集成电容器的方法和设备技术

本发明专利技术公开了集成电容器的方法和设备。集成电容器可制造为由沟槽形成的两个电极以获得低电阻。根据一个实施例，电容器可包括：第一沟槽电极、一个或多个电介质层以及第二沟槽电极。可在不同的沟槽中制造第一沟槽电极和第二沟槽电极，以改善集成电容器的电容密度和电阻。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种设备，包括：衬底，其包括电介质层；第一电极，其包括形成在所述衬底的第一沟槽中的导电材料，其中所述电介质层位于所述第一电极与所述衬底之间；以及第二电极，其包括形成在所述衬底的第二沟槽中的导电材料，其中所述电介质层位于所述第二电极与所述衬底之间。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：单建安，伍荣翔，方向明，
申请(专利权)人：香港科技大学，
类型：发明
国别省市：中国香港;81