用于生产太阳能电池的方法技术

技术编号:13396971 阅读:78 留言:0更新日期:2016-07-23 17:11
本发明专利技术涉及用于生产太阳能电池的方法。从P‑型掺杂的单晶或多晶硅锭通过切割出多个晶片并且施加一种N‑型掺杂来生产太阳能电池。通过利用氟、碳酰氟或NF3对这些晶片进行蚀刻(尤其在一种等离子体辅助的方法中)可以使它们得到改进。由此使表面变粗糙以降低光反射的程度、阻止由切割操作所造成的裂纹的增长、并且除去由磷掺杂所引起的类似玻璃的含磷氧化物涂层。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种用于从硅晶片生产太阳能电池的方法,该方法包括用蚀刻气体蚀刻该晶片的步骤,其中对该晶片的表面进行蚀刻以使该表面粗糙,该蚀刻气体由F2与以下组分的混合物组成:氮、氦和/或氩。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员:马尔塞洛·里瓦
申请(专利权)人:苏威氟有限公司
类型:发明
国别省市:德国;DE

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