一种基于GaN异质结材料的Fin-HEMT器件及其制备方法技术

技术编号:13396976 阅读:72 留言:0更新日期:2016-07-23 17:12
本发明专利技术提供了一种基于GaN异质结材料的Fin‑HEMT器件及其制备方法,器件包括衬底、异质结材料、Fin结构,以及栅金属,所述异质结材料设置在衬底上表面,Fin结构包括多个平行且间隔设置的Fin,栅金属设置在Fin结构上表面且采用T型结构。本发明专利技术在Fin‑HEMT器件中加入了T型栅结构,能够有效提高沿栅电流传导方向的栅金属截面积,同时由于电流主要在T型栅金属的上层传导,有效的降低了Fin‑HEMT器件的实际栅金属长度,有效减小栅极分布寄生电阻,提高器件的微波性能。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种基于GaN异质结材料的Fin‑HEMT器件,其特征在于:在HEMT器件的异质结平面材料上通过光刻并刻蚀形成有平行且间隔设置的多个Fin,在该Fin上设置有T型结构并为梳齿状的栅。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:张鹏宓珉翰何云龙张濛马晓华郝跃
申请(专利权)人:西安电子科技大学
类型:发明
国别省市:陕西;61

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