电子器件制造技术

技术编号:13478321 阅读:156 留言:0更新日期:2016-08-05 19:52
本实用新型专利技术涉及一种电子器件,包括:集成电路(IC),包括例如至少一个MOS晶体管(TRN);以及加热装置(SC),被电耦合至所述至少一个晶体管的源极(S)半导电区域或漏极(D)半导电区域中的一个的至少两个位点(ED1、ED2)并且被配置为引起至少一个电流(I)在所述位点之间流通。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术涉及一种电子器件,包括:集成电路(IC),包括例如至少一个MOS晶体管(TRN);以及加热装置(SC),被电耦合至所述至少一个晶体管的源极(S)半导电区域或漏极(D)半导电区域中的一个的至少两个位点(ED1、ED2)并且被配置为引起至少一个电流(I)在所述位点之间流通。【专利说明】电子器件
本技术的实施例涉及一种电子器件,并且尤其是涉及对一个或多个集成结构的有源区的加热,该集成结构特别是一个或多个晶体管,例如MOS晶体管。
技术介绍
在特定应用中,可能特别有利的是加热MOS晶体管的有源区,特别是当后者处于冷环境中或类似时,以改进其在非常低的电压应用下的性能水平。当前,使用复杂的加热系统来增加晶体管的环境温度,特别是当后者处于冷环境中时。
技术实现思路
本公开的目的之一是提供一种电子器件。根据本公开的一个方面,提供一种电子器件,包括:集成电路,包括至少一个集成结构;以及加热装置,所述加热装置被电耦合至所述至少一个集成结构的有源区的至少两个位点,并且被配置成引起至少一个电流在所述位点之间流通。优选地,所述至少一个集成结构为至少一个MOS晶体管,并且所述有源区为所述至少一个晶体管的源极半导电区域或漏极半导电区域中的一个区域。优选地,所述晶体管为NMOS晶体管。优选地,所述位点位于实质上沿着在所述至少一个晶体管处的沟道的宽度的方向延伸的直线上。优选地,所述位点位于所述源极半导电区域内。优选地,所述位点的数量等于两个,并且所述两个位点分别位于所述有源区的两个端部的邻近区域。优选地,所述位点的数量等于三个,第一位点被包括在两个第二位点之间,并且所述加热装置被配置成引起两个电流分别在所述第一位点与所述两个第二位点之间流通。优选地,所述两个第二位点分别位于所述有源区的两个端部的邻近区域,并且所述第一位点被定位成与所述两个第二位点实质上等距。优选地,所述加热装置包括:导电触头,分别被电耦合至所述位点;以及至少一个电流源,被配置成经由相应的触头而在所述位点中的一个位点处注入至少一个电流,所产生的一个或多个电流通过相应的一个或多个导电触头而在另一个位点或其他位点处放电。优选地,放电每个电流的所述一个或多个触头被联接至所述集成电路的接地线。优选地,所述加热装置配置成引起至少一个电流以至少一个电流脉冲的形式流通。优选地,所述加热装置是能控制的,并且所述器件进一步包括控制装置,所述控制装置适于在所述集成结构不操作时启动所述加热装置。优选地,所述加热装置配置成引起至少一个电流经由金属线而分别在多个集成结构中流通,所述金属线在所述结构之上延伸。优选地,所述加热装置属于所述集成电路。本公开的实施例提供了一种电子器件,使得能够在处于冷环境中时容易地对晶体管的有源区进行加热。【附图说明】通过非限制性实施例的具体的说明书的教导以及附图,本技术的其他优点和特征将变得显而易见,附图中:-图1示出了根据本技术的实施例的电子器件的示意图;图2示出了根据本技术的实施例的对应于图1中的电子器件的电路图;图3示出了根据本技术的实施例的示例性电流源的电路图;图4示出了根据本技术的实施例的晶体管的示意图;图5示出了根据本技术的实施例的电子器件的示意图;图6示出了根据本技术的实施例的电子器件的示意图。【具体实施方式】在图1中,标号DIS表不与集成电路IC完全整体形成的电子器件。该电子器件在此包括集成结构,特别是晶体管TRN,例如NMOS晶体管。晶体管TRN常规包括源极半导电区域S、漏极半导电区域D以及栅极区域G。晶体管TRN的有源区在此通过隔离区域RIS(例如浅沟槽类型的)而与集成电路的其他部件隔离。DIS器件还包括加热装置,该加热装置在此电耦合至晶体管TRN的源极半导电区域的两个位点HH、ED2,并且在此配置成引起电流I在位点EDl与ED2之间流通。更具体地,在该实施例中,加热装置包括电流源SC,该电流源一方面连接至接地极GND,而另一方面连接至第一位点EDl,例如通过导电触头CT0、位于集成电路第一金属化水平的金属化部分MTLl以及在位点EDl处电耦合至源极区域S的硅化物区(也即包括金属硅化物的区)。加热装置还包括另一触头CT2,该触头在位点ED2处电耦合至源极区域S的硅化物区并且通过另一金属化部分MTL2联接至接地极GND。为了提高加热效率,有利地可在位点EDl与ED2之间布置非硅化物区,以便增加电阻RS的值。在该示例性实施例中,电流源SC输送电流I,该电流在源极半导电区域RS中在两个位点EDl与ED2之间流通,再次在位点ED2处离开。在这里描述的实例中,两个位点EDl和ED2分别位于源极半导电区域的两个端部的邻近区域,并且连接它们的直线以基本上平行于晶体管TRN的沟道的宽度W的方式延伸。在该图1中,标号RS表示源极半导电区域的电阻。通过焦耳效应,电流I的流通导致源极区域S的温度的升高,并且该热根据箭头F传播至晶体管TRN的所有有源区,通过其沟道区域而到达尤其是漏极半导电区域D。图2示出了对应于图1的电路图。更具体地,图2示出了有电阻器RS体现的源极区域S,该电阻器的端子ED2连接至接地线GND并且其端子EDl通过电流源SC连接至接地线GND。还应当注意到,在该实例中,电流源SC可通过由控制信号SCTRL控制的开关SW启动。换言之,电流源可被激活或去激活。在该示例性实施例中,晶体管TRN的漏极D通过晶体管Rl连接至供电电压Vdd,并且集成电路IC还包括连接至晶体管的栅极G的另一部分I以及连接至晶体管TRN的漏极的另一部分电路2.因此可看到在此,集成电路IC的功能且尤其是晶体管TRN的功能绝不会通过添加可激活的电流源SC而改变。通过添加处于集成电路IC内部的电流源SC,指示仅仅略微改变了集成电路IC的拓扑结构。此外,当MOS晶体管为NMOS晶体管时这实施起来特别简单,这是因为匪OS晶体管在正常运行中通常连接至地面。电流源还可处于集成电路外部。当晶体管TRN的有源区的温度升高时,开关SW关闭并且电流源SC输送电流I,该电流在源极半导电区域S中流通以放电至接地极GND。在一段升温时间之后,通过打开晶体管SW而去激活电流源SC,升温时间可依据晶体管的环境而变。然后,在准许晶体管在集成电路IC内正常运行之前,优选地使晶体管的有源区的温度变得均匀。可在晶体管TRN升温时同时准许晶体管的运行。然而,在这种情况下,由于源极区域S的两端处的两个不同电势的存在,这可导致晶体管TRN的降级运行。这个所述的降级运行在特定应用中是可接受的。尽管可引起电流I在源极半导电区域中连续流通从而使晶体管的有源区的温度升高,然而已观察到通过引起电流脉冲流通而获得了温度的更有效提升,所述电流脉冲优选为短脉冲,例如几微秒量级,其可限制出现电迀移现象的风险。此外,如图3所示,可提供输送电流I的脉冲列的示例性电流源SC。更具体地,在该示例性实施例中,MOS晶体管4在其栅极上收到振荡器OSC控制,从而从电压发生器3以晶体管4的关闭和打开的速率输送电流脉冲。作为变型,如图4示意性示出的,可规定加热装置不是在两个位点而是在三个位点ED1、ED2、ED3处耦合至源极半导电区域。并且在该实例中,第一位点EDl定位成与其他两个位点ED2本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子器件,其特征在于,包括:集成电路(IC),包括至少一个集成结构(TRN);以及加热装置(SC),所述加热装置被电耦合至所述至少一个集成结构的有源区(S)的至少两个位点(ED1,ED2),并且被配置成引起至少一个电流(I)在所述位点之间流通。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:P·加利S·阿萨纳西乌J·里科兹S·恩格尔斯
申请(专利权)人:意法半导体有限公司
类型:新型
国别省市:法国;FR

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