MOS双极器件制造技术

一种集群绝缘栅双极晶体管(CIGBT)，包括漂移区(24)、形成于n型漂移区内的P阱区(20)、形成于P阱区(20)内的N阱区(22)、形成于N阱区(22)内的P基极区(32)以及阴极区(36)。一个或多个沟槽(40)形成在器件内，并且被配置成与漂移区(24)和可选的P阱区(20)纵向相交，以及与基极区(32)、N阱区(22)和P阱区(20)横向相交。在沟槽(4)的内表面上形成有绝缘膜，并且在绝缘膜上形成由栅极氧化物，以基本上填充沟槽并且形成栅极。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】201480042128

【技术保护点】
一种包括至少一个单元的半导体器件，所述至少一个单元包括：第一导电类型的基极区，在所述基极区中设置有第一导电类型和第二导电类型的至少一个阴极区，所述至少一个阴极区通过导电触点连接在一起；第二导电类型的第一阱区；第一导电类型的第二阱区；第二导电类型的漂移区；第一导电类型的阳极区；以及阳极触点；其中，每个单元都被设置于所述第一阱区内，而所述第一阱区被设置于所述第二阱区内；其中，所述器件包括细长的沟槽，所述细长的沟槽与所述第二阱区和所述漂移区纵向相交，并且与所述基极区和所述第一阱区横向相交；其中，绝缘膜被设置成基本上覆盖所述沟槽的内表面，并且其中，第一栅极形成在所述绝缘膜上以基本上填充所述沟槽；并且其中，所述器件被配置成使得在所述器件的运行期间，位于所述基极区与所述第一阱区之间的接合处的耗尽区能够延伸至所述第一阱区和所述第二阱区之间的接合处，从而基本上使所述第一阱区的电势与所述阳极触点的电势的任何增加无关。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.07.23 GB 1313126.3;2013.08.13 GB 1314474.61.一种包括至少一个单元的半导体器件，所述至少一个单元包括：第一导
电类型的基极区，在所述基极区中设置有第一导电类型和第二导电类型的至少
一个阴极区，所述至少一个阴极区通过导电触点连接在一起；第二导电类型的
第一阱区；第一导电类型的第二阱区；第二导电类型的漂移区；第一导电类型
的阳极区；以及阳极触点；
其中，每个单元都被设置于所述第一阱区内，而所述第一阱区被设置于所
述第二阱区内；
其中，所述器件包括细长的沟槽，所述细长的沟槽与所述第二阱区和所述
漂移区纵向相交，并且与所述基极区和所述第一阱区横向相交；
其中，绝缘膜被设置成基本上覆盖所述沟槽的内表面，并且其中，第一栅
极形成在所述绝缘膜上以基本上填充所述沟槽；并且
其中，所述器件被配置成使得在所述器件的运行期间，位于所述基极区与
所述第一阱区之间的接合处的耗尽区能够延伸至所述第一阱区和所述第二阱区
之间的接合处，从而基本上使所述第一阱区的电势与所述阳极触点的电势的任
何增加无关。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述沟槽被配置成与第一阱
和第二阱横向相交。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述沟槽没有延伸穿过所述
第二阱区的整个厚度。
4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述沟槽穿过所述第二阱的
整个厚度延伸至所述漂移区内。
5.一种制造根据权利要求1所述的半导体器件的方法，所述方法包括如下
步骤：在第二导电类型的半导体层内形成所述第二阱区，使得其余的半导体层
形成所述漂移区；在所述第二阱区内形成所述第一阱区；在所述第一阱区内形
成所述基极区；以及形成所述阴极区；
所述方法还包括形成细长的沟槽，使得所述细长的沟槽与所述第二阱区和
所述漂移区纵向相交，并且与所述基极区和所述第一阱区横向相交。
6.根据权利要求5所述的方法，其中，在形成所述阴极区之前形成所述沟
槽。
7.根据权利要求5或权利要求6所述的方法，包括如下步骤：在半导体衬
底上形成多个根据权利要求1所述的半导体器件，所述器件被设置成一行或基
本上平行的多行；以及以基本上平行的列的形式形成多个细长的沟槽，这些细
长的沟槽基本上垂直于一行或多行的所...

【专利技术属性】
技术研发人员：桑卡拉·麦达塞尔，
申请(专利权)人：生态半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：英国;GB