积层式电路板制造技术

本发明专利技术公开了一种积层式(multi-layer)电路板，包括一基板及一第一电路积层。第一电路积层包括一第一高分子层及一第一导电层。第一高分子层设置于基板的一表面。第一高分子层的材质包括彼此混合的一第一触发粒子、一第一高分子材料及一第一固化剂。第一高分子层的材料稳定温度小于摄氏80度。第一导电层嵌设于第一高分子层远离基板的一表面。

【技术实现步骤摘要】
积层式电路板
本专利技术涉及一种积层式(multi-layer)电路板，特别是一种低温形成的积层式电路板。
技术介绍
在电子装置中，通常会遇到在基板上形成电路，以电性连接各种电子元件。或甚至在无线通信的领域中，还可通过在基板上形成线圈，而制作出天线元件。在现有的制造天线元件的技术中，通常会将线圈设置于额外的电路板，并在完成天线元件后，再贴附在电子装置的壳体内面。然而，如此的做法，往往会限制电子装置内的电路配置，也较不易缩小电子装置的体积。因此，有制造者直接在电子装置的壳体内面设置高分子层，再在高分子层设置线圈，以扩展电子装置内的电路配制的弹性，并缩小电子装置的体积。然而，当将高分子层固化于壳体内面时，往往需要较高的固化温度才能够固化高分子层。但壳体本身的容许温度却又往往低于高分子层的固化温度。如此一来，在固化高分子层的过程中，将会导致壳体变形或损坏。
技术实现思路
有鉴于以上的问题，本专利技术提出一种积层式电路板，通过使用较低温即可固化的高分子层，而能够在较低温度的环境下完成制造积层式电路板。本专利技术提出一种积层式电路板，包括一基板及一第一电路积层。第一电路积层包括一第一高分子层及一第一导电层。第一高分子层设置于基板的一表面。第一高分子层的材质包括彼此混合的一第一触发粒子、一第一高分子材料及一第一固化剂。第一高分子层的材料稳定温度小于摄氏80度。第一导电层嵌设于第一高分子层远离基板的一表面。根据本专利技术的积层式电路板，能够通过高分子层的材料稳定温度小于摄氏80度，而在较低温的环境下制造积层式电路板。因此，当电子装置的壳体为此基板，且在基板的表面固化高分子层时，壳体不易受到高分子层的固化温度的影响而变形或受损。而且，在其他场合中，积层式电路板还能应用容许温度高于高分子层的固化温度的各种基板。附图说明图1是依照本专利技术的一实施例的积层式电路板的立体示意图；图2、图3及图4是图1的积层式电路板的制造流程剖面示意图；图5是依照本专利技术的另一实施例的积层式电路板的立体示意图；图6、图7、图8及图9是图5的积层式电路板的制造流程剖面示意图；图10是依照本专利技术的另一实施例的积层式电路板的立体示意图；图11、图12及图13是图10的积层式电路板的制造流程剖面示意图；图14是依照本专利技术的另一实施例的积层式电路板的立体示意图。【附图标记说明】10、20、30、40积层式电路板11、21、31、41基板111、211、311上表面12电路积层121高分子层121a、231a凹槽1211表面122导电层122a、222a、322a、422a第一馈入点122b、232a、332a、422b第二馈入点22、32、42第一电路积层221、321、421第一高分子层2211、3211表面222、322、422第一导电层222b、322b第一连接点23、33、43第二电路积层231、331、431第二高分子层2311、3311表面232、332、432第二导电层232b、332b第二连接点24、34、441、442、443、444、445、446导电通孔24a贯穿孔31a第一贯穿孔310基板高分子层312下表面321a第一凹槽331a第二凹槽34a第二贯穿孔4221第一导电迹线4223第三导电迹线4225第五导电迹线4227第七导电迹线4322第二导电迹线4324第四导电迹线4326第六导电迹线具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本专利技术作进一步的详细说明。图中显示的比例仅为参考示意用，而非用以限定本专利技术。请参照图1，其是依照本专利技术的一实施例的积层式电路板10的立体示意图。在本实施例中，积层式电路板10包括一基板11及一电路积层12。基板11可为电子装置的壳体，也可为电子装置内的电路板。电路积层12包括一高分子层121及一导电层122。高分子层121设置于基板11的一上表面111。高分子层121的材质包括彼此混合的一触发粒子、一高分子材料、一固化剂及一色料。高分子层121的材料稳定温度小于80度，更甚者为高分子层121的固化温度小于摄氏80度。高分子层121为电性绝缘。导电层122嵌设于高分子层121的一表面1211，此表面1211为远离基板11的表面1211。导电层122的裸露表面可镀有保护层(未显示)，保护层的材质可例如但不限于为金或镍。虽在本实施例中，高分子层121的材质包括色料，但不限于此。在其他实施例中，高分子层121的材质亦可依需求而不包括色料。在本实施例中，高分子层121的厚度可例如但不限于10～100μm。导电层122的厚度可例如但不限于10～20μm。但导电层122的厚度小于高分子层121的厚度。导电层122可设置成线圈的图案。举例而言，此线圈的图案可为螺旋图案。更甚者可为方形的螺旋图案。导电层122的两端分别具有一第一馈入点122a及一第二馈入点122b。信号源可通过第一馈入点122a及第二馈入点122b对导电层122馈入信号。制造者可通过适当调整导电层122的线宽及线距，以改变导电层122内的电容性耦合。由此能够设计整体线圈的馈入虚部感抗量，以补偿导电层122所产生的高电感效应，且调整补偿馈入电容效应，改善输入阻抗匹配，提高馈入激发电流强度。在本实施例中，基板11的材质可例如但不限于选自铁氧体(ferrite)、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethyleneterephthalate，PET)及聚酰亚胺(polyimide，PI)所构成的集合。在其他实施例中，基板11的材质亦可例如但不限于为玻璃、铜、铁或其他高分子聚合物。触发粒子可例如但不限于为陶瓷粒子、有机金属粒子、金属螯合物或能隙大于等于3电子伏特(eV)的半导体材料。有机金属粒子的结构例如为R-M-R或R-M-X，其中M为金属，R为烷基、芳香烃、环烷、卤烷、杂环或羧酸，X为卤素化合物或胺类。M可选自由金、银、铜、锡、铝、镍及钯所构成的集合。金属螯合物可由一螯合剂螯合一金属而形成。螯合剂可为吡咯烷二硫代氨基甲酸铵(Ammoniumpyrrolidinedithiocarbamate，APDC)、乙二胺四乙酸(ehtylenediaminetetraaceticacid，EDTA)、NTA(nitrilotriactiate)或二乙烯三胺五乙酸(diethylenetriaminepentaaceticacid，DTPA)。举例而言，金属螯合物可为铜-乙二胺四乙酸(Cu-EDTA)螯合物。能隙大于等于3电子伏特(eV)的半导体材料如选自由氮化镓、硫化锌、碳化硅、氧化锌、二氧化钛、氮化铝镓、氮化铝、氧化铝、氮化硼、氮化硅及二氧化硅所构成的集合。高分子材料可例如但不限于选自环氧材料(epoxy)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)及压克力树脂所构成的集合。其中，环氧材料例如为双酚(bisphenol)及环氧树脂的混合物。固化剂可例如但不限于选自胺类交联剂及亚甲基双丙烯酰胺(MBA)交联剂所构成的集合。其中，胺类交联剂例如为双氰胺(DICY)交联剂、苯胺类交联剂等。其中，当高分子材料为环氧材料，固化剂为双氰胺交联剂时，高分子层121的固化温度可小于摄氏60度。请参照图2、图3及图4，它们是图1的积层式电路板10的制造流程剖面示本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种积层式电路板，包括：一基板；以及一第一电路积层，包括：一第一高分子层，设置于该基板的一表面，该第一高分子层的材质包括彼此混合的一第一触发粒子、一第一高分子材料及一第一固化剂，该第一高分子层的材料稳定温度小于摄氏80度；以及一第一导电层，嵌设于该第一高分子层远离该基板的一表面。

