【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种太阳能电池,具体地说是一种背接触式异质结太阳能电池。
技术介绍
现有的异质结(hetero-junctionwithintrinsicthin-layer,HIT)太阳能电池的制作过程大致如下:利用PECVD在表面织构化后的N型CZ-Si片的正面沉积很薄的本征α-Si:H层和p型α-Si:H层,然后在硅片的背面沉积薄的本征α-Si:H层和n型α-Si:H层;利用溅射技术在电池的两面沉积透明氧化物导电薄膜(TCO),用丝网印刷的方法在TCO上制作Ag电极。申请号为CN201110155025.5的专利公开了一种背接触异质结太阳能电池,在下表面的透明导电薄膜TCO上丝网印刷上腐蚀性浆料,腐蚀掉印刷区域的透明导电薄膜TCO、N型非晶硅薄膜和本征非晶硅薄膜层,露出直径为1mm~25mm的圆形N型晶体硅表面,未腐蚀区域的HIT结构被保存下来。最后用去离子水超声清洗干净后,烘干。再用激光打孔技术,将硅片上下表面打通,孔位于硅片下表面被腐蚀区中心,孔径为0.5mm~20mm,丝网印刷银浆,烘干后,在硅片的上下表面分别丝网印刷导电浆料,经低温烧结分别制成贯穿型背电极和背电极,从而将电池正面电极引到电池背面。这种方式需要在电池上打孔,而且打孔过程中易造成电池短路;再者,贯穿型背电极周围也不容易加绝缘层。该专利的太阳能电池的封装要求精度还较高,在将电池封装到背板上时,如果封装胶涂的稍微大点,就有可能将贯穿型背电极与背电极接通,造成短路 ...
【技术保护点】
背接触式异质结太阳能电池,包括由上到下依次叠层的ITO导电膜、掺杂非晶硅薄膜、P型非晶硅薄膜、N型硅片基板、N型非晶硅层薄膜、掺杂非晶硅薄膜和ITO导电膜,上层的ITO导电膜上表面印刷有正导电栅线,下层的ITO导电膜下表面印刷有背导电栅线,背导电栅线上印刷有封装点,其特征在于:所述的太阳能电池的两侧涂有绝缘涂层,绝缘涂层外有导电胶层,导电胶层与正导电栅线相接触,导电胶层与背导电栅线之间有绝缘槽隔离。
【技术特征摘要】
1.背接触式异质结太阳能电池,包括由上到下依次叠层的ITO导电膜、掺杂非晶硅薄膜、
P型非晶硅薄膜、N型硅片基板、N型非晶硅层薄膜、掺杂非晶硅薄膜和ITO导电膜,上
层的ITO导电膜上表面印刷有正导电栅线,下层的ITO导电膜下表面印刷有背导电栅线,
背导电栅线上印刷...
【专利技术属性】
技术研发人员:孙嵩泉,王杨阳,孙友巍,葛怀庆,马磊,李晨,彭为报,
申请(专利权)人:普乐新能源蚌埠有限公司,
类型:新型
国别省市:安徽;34
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