发光二极管封装结构制造技术

一种发光二极管封装结构，包括基板、设置在基板一侧表面的发光二极管、一第一电极和一第二电极，所述基板包括一上表面、与上表面相对的下表面，以及与上表面边缘和下表面边缘连接的第一侧面和第二侧面，所述发光二极管设置在基板的上表面，所述基板的下表面设置有微结构用于提高基板的出光量。

【技术实现步骤摘要】


本专利技术涉及一种发光装置，特别涉及一种发光二极管封装结构。

技术介绍

LED作为一种高效光源,具有环保、省电、寿命长等诸多特点已经被广泛应用到各种领域。
传统的LED封装体将LED芯片结构固定在封装基板上，然后在LED周缘形成反射杯并在反射杯内填充封装材料及荧光粉来调节LED出光光效。LED芯片产生的光线经封装材料和荧光粉后自反射杯顶部出射。然而大多数LED封装体仅有一面出光，其余面的光线均被封装材料吸收及基板的阻挡而降低了LED封装体的光取出效率。

技术实现思路

有鉴于此，有必要提供一种光取出效率高的发光二极管封装结构。
一种发光二极管封装结构，包括基板、设置在基板一侧表面的发光二极管、一第一电极和一第二电极，所述基板包括一上表面、与上表面相对的下表面，以及与上表面边缘和下表面边缘连接的第一侧面和第二侧面，所述发光二极管设置在基板的上表面，所述基板的下表面设置有微结构用于提高基板的出光量。
发光二极管底部出射的光线进入基板，入射至下表面102的光线通过形成在下表面上的微结构后出射，所述微结构对光线的多次反射、折射作用从而增加了光线自基板的下表面出光率，增加了基板下表面的出光量，同时增加了发光二极管封装结构的出光效率。
附图说明
图1是本专利技术第一实施例的发光二极管封装结构的立体图。
图2为图1所述发光二极管封装结构的沿II-II方向的剖视图。
图3为本专利技术第二实施例所述发光二极管封装结构的剖视图。
图4为本专利技术第三实施例所述发光二极管封装结构的剖视图。
图5为本专利技术第四实施例所述发光二极管封装结构的剖视图。
主要元件符号说明
发光二极管封装结构100、100a、100b、100c基板10上表面101下表面102第一侧面103第二侧面104发光二极管20第一电极21第二电极22荧光粉层30微结构110、110a凸起112间隙111凹槽113阻挡部114如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本专利技术。
具体实施方式
第一实施例
如图1所示，本专利技术第一实施例所示的发光二极管封装结构100包括一基板10，设置在基板10一侧表面的发光二极管（LED）20，以及一第一电极21和第二电极22。
所述基板10为可透光的透明长方体材料，由如玻璃，蓝宝石等材料制成。在本实施例中所述基板采用如下尺寸：长：30毫米；宽：0.8毫米；高0.4毫米。
所述基板10包括一上表面101、一与上表面101相对的下表面102、与上表面101边缘、下表面102边缘连接的的第一侧面103和第二侧面104。所述第一侧面103和第二侧面104相对且平行。
请同时参图2，所述基板10的下表面102上形成有微结构110。所述的微结构110自下表面102垂直向外凸伸的而成。在本实施例中，所述微结构110包括自基板10的下表面102垂直向外凸伸的多个间隔的凸起112。相邻的凸起112之间形成间隙111。在本实施例中，所述凸起112的纵截面大致呈正方形，且这些凸起112的顶面平行共面，所述凸起112均匀的分布于所述基板10的下表面102，可以理解的，所述凸起112的横截面为类似球状、半球状、梯形等其他形状，且所述凸起随机的分布于基板10的下表面102。
在本实施例中，形成所述微结构110的方式为干蚀刻、湿蚀刻、雷射加工、研磨、喷砂等方式。
所述第一电极21和第二电极22分别固定在基板10的上表面101的两端部且与发光二极管20间隔。
所述发光二极管20固定在基板10的上表面101上且位于第一电极21与第二电极22之间。当所述发光二极管20为单个时，所述多个发光二极管20的N电极和P电极直接与基板10的第一电极21和第二电极22电连接。当所述发光二极管20的数量为多个时候，所述发光二极管20之间通过串行连接后其引出的两端分别与第一电极21和第二电极22电连接。
