本发明专利技术公开了一种PCT(pressure cooker test)耐性优良的液态封装材料以及用液态封装材料对封装部位进行封装而成的电子部件。本发明专利技术的液态封装材料，特征在于：含有(A)液态环氧树脂、(B)固化剂、(C)二氧化硅填料、及(D)耦合剂，上述(C)二氧化硅填料的硼含量的平均值为1～50ppm。
【技术实现步骤摘要】
本申请是国家知识产权局专利局给出的国家申请号为201380038493.1，国际申请号为PCT/JP2013/063532，国际申请日为2013年5月15日，专利技术名称为“液态封装材料、使用该材料的电子部件”的专利申请的分案申请。
本专利技术涉及用作底层填料的液态封装材料。而且本专利技术涉及用该液态封装材料对封装部位进行封装而成的电子部件。
技术介绍
随着电子器件的小型化、轻便化、高性能化，半导体的实装形态从引线键合型向倒装片型转变。倒装片型的半导体装置具有经凸点电极连接基板上的电极部分和半导体元件的构造。这种构造的半导体装置在施以温度循环等热附加的情况下，因环氧树脂等有机材料制造的基板和半导体元件的热膨胀系数的差，使凸点电极受到应力而导致凸点电极断裂等成了问题。为了防止发生这种不良现象，广泛采取的手段是采用被称为底层填料的封装剂，封闭半导体元件和基板之间的缝隙，通过将两者互相固定使耐热循环性能提高。用作底层填充料的液态封装剂要求注入性、粘合性、固化性、储存稳定性等优异，而且不产生空隙。另外，还要求由液态封装材料封装的部位在耐湿性、耐热循环性、耐逆流、耐断裂性、耐弯曲等方面优异。为了满足上述要求，用作底层填料的液态封装材料，广泛采用以环氧树脂为主剂的材料。已知，为了提高用液态封装材料封装的部位的耐湿性及耐热循环性，特别是耐热循环性，通过在液态封装材料中添加像二氧化硅填料那样的无机物质构成的填充材料(以下称为“填料”)，来控制环氧树脂等有机材料制造的基板和半导体元件的热膨胀系数的差，以及加固凸点电极是有效的(参照专利文献1)。但随着近年来的窄间隙化(25～50μm)、窄间距化(150μm以下)，要求进一步提高耐热循环性，而且，用作底层填料的液态封装材料也要求耐湿性，所以也要求PCT(pressure cookertest)耐性好。专利文献专利文献1：特开平10-173103号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题本专利技术的目的是提供一种PCT(pressure cooker test)耐性良好的液态封装材料以及使用液态封装材料对封装部位进行而成的电子部件。用于解决问题的手段为实现上述目的，本专利技术提供一种液态封装材料(1)，其特征是含有(A)液态环氧树脂、(B)固化剂、(C)二氧化硅填料、及(D)耦合剂，上述(C)二氧化硅填料的硼含量的平均值为1～50ppm。在本专利技术的液态封装材料(1)中，上述(D)耦合剂的含量以相对于上述(A)液态环氧树脂和上述(B)固化剂的合计质量的质量百分比计优选为0.1～5.0质量％。在本专利技术的液态封装材料(1)中，上述(C)二氧化硅填料也可以用耦合剂预先进行表面处理。当对上述(C)二氧化硅填料用耦合剂进行表面预先处理时，上述(C)二氧化硅填料进行表面处理所使用的耦合剂和上述(D)耦合剂的合计含量，以相对于上述(A)液态环氧树脂及上述(B)固化剂的合计质量的质量百分比计优选为0.1～5.0质量％。另外，本专利技术还提供一种液态封装材料(2)，其特征是含有(A)液态环氧树脂、(B)固化剂、(C)二氧化硅填料，上述(C)二氧化硅填料的硼含量的平均值为1～50ppm，上述(C)二氧化硅填料是用耦合剂预先进行过表面处理的。在本专利技术的液态封装材料(2)中，上述(C)二氧化硅填料的表面处理所用的耦合剂的量，以相对于上述(A)液态环氧树脂和上述(B)固化剂的合计质量的质量百分比计优选为0.1～5.0质量％。在本专利技术的液态封装材料(1)、(2)中，上述(C)二氧化硅填料的含量优选为40～90质量％。在本专利技术的液态封装材料(1)、(2)中，上述(C)二氧化硅填料的平均粒径优选为0.05～80μm。在此，优选上述平均粒径±0.2μm的粒度分布占全体的90％以上。在本专利技术的液态封装材料(1)、(2)中，上述(B)固化剂优选胺类固化剂。优选地，本专利技术的液态封装材料(1)、(2)还含有(E)固化促进剂。优选地，本专利技术的液态封装材料(1)、(2)还含有(F)弹性体。优选地，本专利技术的液态封装材料(1)、(2)如下式所表示的PCT(pressure cooker test)前后的剪切强度的降低率为25％以下。PCT前后的剪切强度的降低率(％)＝(PCT前的剪切强度-PCT后的剪切强度)/(PCT前的剪切强度)×100本专利技术的液态封装材料(1)、(2)PCT后的剪切强度优选为50～350N。另外，本专利技术提供一种半导体装置，该半导体装置具有用本专利技术的液态封装材料(1)、(2)封装的倒装片半导体元件。专利技术的效果本专利技术的液态封装材料(1)、(2)PCT耐性良好，适合作为半导体装置的底层填料。具体实施方式下面，就本专利技术进行详细说明。