制造半导体芯片的方法以及定位切割部件的方法技术

本发明专利技术提供一种制造半导体芯片的方法以及定位切割部件的方法，制造半导体芯片的方法包括：沿着基板的切割区域在正面侧形成沟槽以及比正面侧的沟槽深的凹部，并且凹部用作用于切割部件的定位标记，切割部件沿着正面侧的沟槽从基板的背面执行切割；在基板的背面，使基板变薄以到达凹部而不到达正面侧的沟槽；利用在基板的背面露出的凹部作为定位标记，从基板的背面定位切割部件；以及利用被定位的切割部件从基板的背面侧朝向基板的正面侧的沟槽来执行切割。

【技术实现步骤摘要】
201510756077

【技术保护点】
一种制造半导体芯片的方法，包括：沿着基板的切割区域在正面侧形成沟槽以及比所述正面侧的所述沟槽深的凹部，并且所述凹部用作用于切割部件的定位标记，所述切割部件沿着所述正面侧的所述沟槽从所述基板的背面执行切割；在所述基板的所述背面，使所述基板变薄以到达所述凹部而不到达所述正面侧的所述沟槽；利用在所述基板的所述背面露出的所述凹部作为所述定位标记，从所述基板的所述背面定位所述切割部件；以及利用被定位的所述切割部件从所述基板的背面侧朝向所述基板的所述正面侧的所述沟槽来执行切割。

【技术特征摘要】
2014.12.15 JP 2014-2532271.一种制造半导体芯片的方法，包括：
沿着基板的切割区域在正面侧形成沟槽以及比所述正面侧的所
述沟槽深的凹部，并且所述凹部用作用于切割部件的定位标记，所述
切割部件沿着所述正面侧的所述沟槽从所述基板的背面执行切割；
在所述基板的所述背面，使所述基板变薄以到达所述凹部而不
到达所述正面侧的所述沟槽；
利用在所述基板的所述背面露出的所述凹部作为所述定位标
记，从所述基板的所述背面定位所述切割部件；以及
利用被定位的所述切割部件从所述基板的背面侧朝向所述基板
的所述正面侧的所述沟槽来执行切割。
2.根据权利要求1所述的制造半导体芯片的方法，其中，
所述正面侧的所述沟槽和所述凹部是在同一步骤中通过同一蚀
刻工序形成的。
3.根据权利要求2所述的制造半导体芯片的方法，其中，
所述正面侧的所述沟槽和所述凹部是在所述同一蚀刻工序中利
用蚀刻速度差形成的。
4.根据权利要求2所述的制造半导体芯片的方法，其中，
在用于蚀刻的保护膜的开口的宽度中，用于形成所述凹部的开
口的宽度比用于形成所述正面侧的所述沟槽的开口的宽度大。
5.根据权利要求1所述的制造半导体芯片的方法，其中，
所述正面侧的所述沟槽和所述凹部是通过各向异性蚀刻形成
的。
6.根据权利要求2所述的制造半导体芯片的方法，其中，
所述正面侧的所述沟槽和所述凹部是通过各向异性蚀刻形成
的。
7.根据权利要求1所述的制造半导体芯片的方法，其中，
所述正面侧的所述沟槽和所述凹部是通过各向异性干蚀法形成
的。
8.根据权利要求2所述的制造半导体芯片的方法，其中，
所...

【专利技术属性】
技术研发人员：大野健一，村田道昭，大塚勤，
申请(专利权)人：富士施乐株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP