负离子发生电路及负离子发生器制造技术

本发明专利技术公开了负离子发生电路及负离子发生器。该负离子发生电路，包括：高压产生电路，所述高压产生电路包括：整流二极管D1、D2，阻R1、R2、R3、R4、R5，电容C1、C2，电源VCC，三极管Q1、Q2，电感L1，保护二极管D3，片式压电陶瓷变压器T1，硅堆D4、D5。本发明专利技术提供的负离子发生电路结构简单，实现简单，成本低减少了电路的故障率，输出电压稳定，不易受外接电压的干扰，使负离子按一定的量稳定输出。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电晕放电
，尤其涉及负离子发生电路及负离子发生器。
技术介绍
负离子发生器是一种生成空气负离子的装置，该装置将输入的直流或交流电通过过压限流、高低压隔离等线路升为高压，然后通过特殊等级电子材料整流滤波后得到纯净的直流副高压连接到金属或碳元素制作的释放尖端，利用尖端直流高压产生高电晕，高速地放出大量的电子，而电子无法长久存在于空气中，立刻会被空气中的氧分子捕捉，从而生成空气负离子。现有负离子发生器结构较复杂，输出电压的稳定性有待提高。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供负离子发生电路及负离子发生器，负离子发生电路结构简单，实现简单，成本低减少了电路的故障率，输出电压稳定，不易受外接电压的干扰，使负离子按一定的量稳定输出。为达此目的，本专利技术采用以下技术方案：一方面提供了一种负离子发生电路，该负离子发生电路，包括：高压产生电路，所述高压产生电路包括：整流二极管D1、D2，电阻R1、R2、R3、R4、R5，电容C1、C2，电源VCC，三极管Q1、Q2，电感L1，保护二极管D3，片式压电陶瓷变压器T1，硅堆D4、D5；所述整流二极管D1的正极连接市电火线L和电阻R2的一端，整流二极管D1的负极连接电阻R1的一端，电阻R2的另一端连接整流二极管D2的负极，整流二极管D2的正极连接电阻R1的另一端、电容C1的一端、电阻R3的一端和电阻R5的一端，所述电容C1的另一端连接市电零线N，所述电阻R3的另一端连接电阻R4的一端、电源VCC和三极管Q1的基极，电阻R4的另一端连接市电零线N，三极管Q1的发射极连接三极管Q2的基极，三极管Q1的集电极连接电感L1的一端、三极管Q2的集电极、保护二极管D3的负极和片式压电陶瓷变压器T1的管脚2，三极管Q2的发射极连接市电零线N，电感L1的另一端连接电阻R5另一端，电阻R5的一端连接片式压电陶瓷变压器T1的管脚1，保护二极管D3的正极连接市电零线N，片式压电陶瓷变压器T1的管脚3连接硅堆D4的负极和电容C2的一端，硅堆D4的正极连接市电零线N，电容C2的另一端连接硅堆的D5的正极和高压产生电路的输出端，硅堆D5的负极连接市电零线N。优选地，还包括高压放电电路，所述高压放电电路包括：开关K1、电阻R6，所述开关K1的一端连接所述高压产生电路的输出端，开关K1的另一端连接电阻R6的一端，电阻R6的另一端连接放电端out1。优选地，所述高压放电电路还包括：开关K2、电阻R7，所述开关K2的一端连接所述高压产生电路的输出端，开关K2的另一端连接电阻R7的一端，电阻R7的另一端连接放电端out2。优选地，所述高压放电电路还包括：开关K3、电阻R8，所述开关K3的一端连接所述高压产生电路的输出端，开关K3的另一端连接电阻R8的一端，电阻R8的另一端连接放电端out3。优选地，所述放电端out1、out2、out3均为悬浮式放电针或放电刷。优选地，所述电阻R6通过35KV高压线与放电端out1相连；所述电阻R7通过35KV高压线与放电端out2相连；所述电阻R8通过35KV高压线与放电端out3相连。另一方面，还提供了一种负离子发生器，该负离子发生器包括前述的一种负离子发生电路。本专利技术的有益效果为：一种负离子发生电路，包括：高压产生电路，所述高压产生电路包括：整流二极管D1、D2，电阻R1、R2、R3、R4、R5，电容C1、C2，电源VCC，三极管Q1、Q2，电感L1，保护二极管D3，片式压电陶瓷变压器T1，硅堆D4、D5；所述整流二极管D1的正极连接市电火线L和电阻R2的一端，整流二极管D1的负极连接电阻R1的一端，电阻R2的另一端连接整流二极管D2的负极，整流二极管D2的正极连接电阻R1的另一端、电容C1的一端、电阻R3的一端和电阻R5的一端，所述电容C1的另一端连接市电零线N，所述电阻R3的另一端连接电阻R4的一端、电源VCC和三极管Q1的基极，电阻R4的另一端连接市电零线N，三极管Q1的发射极连接三极管Q2的基极，三极管Q1的集电极连接电感L1的一端、三极管Q2的集电极、保护二极管D3的负极和片式压电陶瓷变压器T1的管脚2，三极管Q2的发射极连接市电零线N，电感L1的另一端连接电阻R5另一端，电阻R5的一端连接片式压电陶瓷变压器T1的管脚1，保护二极管D3的正极连接市电零线N，片式压电陶瓷变压器T1的管脚3连接硅堆D4的负极和电容C2的一端，硅堆D4的正极连接市电零线N，电容C2的另一端连接硅堆的D5的正极和高压产生电路的输出端，硅堆D5的负极连接市电零线N。