在本实施例中，所述发光二极管20发出的光线部分直接自基板10的上表面101之上射出，另外一部分光线穿过基板10的下表面102的光线经微结构110进行多次反射、折射后出射。所述微结构110对光线进行多次反射、折射作用而增加光线自基板10的下表面102出光量。减少了基板10对光线的阻挡、吸收以及下表面102对光线的全反射，从而增加了发光二极管封装结构100的出光效率。
第二实施例
如图3所示，本专利技术第二实施例所述发光二极管封装结构100a与第一实施例所述发光二极管封装结构100相似，其不同点在于：所述基板10的第一侧面103和第二侧面104上均形成有微结构110。
在本实施例中，自所述发光二极管20底部出射的光线进入基板10后，所述下表面102、第一侧面103和第二侧面104上微结构110的反射和折射作用后增加了自第一侧面103、第二侧面104的出光量，使得基板10多面出光，提高了发光二极管封装结构100a的出光量和实用性。
第三实施例
如图4所示，本专利技术第三实施例所述发光二极管封装结构100b与第二实施例所述发光二极管封装结构100a相似，其不同点在于：所述微结构110a包括自基板10的下表面102朝向上表面101内凹形成的多个间隔设置的凹槽113，相邻的凹槽113之间形成阻挡部114。所述凹陷113的横截面大致呈U形。
第四实施例
如图5所示，本专利技术第四实施例所述发光二极管封装结构100c与第二实施例所述发光二极管封装结构100a或第三实施例所述发光二极管封装结构100b相似，其不同之处在于：所述发光二极管封装结构100c还包括一荧光粉层30，所述荧光粉层30形成在基板10的上表面101上覆盖所述发光二极管20，以及形成于基板10的下表面102、第一侧面103和第二侧面104上包覆所述微结构110（110a）。在本实施例中，所述荧光粉层30包括黄色荧光粉，所述发光二极管20包括蓝光芯片。
可以理解的，在其他实施例中，所述荧光粉层30可以根据需要仅仅设置在基板10的上表面101上而包裹所述发光二极管20，也可以仅仅设置在基板10的下表面102或者第一侧面和第二侧面104而包裹所述微结构110（110a）。
本实施例中，所述发光二极管20产生的蓝光出射后激发所述荧光粉层30而产生黄光，所述激发产生的黄光与未激发的蓝光混合而产生白光出射。所述荧光粉层30进一步调节发光二极管封装结构100的出光颜色，通过改变所述荧光层30的形状可进一步改善发光二极管20的出光均匀度和色温。
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【技术保护点】
一种发光二极管封装结构，包括基板、设置在基板一侧表面的发光二极管、一第一电极和一第二电极，所述基板包括一上表面、与上表面相对的下表面，以及与上表面边缘和下表面边缘连接的第一侧面和第二侧面，其特征在于：所述发光二极管设置在基板的上表面，所述基板的下表面设置有微结构用于提高基板的出光量。

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管封装结构，包括基板、设置在基板一侧表面的发光二极管、一第一电极和一第二电极，所述基板包括一上表面、与上表面相对的下表面，以及与上表面边缘和下表面边缘连接的第一侧面和第二侧面，其特征在于：所述发光二极管设置在基板的上表面，所述基板的下表面设置有微结构用于提高基板的出光量。
2.如权利要求1所述发光二极管封装结构，其特征在于：所述基板的第一侧面和第二侧面上也形成有微结构。
3.如权利要求1所述发光二极管封装结构，其特征在于：所述微结构为自基板的下表面向外凸伸形成。
4.如权利要求3所述发光二极管封装结构，其特征在于：所述微结构包括自基板的下表面垂直向外凸伸的多个间隔的凸起，相邻...

【专利技术属性】
技术研发人员：邱镜学，林雅雯，凃博闵，黄世晟，
申请(专利权)人：展晶科技深圳有限公司，荣创能源科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44