【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及制备碳化硅晶体
，尤其涉及一种物理气相沉积制备碳化硅晶体的坩埚。
技术介绍
碳化硅晶体作为高频、大功率、耐高温、抗辐照的半导体器件的优选材料，一般用于地面核反应堆系统的监控、原油勘探、环境监测及航空、航天、雷达、通讯系统和大功率的电子转换器及汽车马达等领域的极端环境中，物理气相沉积法生长碳化硅晶体过程中，通常是将碳化硅原料放置在坩埚底部，籽晶放置在坩埚顶部，原料位置温度高，籽晶位置温度低，原料受热升华并在籽晶表面沉积形成晶体，现有技术中，在制备碳化硅晶体过程中，需要将复合比例的合金和碳化硅原料进行混合，混合有合金的原料受热升华，并在籽晶表面沉积生长为碳化硅晶体，掺杂元素随这一过程进入晶体，从而调节晶体电阻率，但随着晶体的生长，晶体沿生长方向的掺杂量不均匀，最终造成电阻率均匀性满足不了使用要求，晶体电阻率径向均匀性不满足使用要求，且现有的坩埚不能调节合金升华气流，不能满足现有需求。
技术实现思路
本专利技术的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种物理气相沉积制备碳化硅晶体的坩埚。为了实现上述目的，本专利技术采用了如下技术方案：一种物理气相沉积制备碳化硅晶体的坩埚，包括坩埚本体和坩埚上盖，所述坩埚上盖位于坩埚本体的上端，所述坩埚本体内的底部竖直设有多块导热片，且导热片之间相互平行，所述坩埚本体的内侧壁上设有凸块，所述凸块的上端设有圆形挡板，所述圆形挡板的上侧设有多个空心柱，所述圆形挡板的下部空间通过通孔与空心柱的内腔连通，所述空心柱远离圆形挡板的一端为封闭结构，所述空心柱以圆形挡板的轴...
【技术保护点】
一种物理气相沉积制备碳化硅晶体的坩埚，包括坩埚本体（1）和坩埚上盖（2），所述坩埚上盖（2）位于坩埚本体（1）的上端，其特征在于，所述坩埚本体（1）内的底部竖直设有多块导热片（10），且导热片（10）之间相互平行，所述坩埚本体（1）的内侧壁上设有凸块（6），所述凸块（6）的上端设有圆形挡板（5），所述圆形挡板（5）上设有通孔，所述圆形挡板（5）的上侧设有多个空心柱（7），所述圆形挡板（5）的下部空间通过通孔与空心柱（7）的内腔连通，所述空心柱（7）远离圆形挡板（5）的一端为封闭结构，所述空心柱（7）以圆形挡板（5）的轴线呈圆周对称，所述空心柱（7）的侧壁等间距设有透气孔（8），所述坩埚上盖（2）的下端设有凹槽，所述凹槽内设有籽晶（3）。
【技术特征摘要】
1.一种物理气相沉积制备碳化硅晶体的坩埚，包括坩埚本体（1）和坩埚上盖（2），所述坩埚上盖（2）位于坩埚本体（1）的上端，其特征在于，所述坩埚本体（1）内的底部竖直设有多块导热片（10），且导热片（10）之间相互平行，所述坩埚本体（1）的内侧壁上设有凸块（6），所述凸块（6）的上端设有圆形挡板（5），所述圆形挡板（5）上设有通孔，所述圆形挡板（5）的上侧设有多个空心柱（7），所述圆形挡板（5）的下部空间通过通孔与空心柱（7）的内腔连通，所述空心柱（7）远离圆形挡板（5）的一端为封闭结构，所述空心柱（7）以圆形挡板（5）的轴线呈圆周对称，所述空心柱（7）的侧壁等间距设有透气孔（8），所述坩埚上盖（2）的下端设有凹槽，所述凹槽内设有籽晶（3）...
【专利技术属性】
技术研发人员：张松林，周君君，
申请(专利权)人：成都超迈南光科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51
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