一种对电子元器件进行抗干扰处理的方法技术

本发明专利技术涉及一种对电子元器件进行抗干扰处理的方法，该方法包括液态封装材料的制备，液态封装材料对电子元器件的封装以及封装完后对液态封装材料的后续处理。使用该方法对电子元器件进行封装处理后，可以降低外磁场及辐照对封装材料内部电子元器件的干扰；该方法不受限于电子元器件外形和封装材料种类，简单灵活、成本低、适用面广，可用于CPU和微处理器等逻辑器件、Flash和MRAM等存储器件、传感器件、高频器件以及导线等各种电子器件的电磁屏蔽及抗辐照强化，也可用于对集成电路进行整体磁屏蔽及抗辐照强化。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电磁屏蔽和抗辐照领域，尤其涉及一种对电子元器件进行抗干扰处理的方法。
技术介绍
对电子元器件进行电磁屏蔽或抗辐照强化，可以极大地提高电子器件和集成电路的工作稳定性和使用寿命，具有重要的工业应用价值，尤其是在铁路交通、核能、航空航天、军工、地质探测、医疗等众多与此紧密相关的行业。随着磁旋存储及传感器件的发展，尤其是高频元器件的发展，电子器件对电磁屏蔽和抗辐照的要求越来越高。核能及空间应用的快速发展也推动了对电磁屏蔽和抗辐照的需求。传统的电磁屏蔽和抗辐照方法，利用较厚的金属镀层或铅板等金属壳体对电子器件进行保护，其缺点是工艺复杂、制备成本高昂，且尺寸大、体积重，不利于系统集成及小型化，尤其在航天领域。随着科技的发展，新材料和新的物理效应不断应用到电磁屏蔽和抗辐照中。例如，轻便、高强度、高导电性能的石墨烯和碳纤维材料，高磁导率和磁化强度的非晶纳米粉及非晶丝材料、抗辐射的重金属纳米粉体等。通过选用合适的溶剂类型、选用不同的混合浓度以及不同的材料组合，可以实现具有不同磁电特性的胶体材料。最终通过封装和固化过程，为电子器件制备获得优良的电磁屏蔽和抗辐照强化保护层。
技术实现思路
本专利技术为克服上述的不足之处，目的在于提供一种对电子元器件进行抗干扰处理的方法，包括液态封装材料的制备，液态封装材料对电子元器件的封装以及封装完后对液态封装材料的固化成型处理；由于液态封装材料的轻便性、可掺杂性、易流动性及丰富的可加工性能，该封装方法可以不受材料及电子器件形状和结构的限制，具有工艺简单、可靠性好、灵活性高的优点。本专利技术是通过以下技术方案达到上述目的：一种对电子元器件进行抗干扰处理的方法，利用掺杂有电磁屏蔽材料或抗辐照材料的液态封装材料对固定在载体上的电子元器件进行封装处理，并对封装在电子元器件表面的液态封装材料进行固化成型处理。作为优选，所述掺杂有电磁屏蔽材料或抗辐照材料的液态封装材料由液态粘合剂与电磁屏蔽或抗辐照材料混合掺杂制备得到，电磁屏蔽材料或抗辐照材料均匀分散于液态粘合剂中，掺杂浓度视具体应用场景进行调整。作为优选，所述的液态粘合剂为有机溶剂、树脂、塑料、橡胶、玻璃中的任意一种。作为优选，所述电磁屏蔽材料为磁粉、非晶粉、非晶丝、金属粉、金属线、石墨、碳纳米管中的任意一种或几种组合；所述的抗辐照材料为重金属化合物、纤维增强材料、稀土金属氧化物、陶瓷粉末、树脂中的任意一种或几种组合。作为优选，所述载体为PCB板、悬挂装置、连线中的任意一种。作为优选，所述的封装处理为灌注、旋涂、塑封中的任意一种或几种组合。作为优选，所述附在载体上的电子元器件数目为一个或多个。作为优选，所述固化成型处理包括烘烤、紫外光照、氧化、交联、热压。作为优选，所述的电子元器件还可不依附于载体进行封装处理，待固化成型处理完成后固定在载体上。作为优选，所述的电子元器件为中央处理器、内存器、缓存器、MRAM、Flash、SSD、硬盘、传感器、高频器件、导线、集成电路中的任意一种。本专利技术的有益效果在于：(1)本专利技术方法对电子元器件进行处理后，可降低外磁场及辐照对电子元器件的干扰，本方法不受限于电子元器件外形和封装材料种类，简单灵活、成本低、适用面广；(2)具有工艺简单、可靠性好、灵活性高的优点，具有良好的应用前景。附图说明图1是本专利技术实施例1抗干扰处理方法示意图；图2是本专利技术实施例2抗干扰处理方法示意图。