具有成形引线的集成电路器件及器件的形成方法技术

本申请涉及具有成形引线的集成电路器件及器件的形成方法。提供一种集成电路(IC)器件，包括IC和环绕IC的密封材料。引线耦合至IC并从密封材料的侧面向外延伸，其中每条引线均具有三个连续的暴露部分，该三个连续的暴露部分与上弯曲部和下弯曲部一起限定Z形。在另一实例中，引线包括上水平部分、下水平部分和中间弯曲部分，中间弯曲部分从上水平部分向上延伸并向下延伸到下水平部分。

【技术实现步骤摘要】
201510605472

【技术保护点】
一种集成电路IC器件，包括：IC；密封材料，环绕所述IC；以及多条引线，被耦合至所述IC并从所述密封材料的侧面向外延伸，每条引线均具有三个连续的暴露部分，该三个连续的暴露部分与上弯曲部和下弯曲部一起限定Z形。

【技术特征摘要】
2014.12.10 US 14/565,4841.一种集成电路IC器件，包括：
IC；
密封材料，环绕所述IC；以及
多条引线，被耦合至所述IC并从所述密封材料的侧面向外延伸，
每条引线均具有三个连续的暴露部分，该三个连续的暴露部分与上弯
曲部和下弯曲部一起限定Z形。
2.根据权利要求1所述的IC器件，其中所述密封材料限定底表
面；并且其中每条引线向下延伸使得引线的最低的表面低于所述密封
材料的底表面。
3.根据权利要求1所述的IC器件，其中所述三个连续的部分包
括：
上水平部分；
中间倾斜部分；以及
下水平部分。
4.根据权利要求3所述的IC器件，其中每条引线的所述下水平
部分均水平向外延伸超过所述上弯曲部。
5.根据权利要求3所述的IC器件，其中每条引线的所述下弯曲
部均水平向外与所述密封材料隔开。
6.根据权利要求3所述的IC器件，其中每条引线的所述中间倾
斜部分均以40-50度范围内的角度倾斜。
7.根据权利要求1所述的IC器件，还包括将每条引线耦合至所
述IC的对应接合线。
8.根据权利要求1所述的IC器件，其中所述多条引线被布置为
限定四面扁平封装件(QFP)。
9.一种制造集成电路IC器件的方法，包括：
用密封材料环绕IC；
将多条引线耦合至所述IC；以及
将所述引线形成为从所述密封材料的侧面向外延伸，每条引线均
被形成为具有三个连续的暴露部分，该三个连续的暴露部分与上弯曲
部和下弯曲部一起限定Z形。
10.根据权利要求9所述的方法，其中所述密封材料被形成为限
定底表面，并将每条引线形成为向下延伸，使得引线的最低的表面低
于所述密封材料的底表面。
11.根据权利要求9所述的方法，其中所述三个连续的部分被形
成为：
上水平部分；
中间倾斜部分；以及
下水平部分。
12.根据权利要求11所述的方法，其中每条引线的所述下水平
部分均被形成为向外水平延伸超过所述上弯曲部。
13.根据权利要求11所述的方法，其中每条引线的所述下弯曲
部均被形成为水平向外与所述密封材料隔开。
14.根据权利要求11所述的方法，其中每条引线的所述中间倾
斜部分均以40-50度范围内的角度倾斜。
15.根据权利要求9所述的方法，其中将对应的接合线从每条引
线耦合至所述IC。
16.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：Y·马，KY·吴，张学仁，W·Z·吴，
申请(专利权)人：意法半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：新加坡;SG