(专利权)人:施耐德电器工业公司,
类型:发明
国别省市:法国;FR
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