【技术特征摘要】
2014.12.10 TW 1031430591.一种积层式电路板，包括：一基板；以及一第一电路积层，包括：一第一高分子层，设置于该基板的一表面，该第一高分子层的材质包括彼此混合的一第一触发粒子、一第一高分子材料及一第一固化剂，所述第一触发粒子的材质选自陶瓷粒子、有机金属粒子、金属螯合物或能隙大于等于3电子伏特(eV)的半导体材料，所述第一高分子层的材料稳定温度小于摄氏80度；以及一第一导电层，嵌设于该第一高分子层远离该基板的一表面，其中：在该第一触发粒子的材质为有机金属粒子的情况下，有机金属粒子的结构为R-M-R或R-M-X，其中M为金属，R为烷基、芳香烃、环烷、卤烷、杂环或羧酸，X为卤素化合物或胺类，M为选自由金、银、铜、锡、铝、镍及钯所构成的集合；在该第一触发粒子的材质为金属螯合物的情况下，金属螯合物由一螯合剂螯合一金属而形成，其中螯合剂为吡咯烷二硫代氨基甲酸铵(Ammoniumpyrrolidinedithiocarbamate，APDC)、乙二胺四乙酸(ehtylenediaminetetraaceticacid，EDTA)、NTA(nitrilotriactiate)或二乙烯三胺五乙酸(diethylenetriaminepentaaceticacid，DTPA)；或者在该第一触发粒子的材质为能隙大于等于3电子伏特(eV)的半导体材料的情况下，所述第一触发粒子为选自由氮化镓、硫化锌、碳化硅、氧化锌、二氧化钛、氮化铝镓、氮化铝、氧化铝、氮化硼、氮化硅及二氧化硅所构成的集合。2.如权利要求1所述的积层式电路板，其特征在于，该第一高分子层的固化温度小于摄氏80度。3.如权利要求1所述的积层式电路板，其特征在于，该基板的材质选自铁氧体、聚对苯二甲酸乙二酯及聚酰亚胺所构成的集合。4.如权利要求1所述的积层式电路板，其特征在于，该第一高分子材料选自环氧树脂及压克力树脂所构成的集...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄萌祺，李伟宇，高端环，周敏杰，
申请(专利权)人：财团法人工业技术研究院，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71