抗蚀剂剥离剂组合物制造技术

本发明专利技术公开了一种抗蚀剂剥离剂组合物，该抗蚀剂剥离剂组合物能使剥离过程中金属线的腐蚀最小化，显示出优异的抗蚀剂去除性能，并且提高了能处理的基板数。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种抗蚀剂剥离剂组合物，该抗蚀剂剥离剂组合物能使剥离过程中金属线的腐蚀最小化，显示出优异的抗蚀剂去除性能，并且提高了能处理的基板数。【专利说明】抗蚀剂剥离剂组合物
本专利技术设及一种抗蚀剂剥离剂组合物，并且更具体地设及一种在抗蚀剂剥离过程 中能表现出优异的剥离能力同时使金属线的腐蚀最小化的抗蚀剂剥离剂组合物。
技术介绍
抗蚀剂（光致抗蚀剂）基本上用于光刻工艺。运种光刻工艺通常用于制造：半导 体器件，诸如集成电路（1C)、大规模集成化SI)、超大规模集成（VLSI)等；和图像显示器，诸 如液晶显示器化CD)和平板显示器（例如，等离子体显示器（PDP))。 随着近来对表现出高的分辨率和高的线上信号速度的LCD的需求，其处理条件已 经变得更加严格。因此，在去除抗蚀剂的剥离过程中使用的剥离剂必须表现出改进的性能。 在光刻处理之后，在高溫下使用剥离液去除抗蚀剂。当W运种方式在高溫下去除 抗蚀剂时，下层金属膜会由于剥离液而不利地快速腐蚀。因此，为了在蚀刻过程之后去除蚀 刻残留物并且抑制金属线的腐蚀，需要相当高的剥离能力。特别是，需要同时对A1和化的 耐腐蚀性，并且也存在盈利需求（包括提高能处理的基板数）W保证价格竞争力。 为了去除抗蚀剂，通常有用的是：水溶性有机胺，诸如单乙醇胺或单异丙醇胺；有 机溶剂，诸如丫-下内醋和DMS0。而且，为了抑制由胺造成的金属腐蚀，可W应用任何类型 的腐蚀抑制剂，诸如儿茶酪、间苯二酪或苯并立挫，并且设计出包含上述腐蚀抑制剂的光致 抗蚀剂剥离剂组合物。 然而，已知传统的光致抗蚀剂剥离剂组合物在耐腐蚀性、能处理的基板数W及处 理稳定性和储存稳定性方面有问题。例如，公布号为10-2006-0117666的韩国专利申请公 开了必需使用两种或更多种腐蚀抑制剂来防止金属线腐蚀。因此，在剥离过程之后剥离剂 留在线上的可能性可能会增加，并且，在长期储存时，剥离剂可能会稱色，并且剥离时间可 能会增加，从而不利地使剥离剂的性能变差。 (专利文献1)韩国专利申请公布号10-2006-0117666
技术实现思路
因此，考虑到相关技术中遇到的问题作出了本专利技术，并且本专利技术的一个目的是提 供一种抗蚀剂剥离剂组合物，该抗蚀剂剥离剂组合物在抗蚀剂剥离过程中可表现出对包括 A1、化等的金属线突出的耐腐蚀性，并且还具有高的抗蚀剂去除性能。 本专利技术的另一个目的是提供一种抗蚀剂剥离剂组合物，该抗蚀剂剥离剂组合物能 够处理大量基板，并且在冲洗过程中具有优异的冲洗能力。 为了实现上述目的，本专利技术提供一种抗蚀剂剥离剂组合物，包含：(A)N-乙基甲酯 胺；和度）由下面化学式1表示的胺化合物：[001引[化学式^[001引在化学式1中，R郝Rz各自独立地为Cl~巧烷基、Cl~巧径烷基或Cl~巧氨 烷基，并且Ri和R 2能连接W形成进一步含有N或0的环。 根据本专利技术，抗蚀剂剥离剂组合物在去除抗蚀剂时非常有效，从而有利于去除抗 蚀剂残留物。此外，包含A1和/或化的金属线在剥离过程中不被破坏，并且腐蚀能被最小 化。并且，能处理大量基板，从而显著有助于降低成本。【具体实施方式】 在下文中，将给出本专利技术的详细描述。[001引本专利技术设及一种抗蚀剂剥离剂组合物，包含：(A)N-乙基甲酯胺；和度）由下面化 学式1表示的胺化合物：[001引[化学式^ 在化学式1中，Ri和Rz各自独立地为C1~巧烷基、C1~巧径烷基或C1~巧氨 烷基，并且Ri和R 2能连接W形成进一步含有N或0的环。 下面是各个成分的描述。[002引 （A)N-乙基甲酯胺 根据本专利技术，抗蚀剂剥离剂组合物包含N-乙基甲酯胺（A)。N-乙基甲酯胺的功能 是溶解由化学式1表示的胺化合物度）凝胶化的抗蚀剂聚合物。