【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种衬底结构，具体为一种LED蓝宝石片衬底结构，属于LED照明领域。
技术介绍
LED是一种半导体发光器件，现如今被广泛的用做指示灯、显示屏等，它具有光效高、无辐射、寿命长、低功耗和环保等优点。LED灯的制造需要一种衬底材料，通常做为衬底材料的有硅、碳化硅和砷化镓等，但是这些材料价格太高，而且晶体质量和机械加工性能比较差，不能够实现量产化生产。为解决上述问题，因此我们提出一种LED蓝宝石片衬底结构。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是克服现有技术的缺陷，提供一种LED蓝宝石片衬底结构。为了解决上述技术问题，本技术提供了如下的技术方案：本技术一种LED蓝宝石片衬底结构，包括金属底座和蓝宝石片，所述蓝宝石片通过粘接涂层固定在金属底座上，所述蓝宝石片上设有N型GaN层，所述N型GaN层上表面右侧有N型电极，所述N型电极通过焊点固定在N型GaN层上，所述N型电极的左侧有量子阱，所述量子阱固定在N型GaN层上，所述量子阱上表面设有P型GaN层，所述P型GaN层上设有电流扩展层,所述电流扩展层上靠左侧设有P型电极。进一步的，所述量子阱采用GaN材质。进一步的，所述电流扩展层为金属化混合材质。本技术所达到的有益效果是：通过将蓝宝石经过加工制成蓝宝石片，由于加工工艺成本较低，因此交个较为低廉，蓝宝石的稳定性很好，较好能够运用在高温生长过程中，蓝宝石的机械强度高，易于处理和清洗。附图说明附图用来提供对本技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本技术的实施例一起...
【技术保护点】
一种LED蓝宝石片衬底结构，包括金属底座（1）和蓝宝石片（3），所述蓝宝石片（3）通过粘接涂层（2）固定在金属底座（1）上，其特征在于，所述蓝宝石片（3）上设有N型GaN层（5），所述N型GaN层（5）上表面右侧有N型电极（7），所述N型电极（7）通过焊点（6）固定在N型GaN层（5）上，所述N型电极（7）的左侧有量子阱（4），所述量子阱（4）固定在N型GaN层（5）上，所述量子阱（4）上表面设有P型GaN层（8），所述P型GaN层（8）上设有电流扩展层（9）,所述电流扩展层（9）上靠左侧设有P型电极（10）。
【技术特征摘要】
1.一种LED蓝宝石片衬底结构，包括金属底座（1）和蓝宝石片（3），所述蓝宝石片（3）通过粘接涂层（2）固定在金属底座（1）上，其特征在于，所述蓝宝石片（3）上设有N型GaN层（5），所述N型GaN层（5）上表面右侧有N型电极（7），所述N型电极（7）通过焊点（6）固定在N型GaN层（5）上，所述N型电极（7）的左侧有量子阱（4），所述量子阱（4）固定在N型GaN层（5）...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈铭欣，林木榕，林永腾，
申请(专利权)人：福建晶安光电有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35
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