一种LED芯片用键合衬底的制备方法技术

技术编号:13360685 阅读:19 留言:0更新日期:2016-07-17 20:27
本发明专利技术公开了一种LED芯片用键合衬底的制备方法,包括以下步骤:1)在起始键合衬底上制备牺牲层金属;2)对起始键合衬底上的牺牲层金属利用退火工艺进行表面改性处理,在键合衬底和牺牲层金属间形成过渡层金属;3)腐蚀去除起始键合衬底上剩余牺牲层金属;4)在过渡层金属上制备永久键合金属层,以形成最终的键合衬底。4)在过渡层金属上制备永久键合金属层,以形成最终的键合衬底。本发明专利技术提供的一种LED芯片用键合衬底的制备方法,在起始键合衬底表面制备牺牲层金属结构,通过处理形成过渡层金属,起到降低起始键合衬底与外延片间的热膨胀系数差的作用。

【技术实现步骤摘要】
201610203193

【技术保护点】
一种LED芯片用键合衬底的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:1)在起始键合衬底(101)上制备牺牲层金属(102);2)对起始键合衬底上的牺牲层金属(102)利用退火工艺进行表面改性处理,在键合衬底和牺牲层金属间形成过渡层金属(103);3)腐蚀去除起始键合衬底上剩余的全部牺牲层金属(102);4)在过渡层金属(103)上制备永久键合金属层(104),以形成最终的键合衬底。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:云峰郭茂峰苏喜林
申请(专利权)人:陕西新光源科技有限责任公司
类型:发明
国别省市:陕西;61

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