而且，N-乙基甲酯胺是水 溶性的，有利于在冲洗过程中使用去离子水值IW)去除抗蚀剂剥离剂，并且使剥离剂和已 溶解的抗蚀剂的再吸附和再附着最小化。N-乙基甲酯胺能够溶解过量的抗蚀剂，从而提高 能处理的基板数。此外，N-乙基甲酯胺具有200°C或更高的沸点，其特征在于挥发度低，因 而在长期处理中减少剥离剂的损失，从而产生经济效益。[002引在N-乙基甲酯胺（A)与除根据本专利技术的由化学式1表示的胺化合物做之外的 胺化合物混合的情况下，抗蚀剂剥离能力可能会随时间推移而变差。然而，当N-乙基甲酯 胺（A)与根据本专利技术的由化学式1表示的胺化合物一起使用时，剥离能力不会随时间推移 而变差。即使当使用少量的运种成分时，也可W确保快速剥离能力。[002引 N-乙基甲酯胺（A)的量没有特别限制，但基于抗蚀剂剥离剂组合物的总重量，优 选设置为10~99. 9wt %，并更优选为50~99wt %。如果其量少于lOwt %，则抗蚀剂溶解 度可能会降低，使得难W提高能处理的基板数。相反，如果其量超过99. 9wt %，则其它成分 的相对含量可能会降低，使得不能保证剥离性能。 度）由化学式1表示的胺化合物 根据本专利技术，抗蚀剂剥离剂组合物包括由下面化学式1表示的胺化合物度）。 在化学式1中，Ri和Rz各自独立地为C1~巧烷基、C1~巧径烷基或C1~巧氨 烷基，并且Ri和R 2能连接W形成进一步含有N或0的环。[003引由化学式1表示的胺化合物做可W很容易地渗入抗蚀剂的聚合物基体中，该聚 合物基体在干蚀刻、湿蚀刻、灰化或离子注入的工艺条件下降解或交联，从而破坏分子内键 或分子间键。另外，残留在基板上的抗蚀剂的结构上弱的部分中形成空位（empty space)， 由此抗蚀剂可被转变成无定形聚合物凝胶块，因而可被容易地去除掉。[003引与当仅使用伯胺化合物时相比，当由化学式1表示的胺化合物做与N-乙基甲酯 胺（A) -起使用时，剥离能力没有降低。因此，可W提供具有高剥离能力的抗蚀剂剥离剂。 由化学式1表示的胺化合物的具体实例可W包括，但不限于：选自N，N-二甲胺、 N，N-二乙胺、N，N-二丙胺、二亚乙基Ξ胺、2-(径甲基）氨基乙醇、2-(甲氨基）乙醇、2-(乙 氨基）乙醇、N，N-二乙醇胺、赃晚、赃嗦、N-(2-氨乙基）甲醇胺、N-(2-氨乙基）乙醇胺、 N-(2-氨乙基）丙醇胺、N-(2-氨乙基）下醇胺和N-(3-氨丙基）乙醇胺中的至少一种。 基于抗蚀剂剥离剂组合物的总重量，由化学式1表示的胺化合物度）的使用量优 选为0. 1~lOwt %，更优选为0.3~5wt %。如果由化学式1表示的胺化合物的量低于 0.1 wt %，则抗蚀剂剥离剂的剥离能力可能会降低，使得难W确保快速剥离性能。相反，如果 其量超过lOwt%，则金属线可能会被腐蚀。 根据本专利技术，除上面的成分之外，抗蚀剂剥离剂组合物还可W包含选自（C)腐蚀 抑制剂、（D)极性溶剂和巧）去离子水中的至少一种。 将腐蚀抑制剂似添加到抗蚀剂剥离剂组合物，因此可W增强防止包括A1和/或 化的金属线腐蚀的能力。而且，在冲洗过程中防止抗蚀剂残留物的再吸附，从而提高冲洗能 力。虽然腐蚀抑制剂没有特别限制，但优选有用的是由下面化学式2表示的叔胺腐蚀抑制 剂：[003引[化学式引 在化学式2中，R3~R5各自独立地为径基、C1~巧烷基或C1~巧径烷基。 在化学式2中，R3~Rs中的至少一个优选为径基或径烷基。运样，抗蚀剂剥离剂 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种抗蚀剂剥离剂组合物，包含：(A)N‑乙基甲酰胺；和(B)由下面化学式1表示的胺化合物：在化学式1中，R1和R2各自独立地为C1～C5烷基、C1～C5羟烷基或C1～C5氨烷基，并且R1和R2能连接以形成进一步含有N或O的环。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：金正铉，金圣植，李喻珍，
申请(专利权)人：东友精细化工有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR