一种垂直结构LED芯片的制备方法技术

技术编号:13426259 阅读:45 留言:0更新日期:2016-07-29 14:22
本发明专利技术提供一种垂直结构LED芯片的制备方法,包括如下制作步骤:将垂直结构LED芯片排列于蓝膜上;在垂直结构LED芯片正面覆盖一层保护薄膜;将高反胶包覆整个芯片并高温固化;去除芯片正面高反胶及保护膜;切割后得到单颗单面出光的垂直芯片。使用本发明专利技术制作的LED芯片,避免了侧面光被支撑薄膜芯片的材料吸收,使得侧面光成为有效光,提高LED芯片的出光效率。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种垂直结构LED芯片的制备方法,包括如下制作步骤:(1)将垂直结构LED芯片排列于蓝膜上;(2)在垂直结构LED芯片正面覆盖一层保护薄膜;(3)将高反胶包覆整个芯片并高温固化;(4)去除芯片正面高反胶及保护膜;(5)切割后得到单颗单面出光的垂直结构LED芯片。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:肖伟民赵汉民封波黄波吕张轲
申请(专利权)人:晶能光电江西有限公司
类型:发明
国别省市:江西;36

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