【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种基于GaN异质结材料的Fin‑HEMT器件,其特征在于:在HEMT器件的异质结平面材料上通过光刻并刻蚀形成有平行且间隔设置的多个Fin,在该Fin上设置有T型结构并为梳齿状的栅。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:张鹏,宓珉翰,何云龙,张濛,马晓华,郝跃,
申请(专利权)人:西安电子科技大学,
类型:发明
国别省市:陕西;61
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