一种微纳PSS制备用软膜及其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种微纳PSS制备用软膜制造方法，步骤为：首先，用Si或SiC基板制备硬膜，然后根据制备的硬膜利用树脂注塑成型制备出软膜半成品，在软膜半成品上镀一层厚度在150nm以上的高反射率金属膜，然后采用干法ICP刻蚀去除需曝光处的金属膜，从而形成所需的软膜；还涉及一种利用上述微纳PSS制备用软膜制造方法制得的软膜，包括软膜主体、梳齿组及高反射金属层，且高反射金属层覆盖住相邻两个梳齿所形成的凹槽。本发明专利技术的优点在于：利用本发明专利技术制备的软膜在进行曝光处理时，软膜与光刻胶无需接触即可进行曝光，有效的表面了光刻胶对软膜的污染，提高了软膜的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种微纳PSS制备用软膜，还涉及上述微纳PSS制备用软膜的制造方法。
技术介绍
发光二极管（LED）是一种电光转换、高效节能、绿色环保、寿命长等优点，在交通指示、户内外全色显示、液晶电视背光源等方面有着广泛的应用，尤其是用LED可以实现半导体固态照明，其有望成为新一代光源进入千家万户，引起人类照明史上的革命，其中蓝宝石衬底生长氮化镓外延的蓝光LED芯片上涂敷黄光荧光粉，蓝光激发荧光粉发出黄光，蓝光与黄光混合得到白光，从而用蓝光LED得到白光。氮化镓衬底材料常见有二种，即蓝宝石和碳化硅，碳化硅机械加工性能差，价格昂贵以及专利方面的问题使其应用得到限制，因此当前用于氮化镓外延生长的衬底主要是蓝宝石，氮化镓外延层与蓝宝石的晶格失配度相当大，残余内应力较大，所以在蓝宝石上生长氮化镓容易造成大量的缺陷，而这些缺陷大大降低发光器件发光效率；同时GaN与空气间存在较大的折射率的差异，光出射角度较小，很大部分被全反射回到LED芯片内部，降低了光的提取效率，增加散热难度，影响LED器件的可靠性。采用纳米级PPS衬底技术可大大降低氮化物材料的位错的密度，缓和外延生长时产生的残余内应力，提高内量子效率，光提取效率大大改善。在进行微纳PSS制备的过程中，在进行曝光处理时，需要将软膜与胶深度接触，而软膜一般采用树脂材质的，因此会导致胶对软膜造成污染，同时也降低了软膜的使用寿命，为了提高软膜的使用寿命，现研究出一种新的微纳PSS的制备方法，在进行曝光处理时，软膜只需与胶微接触即可实现被曝光区域未曝光区，因此针对该工艺的改进，需要研究一种新的软膜。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种微纳PSS制备用软膜，以及上述微纳PSS制备用软膜的制造方法。为解决上述技术问题，本专利技术的技术方案为：一种微纳PSS制备用软膜制造方法，其创新点在于：包括下述步骤：a）硬膜制备：首先，根据所需图形采用Si或SiC基板制备出硬膜；b）软膜制备：根据制备的硬膜利用树脂注塑成型制备出软膜半成品；c）镀金属膜：在软膜半成品上镀一层厚度在150nm以上的高反射率金属膜；d)去金属膜：采用干法ICP刻蚀去除需曝光处的金属膜，从而形成所需的软膜。进一步的，所述步骤c中，采用电子束蒸镀或磁控溅射法镀金属膜，镀膜速率为5A/S。进一步的，所述步骤d中，干法ICP刻蚀的刻蚀速率10A/S。一种利用上述微纳PSS制备用软膜制造方法制得的软膜，其创新点在于：包括一软膜主体，该软膜主体呈长方体状，在软膜主体的长轴方向的一侧设置有梳齿组；所述梳齿组由若干并列等距分布的梳齿共同构成，在相邻的两个梳齿所形成的凹槽的内壁上还设置有高反射金属层，且高反射金属层覆盖住相邻两个梳齿所形成的凹槽。本专利技术的优点在于：本专利技术中的软膜，通过在相邻的梳齿所形成的凹槽的内壁增设高反射金属层，在进行曝光处理时，光在经过软膜时，部分光会被高反射金属层所阻挡，即可形成被曝光区域未曝光区，无需软膜与胶深入接触，提高了软膜的使用寿命。通过将高反射金属层覆盖住相邻两个梳齿所形成的凹槽的设计，避免光在到达胶之间从梳齿的侧壁射出的情况，将光完全局限于图形内，有效的提高图形分辨率。附图说明下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明。图1-图4为本专利技术的软膜的制备流程图。具体实施方式下面的实施例可以使本专业的技术人员更全面地理解本专利技术，但并不因此将本发明限制在所述的实施例范围之中。如图4所示的一种软膜，包括一软膜主体10、梳齿组及高反射金属层11。该软膜主体10呈长方体状，在软膜主体10的长轴方向的一侧设置有梳齿组。梳齿组由若干并列等距分布的梳齿共同构成，在相邻的两个梳齿所形成的凹槽的内壁上还设置有高反射金属层11，且高反射金属层11覆盖住相邻两个梳齿所形成的凹槽。上述的软膜通过下述方法进行制备：第一步，硬膜制备：首先，根据所需图形采用Si或SiC基板制备出硬膜，如图1所示。第二步，软膜制备：根据制备的硬膜利用树脂注塑成型制备出软膜半成品，如图2所示。第三步，镀金属膜：采用电子束蒸镀或磁控溅射法在软膜半成品上镀一层厚度在150nm以上的高反射率金属膜，镀膜速率为5A/S，如图3所示。第四步，去金属膜：采用干法ICP刻蚀去除需曝光处的金属膜，刻蚀速率10A/S，从而形成所需的软膜，如图4所示。本行业的技术人员应该了解，本专利技术不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本专利技术的原理，在不脱离本专利技术精神和范围的前提下，本专利技术还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本专利技术范围内。本专利技术要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种微纳PSS制备用软膜制造方法，其特征在于：包括下述步骤：a）硬膜制备：首先，根据所需图形采用Si或SiC基板制备出硬膜；b）软膜制备：根据制备的硬膜利用树脂注塑成型制备出软膜半成品；c）镀金属膜：在软膜半成品上镀一层厚度在150nm以上的高反射率金属膜；d) 去金属膜：采用干法ICP刻蚀去除需曝光处的金属膜，从而形成所需的软膜。

【技术特征摘要】
1.一种微纳PSS制备用软膜制造方法，其特征在于：包括下述步骤：
a）硬膜制备：首先，根据所需图形采用Si或SiC基板制备出硬膜；
b）软膜制备：根据制备的硬膜利用树脂注塑成型制备出软膜半成品；
c）镀金属膜：在软膜半成品上镀一层厚度在150nm以上的高反射率金属膜；
d)去金属膜：采用干法ICP刻蚀去除需曝光处的金属膜，从而形成所需的软膜。
2.根据权利要求1所述的微纳PSS制备用软膜制造方法，其特征在于：所述步骤c中，采
用电子束蒸镀或磁控溅射法镀金属膜，...

【专利技术属性】
技术研发人员：张伟，孙智江，
申请(专利权)人：海迪科南通光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32