图像传感器封装及其制造方法技术

图像传感器封装及其制造方法。一种图像传感器封装包括：晶片，其具有彼此相反的有源侧表面和背部表面并且具有设置在所述有源侧表面上的键合焊盘；穿通孔，其穿透所述晶片并且电连接到所述键合焊盘；第一电介质层，其设置在所述穿通孔和所述晶片之间。所述第一电介质层延伸以覆盖所述晶片的背部表面。重分布线设置在所述第一电介质层上并且电连接到所述穿通孔。所述重分布线延伸到所述晶片的背部表面上的所述第一电介质层上。第二电介质层设置在所述第一电介质层上以覆盖所述重分布线并且延伸到所述晶片的外侧壁上。还提供了相关方法。

【技术实现步骤摘要】
相关申请的交叉引用本申请要求2015年1月22日在韩国知识产权局提交的韩国申请No.10-2015-0010835的优先权，该专利申请的公开内容的全文以引用方式并入本文中。
本公开的实施方式涉及半导体封装及其制造方法，更特别地，涉及图像传感器封装及其制造方法。
技术介绍
图像传感器被广泛用于在移动电话、计算机、数码相机、数码摄录机等中产生图像数据。特别地，广泛采用互补型金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器将被物体反射的光转换成电信号。近来，使用晶圆级封装技术封装CMOS图像传感器以提高生产良率。另外，已经提出进行各种尝试以向CMOS图像传感器封装应用硅通孔(TSV)，以改进互连线的设计方案。
技术实现思路
各种实施方式涉及图像传感器封装及其制造方法。根据实施方式，一种图像传感器封装包括图像传感器晶片(die)，图像传感器晶片具有彼此相反的有源侧表面和背部表面。图像传感器晶片包括晶片主体部分、比所述晶片主体部分薄的台阶部分、设置在所述有源侧表面上的键合焊盘。穿通孔穿透所述台阶部分并且电连接到所述键合焊盘。第一电介质层设置在所述穿通孔和所述台阶部分之间，所述第一电介质层延伸以覆盖所述晶片主体部分和所述台阶部分的背部表面。重分布线设置在所述第一电介质层上并且电连接到所述穿通孔。所述重分布线延伸到所述台阶部分的背部表面上设置的第一电介质上。第二电介质层设置在所述第一电介质层上，以覆盖所述重分布线并且延伸到所述台阶部分的侧壁上。所述有源侧表面包括图像传感器器件区。根据另一个实施方式，一种图像传感器封装包括图像传感器晶片，图像传感器晶片具有彼此相反的有源侧表面和背部表面。图像传感器晶片包括晶片主体部分、边缘部分、设置在所述有源侧表面上的键合焊盘。穿通孔穿透所述边缘部分并且电连接到所述键合焊盘。第一电介质层设置在所述穿通孔和所述边缘部分之间，所述第一电介质层延伸以覆盖所述晶片主体部分和所述边缘部分的背部表面。重分布线设置在所述第一电介质层上并且电连接到所述穿通孔。所述重分布线延伸到所述边缘部分的背部表面上设置的第一电介质层上。第二电介质层设置在所述第一电介质层上以覆盖所述重分布线并且延伸到所述边缘部分的外侧壁上。第二电介质层设置在所述第一电介质层上以覆盖所述重分布线并且延伸到所述边缘部分的外侧壁上。所述有源侧表面包括图像传感器器件区。根据另一个实施方式，一种图像传感器封装包括：晶片，其具有彼此相反的有源侧表面和背部表面并且具有设置在所述有源侧表面上的键合焊盘；穿通孔，其穿透所述晶片并且电连接到所述键合焊盘；第一电介质层，其设置在所述穿通孔和所述晶片之间。所述第一电介质层延伸以覆盖所述晶片的背部表面。重分布线设置在所述第一电介质层上并且电连接到所述穿通孔，所述重分布线延伸到所述晶片的背部表面上的所述第一电介质层上。第二电介质层设置在所述第一电介质层上以覆盖所述重分布线并且延伸到所述晶片的外侧壁上。根据另一个实施方式，提供了一种制造图像传感器封装的方法。该方法包括提供包括多个图像传感器晶片的晶圆。各图像传感器晶片被形成为具有彼此相反的有源侧表面和背部表面并且包括晶片主体部分、边缘部分和有源侧表面上的键合焊盘。向图像传感器晶片的边缘部分的背部表面应用蚀刻工艺，以在图像传感器晶片中的每个中形成台阶部分。将台阶部分图案化以形成半切沟槽，半切沟槽具有与台阶部分的外侧壁对应的侧壁。在晶片主体部分、台阶部分和键合焊盘上，形成第一电介质层。将所述第一电介质层图案化，以暴露键合焊盘。在第一电介质层上形成与键合焊盘连接的穿通孔和重分布线。在第一电介质层上形成覆盖重分布线、穿通孔和台阶部分的外侧壁的第二电介质层。根据另一个实施方式，提供了一种包括半导体封装的电子系统。该半导体封装包括图像传感器晶片，所述图像传感器晶片具有彼此相反的有源侧表面和背部表面。所述图像传感器晶片包括晶片主体部分、比所述晶片主体部分薄的台阶部分、设置在所述有源侧表面上的键合焊盘。穿通孔穿透所述台阶部分并且电连接到所述键合焊盘。第一电介质层设置在所述穿通孔和所述台阶部分之间，所述第一电介质层延伸以覆盖所述晶片主体部分和所述台阶部分的背部表面。重分布线设置在所述第一电介质层上并且电连接到所述穿通孔。所述重分布线延伸到所述台阶部分的背部表面上设置的第一电介质层上。第二电介质层设置在所述第一电介质层上，以覆盖所述重分布线并且延伸到所述台阶部分的侧壁上。所述有源侧表面包括图像传感器器件区。根据另一个实施方式，提供了一种包括半导体封装的电子系统。该半导体封装包括图像传感器晶片，所述图像传感器晶片具有彼此相反的有源侧表面和背部表面。所述图像传感器晶片包括晶片主体部分、边缘部分、设置在所述有源侧表面上的键合焊盘。穿通孔穿透所述边缘部分并且电连接到所述键合焊盘。第一电介质层设置在所述穿通孔和所述边缘部分之间，所述第一电介质层延伸以覆盖所述晶片主体部分和所述边缘部分的背部表面。重分布线设置在所述第一电介质层上并且电连接到所述穿通孔。所述重分布线延伸到所述边缘部分的背部表面上设置的所述第一电介质层上。第二电介质层设置在所述第一电介质层上以覆盖所述重分布线并且延伸到所述边缘部分的外侧壁上。第二电介质层设置在所述第一电介质层上以覆盖所述重分布线并且延伸到所述边缘部分的外侧壁上。所述有源侧表面包括图像传感器器件区。根据另一个实施方式，提供了一种包括半导体封装的电子系统。该半导体封装包括：晶片，其具有彼此相反的有源侧表面和背部表面并且具有设置在所述有源侧表面上的键合焊盘；穿通孔，其穿透所述晶片并且电连接到所述键合焊盘；第一电介质层，其设置在所述穿通孔和所述晶片之间。所述第一电介质层延伸以覆盖所述晶片的背部表面。重分布线设置在所述第一电介质层上并且电连接到所述穿通孔，所述重分布线延伸到所述晶片的背部表面上的第一电介质层上。第二电介质层设置在所述第一电介质层上以覆盖所述重分布线并且延伸到所述晶片的外侧壁上。附记1、一种图像传感器封装，该图像传感器封装包括：图像传感器晶片，其具有有源侧表面、与所述有源侧表面相反的背部表面、晶片主体部分、比所述晶片主体部分薄的台阶部分、设置在所述有源侧表面上的键合焊盘；穿通孔，其穿透所述台阶部分并且电连接到所述键合焊盘；第一电介质层，其设置在所述穿通孔和所述台阶部分之间，所述第一电介质层覆盖所述晶片主体部分和所述台阶部分的背部表面；重分布线，其设置在所述第一电介质层上并且电连接到所述穿通孔，所述重分本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种图像传感器封装，该图像传感器封装包括：图像传感器晶片，其具有有源侧表面、与所述有源侧表面相反的背部表面、晶片主体部分、比所述晶片主体部分薄的台阶部分、设置在所述有源侧表面上的键合焊盘；穿通孔，其穿透所述台阶部分并且电连接到所述键合焊盘；第一电介质层，其设置在所述穿通孔和所述台阶部分之间，所述第一电介质层覆盖所述晶片主体部分和所述台阶部分的背部表面；重分布线，其设置在所述第一电介质层上并且电连接到所述穿通孔，所述重分布线在所述第一电介质层的位于所述台阶部分的背部表面上的一部分上方延伸；第二电介质层，其设置在所述第一电介质层上，所述第二电介质层覆盖所述重分布线并且在所述台阶部分的侧壁上方延伸，其中，所述有源侧表面包括图像传感器器件区。