本专利技术提供的负离子发生电路结构简单，实现简单，成本低减少了电路的故障率，输出电压稳定，不易受外接电压的干扰，使负离子按一定的量稳定输出。附图说明图1是本专利技术具体实施例提供的一种负离子发生电路的电路图。具体实施方式为使本专利技术解决的技术问题、采用的技术方案和达到的技术效果更加清楚，下面将结合附图对本专利技术实施例的技术方案作进一步的详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。请参考图1，一种负离子发生电路，包括：高压产生电路，所述高压产生电路包括：整流二极管D1、D2，电阻R1、R2、R3、R4、R5，电容C1、C2，电源VCC，三极管Q1、Q2，电感L1，保护二极管D3，片式压电陶瓷变压器T1，硅堆D4、D5；所述整流二极管D1的正极连接市电火线L和电阻R2的一端，整流二极管D1的负极连接电阻R1的一端，电阻R2的另一端连接整流二极管D2的负极，整流二极管D2的正极连接电阻R1的另一端、电容C1的一端、电阻R3的一端和电阻R5的一端，所述电容C1的另一端连接市电零线N，所述电阻R3的另一端连接电阻R4的一端、电源VCC和三极管Q1的基极，电阻R4的另一端连接市电零线N，三极管Q1的发射极连接三极管Q2的基极，三极管Q1的集电极连接电感L1的一端、三极管Q2的集电极、保护二极管D3的负极和片式压电陶瓷变压器T1的管脚2，三极管Q2的发射极连接市电零线N，电感L1的另一端连接电阻R5另一端，电阻R5的一端连接片式压电陶瓷变压器T1的管脚1，保护二极管D3的正极连接市电零线N，片式压电陶瓷变压器T1的管脚3连接硅堆D4的负极和电容C2的一端，硅堆D4的正极连接市电零线N，电容C2的另一端连接硅堆的D5的正极和高压产生电路的输出端，硅堆D5的负极连接市电零线N。优选地，还包括高压放电电路，所述高压本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种负离子发生电路，其特征在于，包括：高压产生电路，所述高压产生电路包括：整流二极管D1、D2，电阻R1、R2、R3、R4、R5，电容C1、C2，电源VCC，三极管Q1、Q2，电感L1，保护二极管D3，片式压电陶瓷变压器T1，硅堆D4、D5；所述整流二极管D1的正极连接市电火线L和电阻R2的一端，整流二极管D1的负极连接电阻R1的一端，电阻R2的另一端连接整流二极管D2的负极，整流二极管D2的正极连接电阻R1的另一端、电容C1的一端、电阻R3的一端和电阻R5的一端，所述电容C1的另一端连接市电零线N，所述电阻R3的另一端连接电阻R4的一端、电源VCC和三极管Q1的基极，电阻R4的另一端连接市电零线N，三极管Q1的发射极连接三极管Q2的基极，三极管Q1的集电极连接电感L1的一端、三极管Q2的集电极、保护二极管D3的负极和片式压电陶瓷变压器T1的管脚2，三极管Q2的发射极连接市电零线N，电感L1的另一端连接电阻R5另一端，电阻R5的一端连接片式压电陶瓷变压器T1的管脚1，保护二极管D3的正极连接市电零线N，片式压电陶瓷变压器T1的管脚3连接硅堆D4的负极和电容C2的一端，硅堆D4的正极连接市电零线N，电容C2的另一端连接硅堆的D5的正极和高压产生电路的输出端，硅堆D5的负极连接市电零线N。...

【技术特征摘要】
1.一种负离子发生电路，其特征在于，包括：高压产生电路，所述高压产
生电路包括：整流二极管D1、D2，电阻R1、R2、R3、R4、R5，电容C1、C2，
电源VCC，三极管Q1、Q2，电感L1，保护二极管D3，片式压电陶瓷变压器
T1，硅堆D4、D5；所述整流二极管D1的正极连接市电火线L和电阻R2的一
端，整流二极管D1的负极连接电阻R1的一端，电阻R2的另一端连接整流二
极管D2的负极，整流二极管D2的正极连接电阻R1的另一端、电容C1的一
端、电阻R3的一端和电阻R5的一端，所述电容C1的另一端连接市电零线N，
所述电阻R3的另一端连接电阻R4的一端、电源VCC和三极管Q1的基极，电
阻R4的另一端连接市电零线N，三极管Q1的发射极连接三极管Q2的基极，
三极管Q1的集电极连接电感L1的一端、三极管Q2的集电极、保护二极管D3
的负极和片式压电陶瓷变压器T1的管脚2，三极管Q2的发射极连接市电零线
N，电感L1的另一端连接电阻R5另一端，电阻R5的一端连接片式压电陶瓷变
压器T1的管脚1，保护二极管D3的正极连接市电零线N，片式压电陶瓷变压
器T1的管脚3连接硅堆D4的负极和电容C2的一端，硅堆D4的正极连接市
电零线N，电容C2的另一端连接硅堆的D5的正极和高压产生电路的输出端，
硅堆D5的负极连接市电零线N。
2.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋宁，
申请(专利权)人：福尔斯通电子昆山有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32