密封膜、有机场致发光显示装置及有机半导体器件制造方法及图纸

技术编号:13465672 阅读:40 留言:0更新日期:2016-08-04 20:02
本发明专利技术涉及一种密封膜,其是依次具备基材膜、密封层及粘接性层的密封膜,其中,所述密封膜具有1000MPa以上的拉伸弹性模量,密封后所述密封膜的与所述基材膜相比设置在所述密封层侧的层部分的延迟为20nm以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】本专利技术涉及一种密封膜,其是依次具备基材膜、密封层及粘接性层的密封膜,其中,所述密封膜具有1000MPa以上的拉伸弹性模量,密封后所述密封膜的与所述基材膜相比设置在所述密封层侧的层部分的延迟为20nm以下。【专利说明】密封膜、有机场致发光显示装置及有机半导体器件
本专利技术设及密封膜、W及具备该密封膜的有机场致发光显示装置及有机半导体器 件。
技术介绍
在具备有机场致发光元件(W下也适当称为"有机化元件")及有机半导体元件等 元件的有机电子器件中,有时要设置密封用的构件。通过将运样的密封用的构件W密封器 件内部的有机材料的方式设置,能够防止有机材料因水蒸汽及氧的存在而劣化,进而能够 防止器件的性能下降。作为运样的构件,已提出了具备无机层的密封膜(参考专利文献1)。 另外,在如上所述的有机电子器件中,在显示装置中,为了防止外部光映入至画 面,有时要设置防反射膜。作为运样的防反射膜,已知有具备组合了直线偏振片及1/4波片 的圆偏振片的防反射膜(参考专利文献2)。 现有技术文献 专利文献 专利文献1:日本特开2009-190186号公报 专利文献2:日本特开2012-032418号公报
技术实现思路
[000引专利技术要解决的问题 为了使将密封膜设置于器件时的操作变得容易,本专利技术人尝试了在密封膜设置粘 接性层。结果发现,如果将运样的具备粘接性层的密封膜与具备圆偏振片的防反射膜组合, 则会引起防反射性能的降低。 另外,近年来,对器件薄型化的要求增高。伴随该要求的增高,要求使密封膜的厚 度变薄。但是,如果使密封膜的厚度变薄,存在导致密封膜的机械强度下降、该密封膜的初 劲(3シ)消失的可能性。运样的没有初劲的膜的操作性低,因此有时难W实现适当的密封。 本专利技术鉴于上述问题而完成,目的在于提供即使在与具备圆偏振片的防反射膜组 合的情况下也不易引起防反射性能降低、操作性优异、能够实现良好的密封的密封膜,W及 具备该密封膜的有机场致发光显示装置及有机半导体器件。解决问题的方法 本专利技术人为解决上述问题而进行了深入研究。其结果,本专利技术人发现了一种密封 膜,该密封膜依次具备基材膜、密封层及粘接性层,其中,该密封膜的拉伸弹性模量落在给 定范围,且密封膜的与基材膜相比设置在密封层侧的层部分的密封后的延迟落在给定范 围。进一步,本专利技术人获得了如下见解,进而完成了本专利技术,即:利用该密封膜,在与具备圆 偏振片的防反射膜组合的情况下不易引起防反射性能的下降,操作性优异,能够实现良好 的密封。 旨P,本专利技术如下所述。 -种密封膜,其是依次具备基材膜、密封层及粘接性层的密封膜, 其中,所述密封膜具有1000 MPaW上的拉伸弹性模量, 密封后所述密封膜的与所述基材膜相比设置在所述密封层侧的层部分的延迟为 20nmW下。 根据所述的密封膜,其中,所述粘接性层包含加氨嵌段共聚物弹性体。 根据所述的密封膜,其中,所述加氨嵌段共聚物弹性体是将嵌段共聚物的 全部不饱和键的90% W上进行氨化而得到的氨化物, 所述嵌段共聚物具有: W芳香族乙締基化合物单元为主要成分的聚合物嵌段,且每1分子共聚物具有 2个W上该聚合物嵌段;和 W链状共辆二締化合物单元为主要成分的聚合物嵌段,且每1分子共聚物具有 1个W上该聚合物嵌段, 在所述嵌段共聚物整体中,全部聚合物嵌段所占的重量分率WA和全部聚合物 嵌段所占的重量分率WB之比(wA/wB)为20/80~60/40。 根据~中任一项所述的密封膜,其中,所述基材膜由脂环式締控树脂形 成。 ~中任一项所述的密封膜。 -种有机半导体器件,其具备~中任一项所述的密封膜。 