具有交流电源电路的对漏电断路器进行检测的测试设备制造技术

本发明专利技术涉及一种具有交流电源电路的对漏电断路器进行检测的测试设备，包括交流电源电路、相位产生电路、交流漏电调节电路和时间检测电路；相位产生电路包括第三半波整流电路；第三半波整流电路包括：由变压器T2、二极管D5、电阻R3、R5、R6、R7和运算放大器IC1A构成的正弦波整形成电路，与运算放大器IC1A的输出端相连的由电阻R8、电容C5构成的充电电路，由二极管D6、D7构成的与门；用来设定相对于电流滞后电压135º的整定电压的电阻R9和R10，电阻R11和电位器WR1，运算放大器IC1B的输出端用于输出电流滞后电压135º的控制信号。本发明专利技术结构较为合理，能够满足使用者的特殊需求。

【技术实现步骤摘要】
本申请是申请日为“2012年07月27日”、申请号为“2012102624890”、名称为“对漏电断路器进行检测的测试设备”的专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术涉及一种测试设备，尤其涉及一种具有交流电源电路的对漏电断路器进行检测的测试设备。
技术介绍
根据国家标准GB14048.2-2001，GB16916.1-2003，GB16917.1-2003等规定：对无论是突然施加或缓慢上升的具有规定的剩余脉动直流或剩余正弦交流电流，能确保在规定时间内脱扣的漏电断路器称为A型漏电断路器。对无论是突然施加或缓慢上升的具有无直流分量的剩余正弦交流电流，能确保在规定时间内脱扣的漏电断路器，称为AC型漏电断路器。由上可知，A型漏电断路器覆盖了AC型漏电断路器的功能。上述“规定的剩余脉动电流”为以下4种情况：电流滞后电压0o的半波整流电流、电流滞后电压90o的半波整流电流、电流滞后电压135o的半波整流电流、含有6mA直流的电流滞后电压0o的半波整流电流。现有技术中不存在对A型漏电断路器进行测量的装置。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种测试范围较广且性能较为稳定可靠的对漏电断路器进行检测的测试设备。为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种具有交流电源电路的对漏电断路器进行检测的测试设备，包括交流电源电路、直流供电电路、相位产生电路、交流漏电调节电路、相位显示电路和时间检测电路；其特征在于：交流电源电路具有用于构成负载回路的第一火线端和用于构成模拟漏电回路的第二火线端，第一火线端和第二火线端用于与被测设备的火线输入端相连，所述负载回路的零线端用于与被测设备的零线端相连；所述被测设备是A型漏电断路器；相位产生电路用于与被测设备的火线输出端相连；相位产生电路包括控制按钮电路，控制按钮电路用于控制相位产生电路在所述模拟漏电回路中分别生成电流滞后电压0o的半波整流电流、电流滞后电压90o的半波整流电流、电流滞后电压135o的半波整流电流和含有6mA直流的电流滞后电压0o的半波整流电流；交流漏电调节电路用于控制所述模拟漏电回路的电流大小；时间检测电路用于测量从所述模拟漏电回路导通至A型漏电断路器脱扣所需的时间，即动作时间；所述相位产生电路包括：电流滞后电压0o的第一半波整流电路，电流滞后电压90o的第二半波整流电路，电流滞后电压135o的第三半波整流电路，6mA直流生成电路以及可控硅电流控制电路；可控硅电流控制电路根据所述第一半波整流电路、第二半波整流电路和第三半波整流电路输出的控制信号在所述模拟漏电回路中分别生成电流滞后电压0o的半波整流电流、电流滞后电压90o的半波整流电流、电流滞后电压135o的半波整流电流和含有6mA直流的电流滞后电压0o的半波整流电流；所述电流滞后电压135o的第三半波整流电路包括：正弦波整形电路、充电电路、与门、电阻R9、电阻R10、运算放大器IC1B、电阻R11、电位器WR1、三极管BG3、电阻R12、R13、按钮开关SB1、电阻R58、三极管BG18、光耦芯片IC4、电阻R59、双向可控硅BG19、电阻R60和电阻R61；正弦波整形电路由变压器T2、二极管D5、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7和运算放大器IC1A构成；充电电路由电阻R8和电容C5构成，电阻R8和电容C5依次与运算放大器IC1A的输出端相连；与门由二极管D6和D7构成，二极管D6的负极接电阻R8，二极管D6的正极接运算放大器IC1B的正极；二极管D7的负极接运算放大器IC1A的输出端，电阻R9和电阻R10各自的输入端接二极管D7的正极，电阻R9和电阻R10用于设定相对于电流滞后电压135o的整定电压；电阻R11的输入端接电阻R9的输出端，电阻R11的输出端接运算放大器IC1B的反向输入端；电位器WR1的一端接运算放大器IC1B的反向输入端；电阻R11和电位器WR1用来调节运算放大器IC1B的反向输入端的相对于电流滞后电压135o的比较电压；三极管BG3的基极通过电阻R12接运算放大器IC1B的输出端，三极管BG3的发射极接电阻R11的输入端和按钮开关SB1，三极管BG3的发射极接电阻R13的输入端，三极管BG3与电阻R13构成射极跟随器；电位器WR1的调节端和电阻R10的输出端均与电阻R13的输出端相连；电阻R12用作三极管BG3基极的限流电阻；运算放大器IC1B的输出端用于输出电流滞后电压135o的控制信号；电阻R13上的电流滞后电压135o的控制信号通过按钮开关SB1、电阻R58送给三极管BG18，三极管BG18驱动光耦芯片IC4，电阻R59是对光耦芯片IC4进行限流的限流电阻，保证光耦芯片IC4有效工作；光耦芯片IC4用以隔离交流220V与相位产生电路直流部分，控制双向可控硅BG19的导通和关断，电阻R60和电阻R61用于控制双向可控硅BG19的G极输入电流，使输入信号足够触发双向可控硅BG19导通；双向可控硅BG19的A、K二极串联在负载与交流电源之间，流过负载的电流就是滞后于电压135o的半波整流电流；控制双向可控硅BG19即可控制线路中通过规定的剩余脉动电流，调节电位器WR3、WR4和WR5控制漏电流大小；当按钮开关SB10闭合时，按钮开关SB10的两个中间触点用于相位产生电路输出波形的检测；所述可控硅电流控制电路包括：根据所述第一半波整流电路、第二半波整流电路和第三半波整流电路输出的控制信号而导通的三极管BG18、由三极管BG18驱动的光耦芯片IC4，由光耦芯片IC4控制通断的双向可控硅BG19，双向可控硅BG19的A、K极串联在所述模拟漏电回路中；交流漏电调节电路由变压器T4输出26V交流电，其输出端一端与波段开关SA2串联后接至交流输出接线柱L1，另一端与电流表、漏电调节电阻、双向可控硅BG19、波段开关SA3串联后，连接至交流输出接线柱L2。本专利技术具有积极的效果：（1）本专利技术通过改进第三半波整流电路，使其结构较为合理，能够有效满足特殊漏电断路器的测试需求。附图说明下面将结合附图对本专利技术作进一步的解释，其中附图如下：图1为实施例1的测试设备的外形结构示意图；图2为实施例1的测试设备的部分电原理图；图3为实施例1的测试设备的另一部分电原理图。具体实施方式（实施例1）见图1-3，本实施例是一种用于测试漏电断路器的包括，包括：交流电源电路1、直流供电电路7、相位产生电路2、交流漏电调节电路3、相位显示电路6、指示灯电路5和时间检测电路4。交流电源电路1具有用于构成负载回路的第一火线端和用于构成模拟漏电回路的第二火线端，第一火线端和第二火线端用于与被测设备9的火线输入端相连，所述负载回路的零线端用于与被测设备9的零线端相连。本实施例中被测设备9是A型漏电断路器。相位产生电路2用于与被测设备9的火线输出端L2相连；相位产生电路2包括控制按钮电路，控制按钮电路用于控制相位产生电路2在所述模拟漏电回路中分别生成电流滞后电压0o的半波整流电流、电流滞后电压90o本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有交流电源电路的对漏电断路器进行检测的测试设备，包括交流电源电路、直流供电电路、相位产生电路、交流漏电调节电路、相位显示电路和时间检测电路；其特征在于：交流电源电路具有用于构成负载回路的第一火线端和用于构成模拟漏电回路的第二火线端，第一火线端和第二火线端用于与被测设备的火线输入端相连，所述负载回路的零线端用于与被测设备的零线端相连；所述被测设备是A型漏电断路器；相位产生电路用于与被测设备的火线输出端相连；相位产生电路包括控制按钮电路，控制按钮电路用于控制相位产生电路在所述模拟漏电回路中分别生成电流滞后电压0º的半波整流电流、电流滞后电压90º的半波整流电流、电流滞后电压135º的半波整流电流和含有6mA直流的电流滞后电压0º的半波整流电流；交流漏电调节电路用于控制所述模拟漏电回路的电流大小；时间检测电路用于测量从所述模拟漏电回路导通至A型漏电断路器脱扣所需的时间，即动作时间；所述相位产生电路包括：电流滞后电压0º的第一半波整流电路，电流滞后电压90º的第二半波整流电路，电流滞后电压135º的第三半波整流电路，6mA直流生成电路以及可控硅电流控制电路；可控硅电流控制电路根据所述第一半波整流电路、第二半波整流电路和第三半波整流电路输出的控制信号在所述模拟漏电回路中分别生成电流滞后电压0º的半波整流电流、电流滞后电压90º的半波整流电流、电流滞后电压135º的半波整流电流和含有6mA直流的电流滞后电压0º的半波整流电流；所述电流滞后电压135º的第三半波整流电路包括：正弦波整形电路、充电电路、与门、电阻R9、电阻R10、运算放大器IC1B、电阻R11、电位器WR1、三极管BG3、电阻R12、R13、按钮开关SB1、电阻R58、三极管BG18、光耦芯片IC4、电阻R59、双向可控硅BG19、电阻R60和电阻R61；正弦波整形电路由变压器T2、二极管D5、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7和运算放大器IC1A构成；充电电路由电阻R8和电容C5构成，电阻R8和电容C5依次与运算放大器IC1A的输出端相连；与门由二极管D6和D7构成，二极管D6的负极接电阻R8，二极管D6的正极接运算放大器IC1B的正极；二极管D7的负极接运算放大器IC1A的输出端，电阻R9和电阻R10各自的输入端接二极管D7的正极，电阻R9和电阻R10用于设定相对于电流滞后电压135º的整定电压；电阻R11的输入端接电阻R9的输出端，电阻R11的输出端接运算放大器IC1B的反向输入端；电位器WR1的一端接运算放大器IC1B的反向输入端；电阻R11和电位器WR1用来调节运算放大器IC1B的反向输入端的相对于电流滞后电压135º的比较电压；三极管BG3的基极通过电阻R12接运算放大器IC1B的输出端，三极管BG3的发射极接电阻R11的输入端和按钮开关SB1，三极管BG3的发射极接电阻R13的输入端，三极管BG3与电阻R13构成射极跟随器；电位器WR1的调节端和电阻R10的输出端均与电阻R13的输出端相连；电阻R12用作三极管BG3基极的限流电阻；运算放大器IC1B的输出端用于输出电流滞后电压135º的控制信号；电阻R13上的电流滞后电压135º的控制信号通过按钮开关SB1、电阻R58送给三极管BG18，三极管BG18驱动光耦芯片IC