附镀敷的金属基材制造技术

本发明专利技术涉及附镀敷的金属基材。具体提供一种尽管使用含有常温下与氧的反应性较高的元素的金属基材，焊料密接性及耐候性也优异的金属基材。本发明专利技术的附镀敷的金属基材是在金属基材的一部分或全部的表面上形成了选自由Co镀层、以及含有选自由Co、Ni及Mo所组成的群中的2种以上的元素的合金镀层所组成的群中的镀层的附镀敷的金属基材，且该镀层中的Co、Ni及Mo的合计附着量为500μg/dm2以上，且金属基材含有选自由Ti、Si、Mg、P、Sn、Zn、Cr、Zr、V、W、Na、Ca、Ba、Cs、Mn、K、Ga、B、Nb、Ce、Be、Nd、Sc、Hf、Ho、Lu、Yb、Dy、Er、Pr、Y、Li、Gd、Pu、In、Fe、La、Th、Ta、U、Sm、Tb、Sr、Tm及Al所组成的群中的1种以上的元素。

【技术实现步骤摘要】
附镀敷的金属基材
本专利技术涉及一种附镀敷的金属基材。另外，本专利技术涉及一种包括附镀敷的金属基材或使用其的附载体金属箔、连接器、端子、积层板、屏蔽带、屏蔽材、印刷布线板、金属加工构件、电气电子设备、及印刷布线板的制造方法。
技术介绍
广泛应用于电气电子设备的印制电路板通常通过如下方式制造：经由粘接剂、或者不使用粘接剂，在高温高压下将金属箔粘接于合成树脂板或合成树脂膜等绝缘基材而制造覆金属积层板，其后，经过蚀刻步骤而在金属箔侧形成金属布线，由此制成印刷布线板，在印刷布线板的金属布线上通过焊接而搭载各种电子零件。以往已知有以提高金属箔的蚀刻特性而形成线宽均匀性较高的电路为目的，而在蚀刻面侧形成蚀刻速率慢于铜的金属或合金层的技术(专利文献1)。根据专利文献1，通过在蚀刻面侧形成蚀刻速率慢于铜的金属或合金层，而对铜箔的厚度方向的蚀刻速度进行控制，由此可形成没有塌边的电路宽度均匀的电路。另外，在专利文献1中揭示有如下情况：作为蚀刻速率慢于铜的金属或合金层，例示有钴、镍或这些的合金层，且其厚度可设为100～10000μg/dm2。[现有技术文献][专利文献][专利文献1]日本特开2002-176242号公报
技术实现思路
[专利技术要解决的问题]然而，在专利文献1中，虽已经考虑到制作印制电路板时的铜箔的蚀刻性，但未进行任何关于在印制电路板中搭载电子零件时所使用的焊料与金属布线的密接强度的研究。尤其是铜箔因焊料密接性优异故而不会成为问题，但在设为包含常温下与氧的反应性较高的元素的金属基材的情况下，针对无法确保焊料密接性的问题未提出任何解决方案。另外，也考虑在印刷布线板以外的用途中还要求蚀刻性及焊接性两者，但在专利文献1中仅考虑印制电路板。另外，在考虑到金属基材的作为导电材料的实用性的情况下，关于耐候性的研究也重要，但未发现这样的研究。因此，本专利技术的课题之一在于提供一种尽管使用包含常温下与氧的反应性较高的元素的金属基材，但焊料密接性及耐候性仍优异的金属基材。[解决问题的技术手段]本专利技术者为了解决所述课题而反复进行努力研究，结果发现，通过将选自由Co镀层、以及含有选自由Co、Ni及Mo所组成的群中的2种以上的元素的合金镀层所组成的群中的镀层以该镀层中的Co、Ni及Mo的合计附着量成为500μg/dm2以上的方式形成在金属基材表面，而焊料密接性及耐候性明显提高。本专利技术是基于该见解而完成者。本专利技术在一个侧面是一种附镀敷的金属基材，其是在金属基材的一部分或全部的表面上形成了选自由Co镀层、以及含有选自由Co、Ni及Mo所组成的群中的2种以上的元素的合金镀层所组成的群中的镀层的附镀敷的金属基材，且该镀层中的Co、Ni及Mo的合计附着量为500μg/dm2以上，金属基材含有选自由Ti、Si、Mg、P、Sn、Zn、Cr、Zr、V、W、Na、Ca、Ba、Cs、Mn、K、Ga、B、Nb、Ce、Be、Nd、Sc、Hf、Ho、Lu、Yb、Dy、Er、Pr、Y、Li、Gd、Pu、In、Fe、La、Th、Ta、U、Sm、Tb、Sr、Tm及Al所组成的群中的1种或2种以上的元素。在本专利技术的附镀敷的金属基材的一个实施方式中，所述镀层中的Co、Ni及Mo的合计附着量为700μg/dm2以上。在本专利技术的附镀敷的金属基材的一个实施方式中，所述镀层中的Co、Ni及Mo的合计附着量为1000μg/dm2以上。在本专利技术的附镀敷的金属基材的一个实施方式中，所述镀层中的Co、Ni及Mo的合计附着量为2000μg/dm2以上。在本专利技术的附镀敷的金属基材的一个实施方式中，所述镀层中的Co、Ni及Mo的合计附着量为3000μg/dm2以上。在本专利技术的附镀敷的金属基材的一个实施方式中，所述镀层中的Co、Ni及Mo的合计附着量为5000μg/dm2以上。在本专利技术的附镀敷的金属基材的一个实施方式中，所述镀层中的Co、Ni及Mo的合计附着量为7000μg/dm2以上。在本专利技术的附镀敷的金属基材的一个实施方式中，所述镀层中的Co、Ni及Mo的合计附着量为180000μg/dm2以下。在本专利技术的附镀敷的金属基材的一个实施方式中，所述镀层中，相对于Co、Ni及Mo的合计附着量的Ni及Mo的合计附着量(以下也称为“Ni+Mo比率(％)”)以质量比计为80％以下。在本专利技术的附镀敷的金属基材的一个实施方式中，所述镀层中，相对于Co、Ni及Mo的合计附着量的Ni及Mo的合计附着量(以下也称为“Ni+Mo比率(％)”)以质量比计为60％以下。在本专利技术的附镀敷的金属基材的一个实施方式中，所述镀层中，相对于Co、Ni及Mo的合计附着量的Ni及Mo的合计附着量(以下也称为“Ni+Mo比率(％)”)以质量比计为50％以下。在本专利技术的附镀敷的金属基材的一个实施方式中，所述镀层中，相对于Co、Ni及Mo的合计附着量的Ni及Mo的合计附着量(以下也称为“Ni+Mo比率(％)”)以质量比计为10％以上。在本专利技术的附镀敷的金属基材的一个实施方式中，在所述镀层与所述金属基材之间形成了基础层及/或粗化处理层。在本专利技术的附镀敷的金属基材的一个实施方式中，所述镀层选自由Co-Ni合金镀层、Co-Mo合金镀层、Ni-Mo合金镀层及Co-Ni-Mo合金镀层所组成的群中。在本专利技术的附镀敷的金属基材的一个实施方式中，所述镀层含有选自由Cu、As、Ag、Au、Pd、Pt、Bi、Os、Rh、Tl、Sb、Pb、Hg、Ir、Cd、Ru、Re、Tc及Gd所组成的群中的1种或2种以上的元素。在本专利技术的附镀敷的金属基材的一个实施方式中，所述镀层含有合计0～2000μg/dm2的选自由Cu、As、Ag、Au、Pd、Pt、Bi、Os、Rh、Tl、Sb、Pb、Hg、Ir、Cd、Ru、Re、Tc及Gd所组成的群中的1种或2种以上的元素。在本专利技术的附镀敷的金属基材的一个实施方式中，所述镀层含有合计0～1000μg/dm2的选自由Cu、As、Ag、Au、Pd、Pt、Bi、Os、Rh、Tl、Sb、Pb、Hg、Ir、Cd、Ru、Re、Tc及Gd所组成的群中的1种或2种以上的元素。在本专利技术的附镀敷的金属基材的一个实施方式中，所述镀层含有合计0～500μg/dm2的选自由Cu、As、Ag、Au、Pd、Pt、Bi、Os、Rh、Tl、Sb、Pb、Hg、Ir、Cd、Ru、Re、Tc及Gd所组成的群中的1种或2种以上的元素。在本专利技术的附镀敷的金属基材的一个实施方式中，所述镀层含有选自由Cu、As、Ag、Au、Pd及Pt所组成的群中的1种或2种以上的元素。在本专利技术的附镀敷的金属基材的一个实施方式中，所述镀层含有合计0～2000μg/dm2的选自由Cu、As、Ag、Au、Pd及Pt所组成的群中的1种或2种以上的元素。在本专利技术的附镀敷的金属基材的一个实施方式中，所述镀层含有合计0～1000μg/dm2的选自由Cu、As、Ag、Au、Pd及Pt所组成的群中的1种或2种以上的元素。在本专利技术的附镀敷的金属基材的一个实施方式中，所述镀层含有合计0～500μg/dm2的选自由Cu、As、Ag、Au、Pd及Pt所组成的群中的1种或2种以上的元素。在本专利技术的附镀敷的金属基材的一个实施方式中，所述金属基材是由铜合金、铝、铝合金、铁、铁合金、不锈钢、镍合金、钛、钛合金、金合金、银合金、铂族本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种附镀敷的金属基材，其是在金属基材的一部分或全部的表面上形成了选自由Co镀层、以及含有选自由Co、Ni及Mo所组成的群中的2种以上的元素的合金镀层所组成的群中的镀层的附镀敷的金属基材，且该镀层中的Co、Ni及Mo的合计附着量为500μg/dm2以上，金属基材含有选自由Ti、Si、Mg、P、Sn、Zn、Cr、Zr、V、W、Na、Ca、Ba、Cs、Mn、K、Ga、B、Nb、Ce、Be、Nd、Sc、Hf、Ho、Lu、Yb、Dy、Er、Pr、Y、Li、Gd、Pu、In、Fe、La、Th、Ta、U、Sm、Tb、Sr、Tm及Al所组成的群中的1种或2种以上的元素。

【技术特征摘要】
2015.01.09 JP 2015-003719;2015.06.04 JP 2015-114201.一种附镀敷的金属基材，其是在金属基材的一部分或全部的表面上形成了选自由Co镀层、以及含有选自由Co、Ni及Mo所组成的群中的2种以上的元素的合金镀层所组成的群的镀层的附镀敷的金属基材，且该镀层中的Co、Ni及Mo的合计附着量为5000μg/dm2以上，金属基材含有选自由Ti、Si、Mg、P、Sn、Zn、Cr、Zr、V、W、Na、Ca、Ba、Cs、Mn、K、Ga、B、Nb、Ce、Be、Nd、Sc、Hf、Ho、Lu、Yb、Dy、Er、Pr、Y、Li、Gd、Pu、In、Fe、La、Th、Ta、U、Sm、Tb、Sr、Tm及Al所组成的群中的1种或2种以上的元素。2.根据权利要求1所述的附镀敷的金属基材，其中，所述镀层中的Co、Ni及Mo的合计附着量为7000μg/dm2以上。3.根据权利要求1所述的附镀敷的金属基材，其中，所述镀层中的Co、Ni及Mo的合计附着量为180000μg/dm2以下。4.根据权利要求1至3中任一项所述的附镀敷的金属基材，其中，在所述镀层中，相对于Co、Ni及Mo的合计附着量的Ni及Mo的合计附着量(以下也称为“Ni+Mo比率(％)”)以质量比计为80％以下。5.根据权利要求1至3中任一项所述的附镀敷的金属基材，其中，在所述镀层中，相对于Co、Ni及Mo的合计附着量的Ni及Mo的合计附着量(以下也称为“Ni+Mo比率(％)”)以质量比计为60％以下。6.根据权利要求1至3中任一项所述的附镀敷的金属基材，其中，在所述镀层中，相对于Co、Ni及Mo的合计附着量的Ni及Mo的合计附着量(以下也称为“Ni+Mo比率(％)”)以质量比计为50％以下。7.根据权利要求1至3中任一项所述的附镀敷的金属基材，其中，在所述镀层中，相对于Co、Ni及Mo的合计附着量的Ni及Mo的合计附着量(以下也称为“Ni+Mo比率(％)”)以质量比计为10％以上。8.根据权利要求4所述的附镀敷的金属基材，其中，在所述镀层中，相对于Co、Ni及Mo的合计附着量的Ni及Mo的合计附着量(以下也称为“Ni+Mo比率(％)”)以质量比计为10％以上。9.根据权利要求1至3中任一项所述的附镀敷的金属基材，其中，在所述镀层与所述金属基材之间形成了基础层及/或粗化处理层。10.根据权利要求8所述的附镀敷的金属基材，其中，在所述镀层与所述金属基材之间形成了基础层及/或粗化处理层。11.根据权利要求1至3中任一项所述的附镀敷的金属基材，其中，所述镀层选自由Co-Ni合金镀层、Co-Mo合金镀层、Ni-Mo合金镀层及Co-Ni-Mo合金镀层所组成的群。12.根据权利要求10所述的附镀敷的金属基材，其中，所述镀层选自由Co-Ni合金镀层、Co-Mo合金镀层、Ni-Mo合金镀层及Co-Ni-Mo合金镀层所组成的群。13.根据权利要求1至3中任一项所述的附镀敷的金属基材，其中，所述镀层含有选自由Cu、As、Ag、Au、Pd、Pt、Bi、Os、Rh、Tl、Sb、Pb、Hg、Ir、Cd、Ru、Re、Tc及Gd所组成的群中的1种或2种以上的元素。14.根据权利要求12所述的附镀敷的金属基材，其中，所述镀层含有选自由Cu、As、Ag、Au、Pd、Pt、Bi、Os、Rh、Tl、Sb、Pb、Hg、Ir、Cd、Ru、Re、Tc及Gd所组成的群中的1种或2种以上的元素。15.根据权利要求13所述的附镀敷的金属基材，其中，所述镀层含有合计0～2000μg/dm2的选自由Cu、As、Ag、Au、Pd、Pt、Bi、Os、Rh、Tl、Sb、Pb、Hg、Ir、Cd、Ru、Re、Tc及Gd所组成的群中的1种或2种以上的元素。16.根据权利要求14所述的附镀敷的金属基材，其中，所述镀层含有合计0～2000μg/dm2的选自由Cu、As、Ag、Au、Pd、Pt、Bi、Os、Rh、Tl、Sb、Pb、Hg、Ir、Cd、Ru、Re、Tc及Gd所组成的群中的1种或2种以上的元素。17.根据权利要求13所述的附镀敷的金属基材，其中，所述镀层含有合计0～1000μg/dm2的选自由Cu、As、Ag、Au、Pd、Pt、Bi、Os、Rh、Tl、Sb、Pb、Hg、Ir、Cd、Ru、Re、Tc及Gd所组成的群中的1种或2种以上的元素。18.根据权利要求13所述的附镀敷的金属基材，其中，所述镀层含有合计0～500μg/dm2的选自由Cu、As、Ag、Au、Pd、Pt、Bi、Os、Rh、Tl、Sb、Pb、Hg、Ir、Cd、Ru、Re、Tc及Gd所组成的群中的1种或2种以上的元素。19.根据权利要求1至3中任一项所述的附镀敷的金属基材，其中，所述镀层含有选自由Cu、As、Ag、Au、Pd及Pt所组成的群中的1种或2种以上的元素。20.根据权利要求19所述的附镀敷的金属基材，其中，所述镀层含有合计0～2000μg/dm2的选自由Cu、As、Ag、Au、Pd及Pt所组成的群中的1种或2种以上的元素。21.根据权利要求19所述的附镀敷的金属基材，其中，所述镀层含有合计0～1000μg/dm2的选自由Cu、As、Ag、Au、Pd及Pt所组成的群中的1种或2种以上的元素。22.根据权利要求19所述的附镀敷的金属基材，其中，所述镀层含有合计0～500μg/dm2的选自由Cu、As、Ag、Au、Pd及Pt所组成的群中的1种或2种以上的元素。23.一种附镀敷的金属基材，其是在金属基材的一部分或全部的表面上形成了选自由Co镀层、以及含有选自由Co、Ni及Mo所组成的群中的2种以上的元素的合金镀层所组成的群的镀层的附镀敷的金属基材，且该镀层中的Co、Ni及Mo的合计附着量为5000μg/dm2以上，金属基材是含有选自由Ti、Si、Mg、P、Sn、Zn、Cr、Zr、V、W、Na、Ca、Ba、Cs、Mn、K、Ga、B、Nb、Ce、Be、Nd、Sc、Hf、Ho、Lu、Yb、Dy、Er、Pr、Y、Li、Gd、Pu、In、Fe、La、Th、Ta、U、Sm、Tb、Sr、Tm及Al所组成的群中的1种或2种以上的元素的附镀敷的金属基材，且满足以下(1)～(16)中的一个或两个以上的项目：(1)：所述镀层中的Co、Ni及Mo的合计附着量为7000μg/dm2以上(2)：所述镀层中的Co、Ni及Mo的合计附着量为180000μg/dm2以下(3)：所述镀层中，相对于Co、Ni及Mo的合计附着量的Ni及Mo的合计附着量(以下也称为“Ni+Mo比率(％)”)以质量比计为80％以下(4)：所述镀层中，相对于Co、Ni及Mo的合计附着量的Ni及Mo的合计附着量(以下也称为“Ni+Mo比率(％)”)以质量比计为60％以下(5)：所述镀层中，相对于Co、Ni及Mo的合计附着量的Ni及Mo的合计附着量(以下也称为“Ni+Mo比率(％)”)以质量比计为50％以下...

【专利技术属性】
技术研发人员：福地亮，辻江健太，
申请(专利权)人：JX日矿日石金属株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP