提供一种层堆叠结构、包括该层堆叠结构的阵列基板以及包括该阵列基板的显示装置。该层堆叠结构，包括：衬底基板；在远离所述衬底基板的方向上依次堆叠的第一导电层、第一绝缘层、第二导电层和第二绝缘层，其中，所述第一导电层与所述第二导电层在一重叠区域中彼此重叠，设置在所述重叠区域中的凹陷部，包括：贯通所述第一绝缘层的第一过孔；贯通所述第二导电层的第二过孔；以及贯通所述第二绝缘层的第三过孔，其中，所述第一过孔、所述第二过孔和所述第三过孔彼此连通，以及导电连接构件，延伸通过所述凹陷部的所述第三过孔、所述第二过孔和所述第一过孔，其中，所述第一导电层和所述第二导电层通过所述导电连接构件彼此电性连接。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】提供一种层堆叠结构、包括该层堆叠结构的阵列基板以及包括该阵列基板的显示装置。该层堆叠结构，包括：衬底基板；在远离所述衬底基板的方向上依次堆叠的第一导电层、第一绝缘层、第二导电层和第二绝缘层，其中，所述第一导电层与所述第二导电层在一重叠区域中彼此重叠，设置在所述重叠区域中的凹陷部，包括：贯通所述第一绝缘层的第一过孔；贯通所述第二导电层的第二过孔；以及贯通所述第二绝缘层的第三过孔，其中，所述第一过孔、所述第二过孔和所述第三过孔彼此连通，以及导电连接构件，延伸通过所述凹陷部的所述第三过孔、所述第二过孔和所述第一过孔，其中，所述第一导电层和所述第二导电层通过所述导电连接构件彼此电性连接。【专利说明】层堆叠结构、阵列基板和显示装置
本技术的实施例涉及一种层堆叠结构、包括该层堆叠结构的阵列基板以及包括该阵列基板的显示装置。
技术介绍
通常，在电子产品的制造过程中通常需要将位于不同层的两导电层电性连接。例如，在显示装置的阵列基板的周边电路区域中，例如采用两个过孔和一个连接导电层来电性连接位于不同层的两导电层，其中一个过孔暴露出两导电层中的一个导电层，另一个过孔暴露出两导电层中的另一个导电层，连接导电层通过两个过孔而电性连接位于不同层的两导电层，但这种连接结构占用面积大且结构相对复杂。
技术实现思路
本技术的实施例提供一种层堆叠结构、包括该层堆叠结构的阵列基板以及包括该阵列基板的显示装置，能够解决现有技术中不同导电层之间的连接结构占用面积大且结构相对复杂的技术问题。本技术至少一实施例提供一种层堆叠结构，包括:衬底基板;在远离所述衬底基板的方向上依次堆叠的第一导电层、第一绝缘层、第二导电层和第二绝缘层，其中，所述第一导电层与所述第二导电层在一重叠区域中彼此重叠；设置在所述重叠区域中的凹陷部，包括:贯通所述第一绝缘层的第一过孔;贯通所述第二导电层的第二过孔；以及贯通所述第二绝缘层的第三过孔，其中，所述第一过孔、所述第二过孔和所述第三过孔彼此连通；以及导电连接构件，延伸通过所述凹陷部的所述第三过孔、所述第二过孔和所述第一过孔，其中，所述第一导电层和所述第二导电层通过所述导电连接构件彼此电性连接。例如，在本技术一实施例提供的层堆叠结构中，所述导电连接构件在所述第二过孔的侧壁与所述第二导电层直接接触，所述导电连接构件在所述第一过孔的底部与所述第一导电层的上表面直接接触。例如，在本技术一实施例提供的层堆叠结构中，所述第二过孔在所述衬底基板上的垂直投影位于所述第三过孔在所述衬底基板上的垂直投影以内，且所述导电连接构件在所述第三过孔的底部与所述第二导电层的上表面直接接触。例如，在本技术一实施例提供的层堆叠结构中，所述第二过孔在所述衬底基板上的垂直投影位于所述第一过孔在所述衬底基板上的垂直投影以内，且所述导电连接构件在所述第一过孔的顶部与所述第二导电层的下表面直接接触。例如，在本技术一实施例提供的层堆叠结构中，所述凹陷部还包括贯通所述第一导电层的第四过孔，所述第四过孔与所述第一过孔彼此连通，所述导电连接构件延伸通过所述第四过孔以在所述第四过孔底部与所述衬底基板的上表面直接接触。例如，在本技术一实施例提供的层堆叠结构中，所述第一过孔、所述第二过孔和所述第三过孔被所述导电连接构件完全填满。例如，在本技术一实施例提供的层堆叠结构中，所述第二导电层在所述第二过孔的侧壁上具有朝向所述第二过孔的内部突出的至少一个凸起部。例如，在本技术一实施例提供的层堆叠结构中，所述第二过孔具有彼此相对的第一侧壁和第二侧壁以及彼此相对的第三侧壁和第四侧壁，所述至少一个凸起部包括在所述第一侧壁上的至少一个朝向所述第二侧壁突出的第一凸起部、在所述第二侧壁上的至少一个朝向所述第一侧壁突出的第二凸起部、在所述第三侧壁上的至少一个朝向所述第四侧壁突出的第三凸起部、以及在所述第四侧壁上的至少一个朝向所述第三侧壁突出的第四凸起部。