发光二极管封装结构及其制造方法技术

本发明专利技术揭露了一种发光二极管封装结构，包括基板、形成于基板上的电极、固定于基板上并与电极电性连接的发光二极管芯片、形成于基板上的反射杯以及覆盖发光二极管芯片于基板上的封装层，所述反射杯的侧部形成有一开口，所述封装层的顶面上形成有反射层，以使发光二极管发出的部分光线经由反射杯和/或反射层反射而从反射杯侧部的开口处射出。本发明专利技术还涉及一种发光二极管封装结构的制造方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体封装结构及其制造方法，尤其涉及一种发光二极管封装结构及其制造方法。
技术介绍
相比于传统的发光源，发光二极管(LightEmittingDiode，LED)具有重量轻、体积小、污染低、寿命长等优点，其作为一种新型的发光源，已经被越来越广泛地应用。现有的照明装置或显示装置对侧向出光光源的需求愈来愈多，然而现有的侧向出光光源通常采用将原有的结构的发光二极管芯片装设在装置本体的侧面以向侧向出射光线，或通过在发光二极管芯片出射光线的范围内增加反射结构，从而得到侧向出射的光线。然而以上两种方式中，前者需要改变发光二极管芯片的安装位置，从而需要对照明装置内部的电路连接和空间位置排布进行重新设计，后者需要通过额外增设反射结构来达到，这两种方式均需要对照明装置内部的结构进行调整，使整体结构复杂、工作量较大，且不利于批量生产。
技术实现思路
有鉴于此，有必要提供一种结构简单、且适用于批量生产的侧向出光的发光二极管封装结构及其制造方法。本专利技术发光二极管封装结构制造方法包括以下步骤：提供一基板，基板上开设若干通孔，并在通孔中填充金属材料以形成电极，该若干通孔包括一组或两组以上，每组通孔至少包括四个通孔，该四个通孔相邻两个之间形成第一间隔区，各组通孔组与组之间形成第二间隔区，第一间隔区的宽度小于第二间隔区的宽度；在基板上形成反射杯；将若干发光二极管芯片装设于反射杯内并与基板的电极电性连接；在反射杯内形成封装层；在封装层的上部铺设反射层；及切割基板使每一反射杯分割成具有相对开口的两部分。本专利技术的发光二极管封装结构是将在一个反射杯中设置多个发光二极管芯片，并在封装层的顶面设置反射层，通过将反射杯从中间切割成为两个半边。从而在发光二极管芯片侧部的切口处形成可使光线出射的开口，得到可从侧面出光的发光二极管封装结构。该制造方法不需要增加其他的设计和操作设备，与制造一般正面出光的发光二极管封装结构所需要的步骤和操作相差不多，因此比其他制造侧向出光的发光二极管封装结构简便，适用于批量生产，由此可节省成本、提高效益。下面参照附图，结合具体实施方式对本专利技术作进一步的描述。附图说明图1为本专利技术第一实施方式的发光二极管封装结构的剖面示意图。图2为图1中的发光二极管封装结构的俯视示意图。图3为本专利技术第二实施方式的发光二极管封装结构的剖面示意图。图4至图7为本专利技术一实施方式的发光二极管封装结构的制造过程中各步骤所得的发光二极管封装结构的剖面示意图。图8为本专利技术一实施方式的发光二极管封装结构的制造方法流程图。主要元件符号说明发光二极管封装结构100基板10、10a、10b第一侧边11第二侧边12第三侧边13第四侧边14通孔15a、15b第一间隔区16第二间隔区17电极20第一电极21第二电极22绝缘层23反射面24发光二极管芯片30反射杯40、40a开口41封装层50反射层60如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本专利技术。具体实施方式请参见图1，本专利技术实施方式提供的发光二极管封装结构100，其包括基板10、在基板10上间隔设置的两电极20、固定于第一基板10上并与电极20电性连接的发光二极管芯片30、位于发光二极管芯片30侧部的反射杯40、覆盖发光二极管芯片30的封装层50及一反射层60。所述基板10大致呈矩形平板状，其包括四个侧边，第一侧边11、第二侧边12、第三侧边13和第四侧边14，其中第一侧边11和第三侧边13相对，第二侧边12和第四侧边14相对。