【技术特征摘要】
2015.01.22 KR 10-2015-00108351.一种图像传感器封装，该图像传感器封装包括：
图像传感器晶片，其具有有源侧表面、与所述有源侧表面相反的背部表面、晶片
主体部分、比所述晶片主体部分薄的台阶部分、设置在所述有源侧表面上的键合焊盘；
穿通孔，其穿透所述台阶部分并且电连接到所述键合焊盘；
第一电介质层，其设置在所述穿通孔和所述台阶部分之间，所述第一电介质层覆
盖所述晶片主体部分和所述台阶部分的背部表面；
重分布线，其设置在所述第一电介质层上并且电连接到所述穿通孔，所述重分布
线在所述第一电介质层的位于所述台阶部分的背部表面上的一部分上方延伸；
第二电介质层，其设置在所述第一电介质层上，所述第二电介质层覆盖所述重分
布线并且在所述台阶部分的侧壁上方延伸，
其中，所述有源侧表面包括图像传感器器件区。
2.根据权利要求1所述的图像传感器封装，所述图像传感器封装还包括光学封
盖，所述光学封盖覆盖所述图像传感器晶片的所述有源侧表面。
3.根据权利要求2所述的图像传感器封装，所述图像传感器封装还包括设置在
所述光学封盖和所述图像传感器晶片的所述有源侧表面之间的坝状支承结构。
4.根据权利要求3所述的图像传感器封装，其中，所述坝状支承结构覆盖所述
台阶部分的所述有源侧表面并且背离所述图像传感器晶片横向延伸。
5.根据权利要求4所述的图像传感器封装，其中，所述第一电介质层在所述坝
状支承结构和所述第二电介质层的覆盖所述台阶部分的侧壁的一部分之间延伸。
6.根据权利要求4所述的图像传感器封装，
其中，所述坝状支承结构包括凹陷；
其中，所述第二电介质层设置在所述凹陷中并且阻挡所述坝状支承结构和所述台
阶部分的所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：李昇铉，金娜延，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR