背接触式异质结太阳能电池制造技术

技术编号:13445202 阅读:33 留言:0更新日期:2016-08-01 01:09
背接触式异质结太阳能电池,包括由上到下依次叠层的ITO导电膜、掺杂非晶硅薄膜、P型非晶硅薄膜、N型硅片基板、N型非晶硅层薄膜、掺杂非晶硅薄膜和ITO导电膜,上层的ITO导电膜上表面印刷有正导电栅线,下层的ITO导电膜下表面印刷有背导电栅线,背导电栅线上印刷有封装点,所述的太阳能电池的两侧涂有绝缘涂层,绝缘涂层外有导电胶层,导电胶层与正导电栅线相接触,导电胶层与背导电栅线之间有绝缘槽隔离。本电池在电池周围涂导电胶层,将电池正面电极引到背面,制作工艺简单,而且不会因打孔造成短路,而且由于正面电极只在两侧通过导电胶层引出,在封装时,背面电极与正面电极接触的几率很低,即封装时不易短路。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种太阳能电池,具体地说是一种背接触式异质结太阳能电池。
技术介绍
现有的异质结(hetero-junctionwithintrinsicthin-layer,HIT)太阳能电池的制作过程大致如下:利用PECVD在表面织构化后的N型CZ-Si片的正面沉积很薄的本征α-Si:H层和p型α-Si:H层,然后在硅片的背面沉积薄的本征α-Si:H层和n型α-Si:H层;利用溅射技术在电池的两面沉积透明氧化物导电薄膜(TCO),用丝网印刷的方法在TCO上制作Ag电极。申请号为CN201110155025.5的专利公开了一种背接触异质结太阳能电池,在下表面的透明导电薄膜TCO上丝网印刷上腐蚀性浆料,腐蚀掉印刷区域的透明导电薄膜TCO、N型非晶硅薄膜和本征非晶硅薄膜层,露出直径为1mm~25mm的圆形N型晶体硅表面,未腐蚀区域的HIT结构被保存下来。最后用去离子水超声清洗干净后,烘干。再用激光打孔技术,将硅片上下表面打通,孔位于硅片下表面被腐蚀区中心,孔径为0.5mm~20mm,丝网印刷银浆,烘干后,在硅片的上下表面分别丝网印刷导电浆料,经低温烧结分别制成贯穿型背电极和背电极,从而将电池正面电极引到电池背面。这种方式需要在电池上打孔,而且打孔过程中易造成电池短路;再者,贯穿型背电极周围也不容易加绝缘层。该专利的太阳能电池的封装要求精度还较高,在将电池封装到背板上时,如果封装胶涂的稍微大点,就有可能将贯穿型背电极与背电极接通,造成短路
技术实现思路
为了解决现有技术存在的问题,本技术提供一种背接触式异质结太阳能电池,该太阳能电池无需打孔,而是在电池两侧涂导电胶层,从而将电池正面电极引到背面;而且,通过在背面作出绝缘槽,将导电胶层与背面电极(背导电栅线)隔离,防止接触短路。本技术采用如下技术方案:背接触式异质结太阳能电池,包括由上到下依次叠层的ITO导电膜、掺杂非晶硅薄膜、P型非晶硅薄膜、N型硅片基板、N型非晶硅层薄膜、掺杂非晶硅薄膜和ITO导电膜,上层的ITO导电膜上表面印刷有正导电栅线,下层的ITO导电膜下表面印刷有背导电栅线,背导电栅线上印刷有封装点,所述的太阳能电池的两侧涂有绝缘涂层,绝缘涂层外有导电胶层,导电胶层与正导电栅线相接触,背导电栅线与导电胶层之间有绝缘槽隔离。本技术的背接触式异质结太阳能电池无需打孔,而是在电池周围涂导电胶层,从而将电池正面电极引到背面,而且使先在太阳能电池两侧涂一层绝缘层,再在绝缘层外涂导电胶层,制作工艺简单,而且不会因打孔造成短路。通过激光在背面作出绝缘槽,将导电胶层与背面电极(背导电栅线)隔离,防止接触短路。而且由于正面电极只在两侧通过导电胶层引出,在封装时,背面电极与正面电极接触的几率很低,即封装时不易短路。附图说明图1是本技术背接触式异质结太阳能电池的结构示意图。图2是本技术一实施例中正面电极的示意图。图3是本技术一实施例中背面电极的示意图。具体实施方式下面结合附图对本技术的实施例作具体描述:背接触式异质结太阳能电池,如图1~图3所示,包括由上到下依次叠层的ITO导电膜1、掺杂非晶硅薄膜2、P型非晶硅薄膜3、N型硅片基板4、N型非晶硅层薄膜3、掺杂非晶硅薄膜2和ITO导电膜1,上层的ITO导电膜1上表面印刷有正导电栅线5a作为正面电极,下层的ITO导电膜1下表面印刷有背导电栅线5b作为背面电极,所述的正导电栅线5a和背导电栅线5b都是采用丝网印刷工艺印制的细银线,背导电栅线5b上印刷有封装点9,封装点9材料也是银,封装点9用于后续封装时与封装背板上的封装点对应。所述的太阳能电池的两侧涂有绝缘涂层6,绝缘涂层6外有导电胶层7,导电胶层7与正导电栅线5a相接触,导电胶层7与背导电栅线5b之间有绝缘槽8隔离,所述的绝缘槽8是采用激光工艺在背导电栅线5b上蚀刻而成。本实施例的电池正面电极如图2所示,背面电极如图3所示,但都不局限于此图形。本文档来自技高网
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【技术保护点】
背接触式异质结太阳能电池,包括由上到下依次叠层的ITO导电膜、掺杂非晶硅薄膜、P型非晶硅薄膜、N型硅片基板、N型非晶硅层薄膜、掺杂非晶硅薄膜和ITO导电膜,上层的ITO导电膜上表面印刷有正导电栅线,下层的ITO导电膜下表面印刷有背导电栅线,背导电栅线上印刷有封装点,其特征在于:所述的太阳能电池的两侧涂有绝缘涂层,绝缘涂层外有导电胶层,导电胶层与正导电栅线相接触,导电胶层与背导电栅线之间有绝缘槽隔离。

【技术特征摘要】
1.背接触式异质结太阳能电池,包括由上到下依次叠层的ITO导电膜、掺杂非晶硅薄膜、
P型非晶硅薄膜、N型硅片基板、N型非晶硅层薄膜、掺杂非晶硅薄膜和ITO导电膜,上
层的ITO导电膜上表面印刷有正导电栅线,下层的ITO导电膜下表面印刷有背导电栅线,
背导电栅线上印刷...

【专利技术属性】
技术研发人员:孙嵩泉王杨阳孙友巍葛怀庆马磊李晨彭为报
申请(专利权)人:普乐新能源蚌埠有限公司
类型:新型
国别省市:安徽;34

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