所述反射杯40沿该基板10的第一侧边11、第二侧边12和第三侧边13形成于基板10上，从而在基板10的第四侧边处形成一开口41，以供光线从该发光二极管封装结构100的侧面射出。也就是说，在原有的环绕发光二极管芯片30四周的反射杯40上开设一个开口41，从而使光线能够从该开口41处射出。在其他实施方式中，所述基板10还可以为圆形、椭圆等其他形状，则所述开口41即形成于环绕该基板10的反射杯40于发光二极管芯片30的一个侧部。所述封装层50填充于该反射杯40中，并在反射杯40的开口41处与基板10的第四侧边平齐。该封装层50的顶面与反射杯40的顶面共面。所述反射层60平铺于封装层50的顶面，并与发光二极管芯片30正对，以将自发光二极管芯片30发出并射向反射层60的光线进行反射。所述发光二极管芯片30发出的所有光线一部分射向反射杯40，并经过反射杯40反射从而向基板10的第四侧边14处的开口41射出；另一部分光线射向反射层60，并经过反射层60反射从而向基板10的第四侧边14处的开口41射出。进一步的，所述电极20包括相互间隔设置的第一电极21和第二电极22，将第一电极21和第二电极22分隔的基板10形成为绝缘层23。该第一电极21和第二电极22露出于基板10的上表面，且第一电极21和第二电极22占据基板10的上表面较大的面积，亦即，第一电极21和第二电极22的露出于基板10上表面的面积远大于绝缘层23的宽度。由于第一电极21和第二电极22均为金属材料制成，因此两电极20露出于基板10的上表面形成反射面24。经发光二极管芯片30发出的光线经由反射杯40和/或反射层60的反射后，一部分直接射向反射杯40的开口41处，并自该开口41射出发光二极管封装结构100以外；另一部分光线射向基板10。将第一电极21和第二电极22的上表面尽可能做的较大，从而使射向基板10的光线尽可能多的射在第一电极21和第二电极22形成的反射面24上，最终自开口41出射到发光二极管封装结构100以外，从而避免基板10吸收此部分光线，造成光线的损失。本专利技术实施方式提供的发光二极管封装结构100将发光二极管光源反射杯40的一个侧部开设一个开口41，将发光二极管封装结构100除开口41外的其他区域封闭，并进一步的在除开口41外的光线可以照射到的其他表面，即反射杯40、反射层60和基板10的上表面上形成可反光的面，从而使发光二极管芯片30向各个方向发出的光线经过这些反射面的反射最终从侧部的开口41处射出，从而形成侧向出光的发光二极管封装结构100。此结构简单，电极20的设置位置及连接方式与一般发光二极管结构无太大差异，以使本实施方式的发光二极管封装结构100连接固定于电路结构和其他发光模组中时<本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管封装结构制造方法，包括以下步骤：提供一基板，基板上开设若干通孔，并在通孔中填充金属材料以形成电极，该若干通孔包括一组或两组以上，每组通孔至少包括四个通孔，该四个通孔相邻两个之间形成第一间隔区，各组通孔组与组之间形成第二间隔区，第一间隔区的宽度小于第二间隔区的宽度；在基板上形成反射杯；将若干发光二极管芯片装设于反射杯内并与基板的电极电性连接；在反射杯内形成封装层；在封装层的上部铺设反射层；及切割基板使每一反射杯分割成具有相对开口的两部分。

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管封装结构制造方法，包括以下步骤：
提供一基板，基板上开设若干通孔，并在通孔中填充金属材料以形成电
极，该若干通孔包括一组或两组以上，每组通孔至少包括四个通孔，该四个
通孔相邻两个之间形成第一间隔区，各组通孔组与组之间形成第二间隔区，
第一间隔区的宽度小于第二间隔区的宽度；
在基板上形成反射杯；
将若干发光二极管芯片装设于反射杯内并与基板的电极电性连接；
在反射杯内形成封装层；

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：九尊城网络科技深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44