【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
【技术保护点】
一种在半导体器件上形成阻挡层的方法,包括:将衬底置于反应腔室中;在所述衬底上方沉积阻挡层,其中,所述阻挡层包括金属和非金属,并且所述阻挡层具有4nm或更小的已沉积厚度;通过邻近所述阻挡层由气体形成等离子体来使所述阻挡层致密化;以及将所述阻挡层的厚度减小到在所述已沉积厚度的50%到95%范围中的厚度。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
【专利技术属性】
技术研发人员:J·A·法默,J·S·莱布,D·B·伯格斯特龙,
申请(专利权)人:英特尔公司,
类型:发明
国别省市:美国;US
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