【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种沟槽型MOS器件中沟槽底部形成屏蔽膜层的方法，其特征在于，包括如下步骤：第1步，外延层上刻蚀形成有沟槽，采用热氧化生长工艺在所述沟槽的底部表面和侧壁表面形成第一氧化层；第2步，在所述第一氧化层的表面形成氮化层；第3步，采用多晶硅淀积工艺在所述氮化层的表面形成多晶硅层，所述多晶硅层将形成有第一氧化层、氮化层的沟槽完全填充；第4步，对所述多晶硅层进行第一次回刻至所述多晶硅层的表面与所述外延层的硅表面齐平；第5步，对沟槽内的多晶硅进行第二次回刻；第6步，将沟槽内残留的多晶硅全部氧化形成第二氧化层；第7步，刻蚀去除沟槽侧壁露出的氮化层以及硅表面的氮化层，沟槽侧壁露出的第一氧化层形成栅氧化层，沟槽底部的第一氧化层、氮化层和第二氧化层共同形成屏蔽膜层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈正嵘，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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