本专利技术的液态封装材料(1)、(2)含有如下所示的(A)～(C)成分作为必要成分。(A)液态环氧树脂(A)成分的液态环氧树脂是构成本专利技术的液态封装材料(1)、(2)的主剂的成分。在本专利技术中，液态环氧树脂是指常温下液态的环氧树脂。作为本专利技术的液态环氧树脂，可以举出，如双酚A型环氧树脂的平均分子量约为400以下的；p-缩水甘油基苯基二甲基三羟甲基氨基甲烷双酚A二缩水甘油醚那样的分枝状多官能团双酚A型环氧树脂；双酚F型环氧树脂；酚醛清漆型环氧树脂的平均分子量约为570以下的；乙烯基(3，4-环己烯)二氧化物、3，4-环氧基环己基羧酸(3，4-环氧基环己基)甲基、己二酸双(3，4-环氧基-6-甲基环己基甲基)、2-(3，4-环氧基环己基)5，1-螺(3，4-环氧基环己基)-m-二噁烷那样的脂环式环氧树脂；3，3’，5，5’-四甲基-4，4’-二缩水甘油基羟基联苯那样的联苯型环氧树脂；六氢化邻苯二甲酸二缩水甘油基、3-甲基六氢化邻苯二甲酸二缩水甘油基、六氢化邻苯二甲酸二缩水甘油基那样的缩水甘油酸酯型环氧树脂；二缩水甘油基苯胺、二缩水甘油基甲苯胺、三缩水甘油基-p-羟基苯胺、四缩水甘油基-m-苯二甲基二胺、四缩水甘油基双(氨基甲基)环己烷那样的缩水甘油基胺型环氧树脂；以及1，3-二缩水甘油基-5-甲基-5-乙基海因那样的海因型环氧树脂；含有萘环的环氧树脂。另外，也可以使用1，3-双(3-环氧丙氧基丙基)-1，1，3，3-四甲基二硅氧烷那样的具有硅骨架的环氧树脂。进而，还可举出，如(聚)乙二醇二缩水甘油醚、(聚)丙二醇二缩水甘油醚、丁二醇二缩水甘油醚、新戊二醇二缩水甘油醚、环己烷二甲醇二缩水甘油醚那样的二环氧化合物；三甲醇丙烷三缩水甘油醚、甘油三缩水甘油醚那样的三环氧化合物等。其中优选的是液态双酚型环氧树脂、液态氨酚型环氧树脂、硅改性树脂、萘型环氧树脂。更优选的是液态双酚A型环氧树脂、液态双酚F型环氧树脂、p-氨酚型液态环氧树脂、1，3-双(3-环氧丙氧基丙基)四甲基二硅氧烷。作为(A)成分的液态环氧树脂，单独使用，两种以上并用都可以。而且，即使常温下为固体的环氧树脂，与液态环氧树脂并用形成的混合物呈现液态时也可以使用。(B)固化剂(B)成分的固化剂，只要是环氧树脂的固化剂，则没有特别限制，可使用公知的物质，可使用酸酐类固化剂、胺类固化剂以及酚类固化剂中的任意一种。酸酐类固化剂的具体例子，可以举出，如甲基四氢化邻苯二甲酸酐、甲基六氢化邻苯二甲酸酐、甲基四氢化邻苯二甲酸酐等烷基化四氢化邻苯二甲酸酐、六氢化邻苯二甲本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种液态封装材料，其特征在于：含有(A)液态双酚A型环氧树脂、(B)固化剂、(C)二氧化硅填料、及(D)耦合剂，上述(C)二氧化硅填料的硼含量的平均值为1～50ppm。
【技术特征摘要】
2012.07.20 JP 2012-1615961.一种液态封装材料，其特征在于：含有(A)液态双酚A型环氧树脂、(B)固化剂、(C)二氧化硅填料、及(D)耦合剂，上述(C)二氧化硅填料的硼含量的平均值为1～50ppm。2.根据权利要求1所述的液态封装材料，其特征在于：所述(D)耦合剂的含量以相对于上述(A)液态双酚A型环氧树脂和上述(B)固化剂的合计质量的质量百分比计为0.1～5.0质量％。3.根据权利要求1所述的液态封装材料，其特征在于：所述(C)二氧化硅填料预先用耦合剂进行表面处理。4.根据权利要求1所述的液态封装材料，其特征在于：用于上述(C)二氧化硅填料的表面处理的耦合剂和上述(D)耦合剂的合计含量以相对于上述(A)液态双酚A型环氧树脂和上述(B)固化剂的合计质量的质量百分比计为0.1～5.0质量％。5.一种液态封装材料，其特征在于：含有(A)液态双酚A型环氧树脂、(B)固化剂和(C)二氧化硅填料；上述(C)二氧化硅填料的硼含量的平均值为1～50ppm，上述(C)二氧化硅填料用耦合剂预先进行表面处理。6.根据权利要求5所述的液态封装材料，其特征在于：用于上述(C)二氧化硅填料的表面处理的耦合剂的量以相对于上述(A)液态双酚A型环氧树脂和上述(B)固化剂的合计质量的质量百分比计为0.1～5.0质量％。7.根据权利要求1所述的液态封装材料，其特征在于：上述(C)二氧化硅填料的含量为40～90质量％。8.根据权利要求5所述的液态封装材料，其特征在于：上述(C)二氧化硅填料的含量为40～90质量％。9.根据权利要求1所述的液态封装材料，其特征在于：上述(C)二氧化硅填料的平均粒径为0.05～80μm。10.根据权利要求5所述的液态封装材料，其特征在于：上述(C)二氧化硅填料的平均粒径为0.05～80μm。11.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：石川诚一，吉井东之，小原和之，
申请(专利权)人：纳美仕有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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