【技术实现步骤摘要】
本申请为分案申请,其原申请是于2013年6月21日(国际申请日为2011年9月30日)向中国专利局提交的专利申请,申请号为201180062116.2,专利技术名称为“晶体管器件、电子设备以及形成晶体管器件的方法”。相关申请本申请是2010年12月21日提交的美国申请No.12/975278的部分继续申请。
本专利技术涉及一种晶体管器件、电子设备以及形成晶体管器件的方法。
技术介绍
包括形成于半导体衬底上的晶体管、二极管、电阻器、电容器及其他无源和有源电子器件的电路器件的提高的性能,通常是在这些器件的设计、制造和操作过程中考虑的主要因素。例如,在金属氧化物半导体(MOS)晶体管半导体器件(例如在互补金属氧化物半导体(CMOS)中所使用的那些)的设计和制造或形成的过程中,常常希望使得与接触部相关的寄生电阻(或者称为外电阻Rext)最小化。减小的Rext能够由相等的晶体管设计实现较高的电流。
技术实现思路
根据本专利技术的一个方面,提供了一种晶体管器件,包括:具有沟道区的衬底;与所述沟道区相邻的源极区和漏极区;以及在所述源极区和所述漏极区的至少一部分上的硼掺杂锗层,该硼掺杂锗层具有超过90原子%的锗浓度和超过1E20cm-3的硼浓度。根据本专利技术的另一方面,提供了一种晶体管器件,包括:具有沟道区的衬底;在所述沟道区上方的栅极电极,其中,在所述栅极电极与所述沟道区之间 ...
【技术保护点】
一种晶体管器件,包括:具有沟道区的衬底;与所述沟道区相邻的源极区和漏极区;以及在所述源极区和所述漏极区的至少一部分上的硼掺杂锗层,所述硼掺杂锗层具有超过90原子%的锗浓度和超过1E20cm‑3的硼浓度。
【技术特征摘要】
2010.12.21 US 12/975,2781.一种晶体管器件,包括:
具有沟道区的衬底;
与所述沟道区相邻的源极区和漏极区;以及
在所述源极区和所述漏极区的至少一部分上的硼掺杂锗层,所述硼掺
杂锗层具有超过90原子%的锗浓度和超过1E20cm-3的硼浓度。
2.根据权利要求1所述的器件,其中,所述器件是平面晶体管或FinFET
晶体管中的一种。
3.根据权利要求1所述的器件,其中,所述器件包括PMOS晶体管。
4.根据权利要求1所述的器件,进一步包括以下的至少一个:
位于所述沟道区上方的栅极电极,其中,在所述栅极电极与所述沟道
区之间提供了栅极电介质层;
在所述硼掺杂锗层上的第一金属-锗化物接触部和第二金属-锗化物接
触部,所述第一金属-锗化物接触部和所述第二金属-锗化物接触部分别位于
所述源极区和所述漏极区中的对应的一个之上;以及
层间电介质。
5.根据权利要求1所述的器件,进一步包括以下的至少一个:
在所述衬底与所述源极区和所述漏极区之间的分级的缓冲部;以及
在所述源极区和所述漏极区中的至少一个与所述硼掺杂锗层之间的分
级的缓冲部。
6.根据权利要求5所述的器件,其中,在所述源极区和所述漏极区中
的至少一个与所述硼掺杂锗层之间的分级的缓冲部的锗浓度被分级为从与
所述源极区和所述漏极区相容的基准级别浓度到超过95原子%的高浓度。
7.根据权利要求6所述的器件,其中所述高浓度反映纯锗。
8.根据权利要求5所述的器件,其中,在所述源极区和所述漏极区中
的至少一个与所述硼掺杂锗层之间的分级的缓冲部的硼浓度被分级为从与
所述源极区和所述漏极区相容的基准级别浓度到超过1E20cm-3的高浓度。
9.根据权利要求1所述的器件,其中,所述硼掺杂锗层具有锗和硼中
的至少一个的分级的浓度。
10.根据权利要求9所述的器件,其中,所述硼掺杂锗层的锗浓度被
分级为从与所述衬底相容的基准级别浓度到超过90原子%的高浓度。
11.根据权利要求9所述的器件,其中,所述硼掺杂锗层的硼浓度被
分级为从与所述衬底相容的基准级别浓度到超过1E20cm-3的高浓度。
12.根据权利要求1所述的器件,其中,所述源极区和所述漏极区包
括硅或硅锗,并且所述器件进一步包括在所述源极区和所述漏极区与所述
硼掺杂锗层之间的缓冲部,所述缓冲部的锗浓度被分级为从与所述源极区
和所述漏极区相容的基准级别浓度到超过50原...
【专利技术属性】
技术研发人员:G·A·格拉斯,A·S·默西,T·加尼,
申请(专利权)人:英特尔公司,
类型:发明
国别省市:美国;US
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