4，电阻R59是对光耦芯片IC4进行限流的限流电阻，保证光耦芯片IC4有效工作；光耦芯片IC4用以隔离交流220V与相位产生电路直流部分，控制双向可控硅BG19的导通和关断，电阻R60和电阻R61用于控制双向可控硅BG19的G极输入电流，使输入信号足够触发双向可控硅BG19导通；双向可控硅BG19的A、K二极串联在负载与交流电源之间，流过负载的电流就是滞后于电压135º的半波整流电流；控制双向可控硅BG19即可控制线路中通过规定的剩余脉动电流，调节电位器WR3、WR4和WR5控制漏电流大小；当按钮开关SB10闭合时，按钮开关SB10的两个中间触点用于相位产生电路输出波形的检测；所述可控硅电流控制电路包括：根据所述第一半波整流电路、第二半波整流电路和第三半波整流电路输出的控制信号而导通的三极管BG18、由三极管BG18驱动的光耦芯片IC4，由光耦芯片IC4控制通断的双向可控硅BG19，双向可控硅BG19的A、K极串联在所述模拟漏电回路中；交流漏电调节电路由变压器T4输出26V交流电，其输出端一端与波段开关SA2串联后接至交流输出接线柱L1，另一端与电流表、漏电调节电阻、双向可控硅BG19、波段开关SA3串联后，连接至交流输出接线柱L2。...

【技术特征摘要】
1.一种具有交流电源电路的对漏电断路器进行检测的测试设备，包括交流电源电路、直流供电电路、相位产生电路、交流漏电调节电路、相位显示电路和时间检测电路；其特征在于：交流电源电路具有用于构成负载回路的第一火线端和用于构成模拟漏电回路的第二火线端，第一火线端和第二火线端用于与被测设备的火线输入端相连，所述负载回路的零线端用于与被测设备的零线端相连；所述被测设备是A型漏电断路器；相位产生电路用于与被测设备的火线输出端相连；相位产生电路包括控制按钮电路，控制按钮电路用于控制相位产生电路在所述模拟漏电回路中分别生成电流滞后电压0o的半波整流电流、电流滞后电压90o的半波整流电流、电流滞后电压135o的半波整流电流和含有6mA直流的电流滞后电压0o的半波整流电流；交流漏电调节电路用于控制所述模拟漏电回路的电流大小；时间检测电路用于测量从所述模拟漏电回路导通至A型漏电断路器脱扣所需的时间，即动作时间；
所述相位产生电路包括：电流滞后电压0o的第一半波整流电路，电流滞后电压90o的第二半波整流电路，电流滞后电压135o的第三半波整流电路，6mA直流生成电路以及可控硅电流控制电路；可控硅电流控制电路根据所述第一半波整流电路、第二半波整流电路和第三半波整流电路输出的控制信号在所述模拟漏电回路中分别生成电流滞后电压0o的半波整流电流、电流滞后电压90o的半波整流电流、电流滞后电压135o的半波整流电流和含有6mA直流的电流滞后电压0o的半波整流电流；
所述电流滞后电压135o的第三半波整流电路包括：正弦波整形电路、充电电路、与门、电阻R9、电阻R10、运算放大器IC1B、电阻R11、电位器WR1、三极管BG3、电阻R12、R13、按钮开关SB1、电阻R58、三极管BG18、光耦芯片IC4、电阻R59、双向可控硅BG19、电阻R60和电阻R61；
正弦波整形电路由变压器T2、二极管D5、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7和运算放大器IC1A构成；
充电电路由电阻R8和电容C5构成，电阻R8和电容C5依次与运算放大器IC1A的输出端相连；
与门由二极管D6和D7构成，二极管D6的负极接电阻R8，二极管D6的正极接运算放大器IC1B的正极；二极管D7的负极接运算放大器IC1A的输出端，电阻R9和电阻R1...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：胡小青，
类型：发明
国别省市：江苏;32