专利技术的效果 根据本专利技术,可W提供在与具备圆偏振片的防反射膜组合的情况下也不易引起防 反射性能的下降、操作性优异、能够实现良好的密封的密封膜,W及具备该密封膜的有机场 致发光显示装置及有机半导体器件。【附图说明】 图1是示意性地示出本专利技术的密封膜的一例的剖面图。 图2是示意性地示出本专利技术第一实施方式设及的有机化显示装置的纵向剖面图。 图3是示意性地示出本专利技术第一实施方式设及的有机显示装置中包含的装配体 的立体图。 图4是示意性地示出本专利技术第二实施方式设及的有机化显示装置的纵向剖面图。 图5是示意性地示出本专利技术第S实施方式设及的有机化显示装置的纵向剖面图。 图6是示意性地示出本专利技术第四实施方式设及的有机化显示装置的纵向剖面图。 图7是示意性地示出本专利技术第五实施方式设及的有机化显示装置的纵向剖面图。 图8是示意性地示出本专利技术第六实施方式设及的有机半导体器件的纵向剖面图。 图9是示意性地示出在本专利技术的实施例及比较例中制作的结构体的纵向剖面图。 [003引符号说明 100密封膜 110基材膜 120密封层 130粘接性层 200有机化显示装置 210装配体 210U装配体的上表面 211 基板 21IU基板的上表面[004引 212第一电极层 213边缘覆盖层 214发光层 215第二电极层 220密封膜 221 基材膜 222密封层223粘接性层 224密封膜的由密封层及粘接性层构成的层部分 300有机化显示装置[0化引310防反射膜 311直线偏振片 312 1/4 波片 400有机化显示装置 420密封膜 421 基材膜 500有机化显示装置 510临时密封层 510U临时密封层的上表面 600有机化显示装置[006引 610吸附剂层 700有机半导体器件 710装配体 710U装配体的上表面 711 基板 712栅电极 713栅电极绝缘层 [007引714源电极 715漏电极 716半导体层[007引 800结构体【具体实施方式】 W下,示出实施方式及例示物等对本专利技术详细地进行说明,但本专利技术不受W下所 示的实施方式及例示物等限定,在不脱离本专利技术的权利要求及其等同范围的范围内可W任 意变更而实施。 在W下的说明中,膜是"长条状"是指相对于宽度具有5倍W上的长度的膜,优选具 有10倍或10倍W上的长度,具体而言,是指具有可卷取成卷状进行保管或搬运程度的长度 的膜。相对于宽度而言的长度的倍率的上限没有特别地限定,通常为5000倍W下。 在W下的说明中,在没有特别限定的情况下,所述"偏振片"及"1/4波片"不仅包括 刚直的构件,还包括例如树脂制的膜那样的具有晓性的构件。 在W下的说明中,在没有特别限定的情况下,所述延迟是指面内延迟。某种膜的面 内延迟是W (nx-ny) Xd表示的值。在此,nx表示与该膜的厚度方向垂直的方向(面内方向) 中给W最大折射率的方向的折射率。另外,ny表示该膜的所述面内方向中与nx的方向正交 的方向的折射率。进一步,d表示该膜的厚度。该延迟可W采用市售的相位差测定装置(例 如,Photonic Lattice公司制造的"WPA-micro")或塞拿蒙(Senarmont)法进行测定。在没有 特别限定的情况下,面内延迟的测定波长为550nm。 图1是示意性地示出本专利技术的密封膜的一例的剖面图。 如图1所示,密封膜100依次具备基材膜110、密封层120及粘接性层130。该密封膜 100通常在具备有机化元件及有机半导体元件等元件的有机电子器件中用于密封所述元 件。如果使用该密封膜100,由于可W将器件所具备的元件良好地密封本文档来自技高网...
密封膜、有机场致发光显示装置及有机半导体器件

【技术保护点】
一种密封膜,其是依次具备基材膜、密封层及粘接性层的密封膜,其中,所述密封膜具有1000MPa以上的拉伸弹性模量,密封后所述密封膜的与所述基材膜相比设置在所述密封层侧的层部分的延迟为20nm以下。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:田崎聪井上弘康石黑淳小出洋平
申请(专利权)人:日本瑞翁株式会社
类型:发明
国别省市:日本;JP

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1