例如，在本技术一实施例提供的层堆叠结构中，所述第一凸起部、所述第二凸起部、所述第三凸起部和所述第四凸起部互不接触。例如，在本技术一实施例提供的层堆叠结构中，所述第一过孔在所述衬底基板上的垂直投影与所述第二过孔在所述衬底基板上的垂直投影彼此重合。例如，在本技术一实施例提供的层堆叠结构中，所述导电连接构件由透明导电金属氧化物形成。例如，在本技术一实施例提供的层堆叠结构中，所述至少一个凸起部的平面形状为正方形、长方形、半圆形或多边形。例如，在本技术一实施例提供的层堆叠结构中，所述第一过孔、所述第二过孔和所述第三过孔被所述导电连接构件部分填充。本技术至少一个实施例还提供一种阵列基板，包括上述任一层堆叠结构，以及形成在所述衬底基板上的像素单元，其中所述像素单元位于所述衬底基板的一显示区域中，所述层堆叠结构位于围绕所述显示区域的周边电路区域中。例如，在本技术一实施例提供的阵列基板中，所述像素单元包括薄膜晶体管和像素电极，所述薄膜晶体管包括在远离所述衬底基板的方向上依次堆叠的栅极、栅极绝缘层、有源层、源极和漏极、以及钝化层，所述第一导电层与所述栅极设置在同一层且由相同的材料形成，所述第一绝缘层与所述栅极绝缘层为同一层，所述第二导电层与所述源极和漏极设置在同一层且由相同的材料形成，所述第二绝缘层与所述钝化层为同一层，且所述导电连接构件和所述像素电极由相同的材料形成。例如，在本技术一实施例提供的阵列基板中，所述第二导电层与第一绝缘层之间还设置有半导体图案层，所述半导体图案层与所述有源层设置在同一层且由相同的材料形成，所述凹陷部还包括贯通所述半导体图案层的第五过孔，所述第五过孔与所述第一过孔和所述第二过孔彼此连通，所述导电连接构件延伸通过所述第五过孔。本技术至少一个实施例还提供一种显示装置，包括上述任一阵列基板。本技术的实施例提供的层堆叠结构、包括该层堆叠结构的阵列基板以及包括该阵列基板的显示装置中，位于不同层的两导电层经由延伸通过同一个凹陷部的导电连接构件而彼此电连接，因此通过较简单且占用面积较小的结构实现可靠的电连接。【附图说明】为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本技术的一些实施例，而非对本技术的限制。附图中各个膜层并非按实际比例绘制。且附图只示出了与本技术实施例的紧密相关的结构，其他结构可在本技术实施例的基础上参考通常设计。图1为本技术实施例一提供的层堆叠结构的平面示意图；图2为图1所示的层堆叠结构沿A1-A2线的截面示意图；图3为本技术实施例一提供的层堆叠结构的一变型的截面示意图；图4为本技术实施例一提供的层堆叠结构的另一变型的截面示意图；图5为本技术实施例二提供的层堆叠结构的平面示意图；图6为图5所示的层堆叠结构沿A1-A2线的截面示意图；图7为图5所示的层堆叠结构沿B1-B2线的截面示意图；图8为本技术实施例二的一个示例提供的层堆叠结构的平面示意图；图9为图8所示的层堆叠结构沿A1-A2线的截面示意图；图10为本技术实施例三提供的层堆叠结构平面示意图；图11为本技术实施例四提供的层堆叠结构平面示意图；图12为图11所示的层堆叠本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种层堆叠结构，包括：衬底基板；在远离所述衬底基板的方向上依次堆叠的第一导电层、第一绝缘层、第二导电层和第二绝缘层，其中，所述第一导电层与所述第二导电层在一重叠区域中彼此重叠；设置在所述重叠区域中的凹陷部，包括：贯通所述第一绝缘层的第一过孔；贯通所述第二导电层的第二过孔；以及贯通所述第二绝缘层的第三过孔，其中，所述第一过孔、所述第二过孔和所述第三过孔彼此连通；以及导电连接构件，延伸通过所述凹陷部的所述第三过孔、所述第二过孔和所述第一过孔，其中，所述第一导电层和所述第二导电层通过所述导电连接构件彼此电性连接。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：程鸿飞，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11
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