具体实施方式下面结合具体实施例对本专利技术进行进一步描述，但本专利技术的保护范围并不仅限于此：实施例1：如图1所示，一种对电子元器件进行抗干扰处理的方法，包括如下步骤：(1)制备得到掺杂有电磁屏蔽材料或抗辐照材料的液态封装材料1，并将液态封装材料1盛放在容器4中；所述的液态封装材料由液态粘合剂与电磁屏蔽材料或抗辐照材料混合掺杂制备得到，电磁屏蔽材料或抗辐照材料均匀地分散于液态粘合剂中；制备时，将电磁屏蔽材料或抗辐照材料混合在液态粘合剂中得到液态封装材料；所述的液态粘合剂为有机溶剂、树脂、塑料、橡胶、玻璃中的任意一种；所述电磁屏蔽材料为磁粉、非晶粉、非晶丝、金属粉、金属线、石墨、碳纳米管中的任意一种或几种组合，所述的抗辐照材料为重金属化合物、纤维增强材料、稀土金属氧化物、陶瓷粉末、树脂中的任意一种或几种组合。(2)将电子元器件2固定在载体3上，其中，在本实施例中电子元器件的个数为一个；电子元器件包括但不限于中央处理器、内存、缓存、MRAM、Flash、SSD、硬盘、传感器、高频器件、导线、集成电路等。载体3可以是各种PCB板、悬挂装置、连线等。(3)利用制备得到的液态封装材料1对电子元器件2进行封装处理，使得液态封装材料1包覆在电子元器件2上；所述的封装处理包括但不限于灌注、旋涂、塑封等。(4)对封装后的液态封装材料进行后续固化处理，完成对电子元器件的电磁屏蔽和抗辐照强化。所述后续处理工艺包括但不限于烘烤、紫外、氧化、交联、热压成型等各种工艺。其中，步骤(2)还可以放在最后进行。处理后的电子元器件使用时，固化了的、掺杂有电磁屏蔽材料或抗辐照材料的封装材料为电子元器件进行保护，外界磁场和辐照射线作用在保护封装材料上，封装材料吸收、反射或者传导走外磁场和辐射，从而保护电子元器件不受外磁场和辐照干扰。实施例2：如图2所示，一种对电子元器件进行抗干扰处理的方法，包括如下步骤：(1)制备得到液态封装材料1，并将液态封装材料1盛放在容器4中；所述的液态封装材料由液态粘合剂与电磁屏蔽材料或抗辐照材料混合掺杂制备得到，电磁屏蔽材料或抗辐照材料均匀地分散于液态粘合剂中；制备时，将电磁屏蔽材料或抗辐照材料混合在液态粘合剂中得到液态封装材料；所述的液态粘合剂为有机溶剂、树脂、塑料、橡胶、玻璃中的任意一种；所述电磁屏蔽材料为磁粉、非晶粉、非晶丝、金属粉、金属线、石墨、碳纳米管中的任意一种或几种组合，所述的抗辐照材料为重金属化合物、纤维增强材料、稀土金属氧化物、陶瓷粉末、树脂中的任意一种或几种组合。(2)将电子元器件2固定在载体3上，其中，在本实施例中电子元器件的个数为多个，共同组陈集成电路；电子元器件包括但不限于中央处理器、内存、缓存、MRAM、Flash、SSD、硬盘、传感器、高频器件、导线、集成电路等。载体3可以是各种PCB板、悬挂装本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种对电子元器件进行抗干扰处理的方法，其特征在于，利用掺杂有电磁屏蔽材料或抗辐照材料的液态封装材料对固定在载体上的电子元器件进行封装处理，并对封装在电子元器件表面的液态封装材料进行固化成型处理。

【技术特征摘要】
1.一种对电子元器件进行抗干扰处理的方法，其特征在于，利用掺
杂有电磁屏蔽材料或抗辐照材料的液态封装材料对固定在载体上的
电子元器件进行封装处理，并对封装在电子元器件表面的液态封装材
料进行固化成型处理。
2.根据权利要求1所述的一种对电子元器件进行抗干扰处理的方法，
其特征在于：所述掺杂有电磁屏蔽材料或抗辐照材料的液态封装材料
由液态粘合剂与电磁屏蔽材料或抗辐照材料混合掺杂制备得到，制备
时将电磁屏蔽材料或抗辐照材料均匀分散于液态粘合剂中，掺杂浓度
不限。
3.根据权利要求2所述的一种对电子元器件进行抗干扰处理的方法，
其特征在于：所述的液态粘合剂为有机溶剂、树脂、塑料、橡胶、玻
璃中的任意一种。
4.根据权利要求2所述的一种对电子元器件进行抗干扰处理的方法，
其特征在于：所述电磁屏蔽材料为磁粉、非晶粉、非晶丝、金属粉、
金属线、石墨、碳纳米管中的任意一种或几种组合；所述的抗辐照材
料为重金属化合物、纤维增强材料、稀土金属氧化物、陶瓷粉末、树
脂中的任意一种或几种组合。
5.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：李辉辉，左正笏，陈志刚，徐庶，韩谷昌，蒋信，刘瑞盛，孟皓，刘波，
申请(专利权)人：中电海康集团有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33