碳化硅锭和碳化硅衬底的制造方法技术

提供了一种碳化硅锭(1)，其包括端表面(1a)和与端表面(1a)相反端表面(1b)。在碳化硅锭(1)中，端表面(1a)和端表面(1b)在生长方向上彼此面对，并且所述生长方向上的氮浓度梯度不小于1×1016cm‑4且不大于1×1018cm‑4。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
一种碳化硅锭，包括第一端表面和与所述第一端表面相反的第二端表面，所述第一端表面和所述第二端表面在生长方向上彼此面对，在所述生长方向上的氮浓度的梯度不小于1×1016cm‑4且不大于1×1018cm‑4。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：堀勉，佐佐木信，本家翼，川濑智博，
申请(专利权)人：住友电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP