一种硅整流二极管制造技术

技术编号:13225272 阅读:111 留言:0更新日期:2016-05-13 10:05
本发明专利技术公开了一种硅整流二极管,涉及二极管领域,包括晶粒、引线装置和环氧塑封体,所述引线装置包括上引线装置和下引线装置,所述上引线装置和下引线装置分别连接晶粒的上端和下端,所述环氧塑封体包裹着除上引线装置和下引线装置的外端面之外的整个二极管部分,所述上引线装置和下引线装置均通过焊料焊接晶粒上,所述晶粒采用半导体硅制作,该种硅整流二极管可广泛适用于各种整流二极管的使用场合,且体积较小,成本低,值得推广。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及二极管领域,具体涉及一种硅整流二极管
技术介绍
膨化机是食品机械中常见的一种机械设备,其作用是将原物膨化到90倍以上,主要以面粉、大米、玉米、高粱米、黄米等为原料,添加各种调料,利用自身发热能将原物膨化成90倍以上的膨化果,现有的膨化机机器多为整体式,结构复杂不易拆卸、修理,且不适用于家用。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种硅整流二极管,以解决现有技术中导致的上述多项缺陷。—种硅整流二极管,包括晶粒、引线装置和环氧塑封体,所述引线装置包括上引线装置和下引线装置,所述上引线装置和下引线装置分别连接晶粒的上端和下端,所述环氧塑封体包裹着除上引线装置和下引线装置的外端面之外的整个二极管部分,所述上引线装置和下引线装置均通过焊料焊接于晶粒上,所述晶粒采用半导体硅制作。优选的,所述上引线装置和下引线装置均为丁字型结构。优选的,所述上引线装置和下引线装置均包括连接层、防护层、凸台和引线,所述连接层、防护层和引线层叠设置,所述凸台设于引线前端。优选的,所述晶粒与连接层连接面的表面积相等。优选的,所述上引线装置和下引线装置的连接层和防护层直径为1.5mm,所述引线直径为0.5mm。本专利技术的有益效果:该种硅整流二极管,通过该种结构设计,由于该半导体硅制作的晶粒的PN结较厚,并且外表采用阻介系数较高的环氧模封体封装,使得该二极管在将交变电流转换成直流时可以保证电流的大小和稳定性,且在制作过程中将引线装置和晶粒作了改进后连接在一起,在减少了产品体积和原材料消耗的同时还保证了产品的性能,所述环氧塑封体可以有效保护二极管内的晶粒和引线转置不被氧化,该种硅整流二极管可广泛适用于各种整流二极管的使用场合,且体积较小,成本低,值得推广,所述上引线装置和下引线装置均为丁字型结构,可以兼顾该二极管整体体积和防护功能,在保证安全通过最大电流的前提下尽量较少产品体积,所述上引线装置和下引线装置均包括连接层、防护层、凸台和引线,所述连接层、防护层和引线层叠设置,所述凸台设于引线前端,该种结构可以保证二极管可以承受较高的反向电压,防护层可以防止引线加工时污染晶粒,所述晶粒与连接层连接面的表面积相等,可以最大化二极管传输电流效率,所述上引线装置和下引线装置的连接层和防护层直径为1.5mm,所述引线直径为0.5mm,该直径大小大于理论上接受最大电流的最小直径。【附图说明】图1为本专利技术所述的一种硅整流二极管的结构示意图。图2为本专利技术所述的一种硅整流二极管的上引线装置部分的结构示意图。其中:丨一晶粒,2一上引线装置,3一下引线装置,4一环氧塑封体,5一连接层,6一防护层,7—凸台,8—引线。【具体实施方式】为使本专利技术实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解,下面结合【具体实施方式】,进一步阐述本专利技术。如图1和图2所示,一种硅整流二极管,包括晶粒1、引线装置和环氧塑封体4,所述弓丨线装置包括上引线装置2和下引线装置3,所述上引线装置2和下引线装置3分别连接晶粒I的上端和下端,所述环氧塑封体4包裹着除上引线装置2和下引线装置3的外端面之外的整个二极管部分,所述上引线装置2和下引线装置4均通过焊料焊接于晶粒I上,所述晶粒I采用半导体硅制作。该种硅整流二极管,通过该种结构设计,由于该半导体硅制作的晶粒I的PN结较厚,并且外表采用阻介系数较高的环氧模封体4封装,使得该二极管在将交变电流转换成直流时可以保证电流的大小和稳定性,且在制作过程中将引线装置和晶粒I作了改进后连接在一起,在减少了产品体积和原材料消耗的同时还保证了产品的性能,所述环氧塑封体4可以有效保护二极管内的晶粒I和引线转置不被氧化,该种硅整流二极管可广泛适用于各种整流二极管的使用场合,且体积较小,成本低,值得推广。在本实施例中,所述上引线装置2和下引线装置3均为丁字型结构,可以兼顾该二极管整体体积和防护功能,在保证安全通过最大电流的前提下尽量较少产品体积,所述上弓丨线装置2和下引线装置4均包括连接层5、防护层6、凸台7和引线8,所述连接层5、防护层6和引线8层叠设置,所述凸台7设于引线8前端,该种结构可以保证二极管可以承受较高的反向电压,防护层6可以防止引线加工时污染晶粒,所述晶粒I与连接层5连接面的表面积相等,可以最大化二极管传输电流效率,所述上引线装置3和下引线装置3的连接层5和防护层6直径为1.5mm,所述引线8直径为0.5mm,该直径大小大于理论上接受最大电流的最小直径。基于上述,本专利技术在将交变电流转换成直流时可以保证电流的大小和稳定性,且在制作过程中将引线和晶粒作了改进后连接在一起,在减少了产品体积和原材料消耗的同时还保证了产品的性能,该种硅整流二极管可广泛适用于各种整流二极管的使用场合,且体积较小,成本低,值得推广。由技术常识可知,本专利技术可以通过其它的不脱离其精神实质或必要特征的实施方案来实现。因此,上述公开的实施方案,就各方面而言,都只是举例说明,并不是仅有的。所有在本专利技术范围内或在等同于本专利技术的范围内的改变均被本专利技术包含。【主权项】1.一种硅整流二极管,其特征在于,包括晶粒、引线装置和环氧塑封体,所述引线装置包括上引线装置和下引线装置,所述上引线装置和下引线装置分别连接晶粒的上端和下端,所述环氧塑封体包裹着除上引线装置和下引线装置的外端面之外的整个二极管部分,所述上引线装置和下引线装置均通过焊料焊接于晶粒上,所述晶粒采用半导体硅制作。2.根据权利要求1所述的一种硅整流二极管,其特征在于:所述上引线装置和下引线装置均为丁字型结构。3.根据权利要求1所述的一种硅整流二极管,其特征在于:所述上引线装置和下引线装置均包括连接层、防护层、凸台和引线,所述连接层、防护层和引线层叠设置,所述凸台设于引线前端。4.根据权利要求3所述的一种硅整流二极管,其特征在于:所述晶粒与连接层连接面的表面积相等。5.根据权利要求4所述的一种硅整流二极管,其特征在于:所述上引线装置和下引线装置的连接层和防护层直径为1.5mm,所述引线直径为0.5mm。【专利摘要】本<b>专利技术</b>公开了<b>一种硅整流二极管</b>,涉及二极管领域,包括晶粒、引线装置和环氧塑封体,所述引线装置包括上引线装置和下引线装置,所述上引线装置和下引线装置分别连接晶粒的上端和下端,所述环氧塑封体包裹着除上引线装置和下引线装置的外端面之外的整个二极管部分,所述上引线装置和下引线装置均通过焊料焊接晶粒上,所述晶粒采用半导体硅制作,该种硅整流二极管可广泛适用于各种整流二极管的使用场合,且体积较小,成本低,值得推广。【IPC分类】H01L29/06, H01L23/49, H01L23/31, H01L29/861【公开号】CN105552111【申请号】CN201610075454【专利技术人】黄仲濬, 蒋文甄 【申请人】泰州优宾晶圆科技有限公司【公开日】2016年5月4日【申请日】2016年2月3日本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硅整流二极管,其特征在于,包括晶粒、引线装置和环氧塑封体,所述引线装置包括上引线装置和下引线装置,所述上引线装置和下引线装置分别连接晶粒的上端和下端,所述环氧塑封体包裹着除上引线装置和下引线装置的外端面之外的整个二极管部分,所述上引线装置和下引线装置均通过焊料焊接于晶粒上,所述晶粒采用半导体硅制作。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:黄仲濬蒋文甄
申请(专利权)人:泰州优宾晶圆科技有限公司
类型:发明
国别省市:江苏;32

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