【技术实现步骤摘要】
201410774774
【技术保护点】
一种LED芯片结构，包括依次堆叠之第一型半导体层、发光层和第二型半导体层，其特征在于：该第二型半导体层中具有暴露区，该暴露区暴露出部份第一型半导体层；该暴露区之第一型半导体层上具有第一电极延伸层；该第二型半导体层上具有第二电极延伸层；该第二型半导体层上连接一透明绝缘层，且该透明绝缘层填入该暴露区；在该透明绝缘层上具有第一通孔和第二通孔，该第一通孔位于该暴露区之透明绝缘层中且连通至该第一电极延伸层，第二通孔连通至该第二电极延伸层；在该透明绝缘层远离第二型半导体层的端面上具有第一型电极和第二型电极；该第一通孔中设有第一电极连接层，第一电极连接层连接该第一型电极延伸层与该第一型电极；该第二通孔中设有第二电极连接层，第二电极连接层连接该第二电极延伸层与该第二型电极。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：吴哲雄，呂瞻暘，曾晓强，林聪辉，刘建科，白梅英，
申请(专利权)人：晶宇光电厦门有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35
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