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直接等离子体致密化工艺以及半导体器件制造技术

技术编号:13339324 阅读:279 留言:0更新日期:2016-07-13 13:11
本公开内容的一个方面涉及一种在半导体器件上形成阻挡层的方法。该方法包括将衬底置于反应腔室中,并且在衬底上方沉积阻挡层。阻挡层包括金属和非金属,阻挡层具有4nm或更小的已沉积厚度。该方法还包括通过邻近所述阻挡层由气体形成等离子体,减小阻挡层的厚度并且增大阻挡层的密度来使阻挡层致密化。在实施例中,在致密化期间以350kHz到40MHz的频率将300瓦特或更小的功率施加到等离子体。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
一种在半导体器件上形成阻挡层的方法,包括:将衬底置于反应腔室中;在所述衬底上方沉积阻挡层,其中,所述阻挡层包括金属和非金属,并且所述阻挡层具有4nm或更小的已沉积厚度;通过邻近所述阻挡层由气体形成等离子体来使所述阻挡层致密化;以及将所述阻挡层的厚度减小到在所述已沉积厚度的50%到95%范围中的厚度。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员:J·A·法默J·S·莱布D·B·伯格斯特龙
申请(专利权)人:英特尔公司
类型:发明
国别省市:美国;US

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