一种LED芯片用键合衬底的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种LED芯片用键合衬底的制备方法，包括以下步骤：1)在起始键合衬底上制备牺牲层金属；2)对起始键合衬底上的牺牲层金属利用退火工艺进行表面改性处理，在键合衬底和牺牲层金属间形成过渡层金属；3)腐蚀去除起始键合衬底上剩余牺牲层金属；4)在过渡层金属上制备永久键合金属层，以形成最终的键合衬底。4)在过渡层金属上制备永久键合金属层，以形成最终的键合衬底。本发明专利技术提供的一种LED芯片用键合衬底的制备方法，在起始键合衬底表面制备牺牲层金属结构，通过处理形成过渡层金属，起到降低起始键合衬底与外延片间的热膨胀系数差的作用。

【技术实现步骤摘要】
201610203193

【技术保护点】
一种LED芯片用键合衬底的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1)在起始键合衬底(101)上制备牺牲层金属(102)；2)对起始键合衬底上的牺牲层金属(102)利用退火工艺进行表面改性处理，在键合衬底和牺牲层金属间形成过渡层金属(103)；3)腐蚀去除起始键合衬底上剩余的全部牺牲层金属(102)；4)在过渡层金属(103)上制备永久键合金属层(104)，以形成最终的键合衬底。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：云峰，郭茂峰，苏喜林，
申请(专利权)人：陕西新光源科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：陕西;61