一种MOS管的同步自驱动电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种MOS管的同步自驱动电路，包括三极管Q2、三极管Q3、三极管Q4、二极管D1、电阻R3、电阻R4、辅助电源Vcc。通过采用本实用新型专利技术中的MOS管的同步自驱动电路，代替了原有价格高昂的控制芯片来为同步整流被驱动的MOS管提供同步自驱动信号，其通用性强，可应用于不同的拓扑结构电路中，更具有实用价值。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及开关电源，尤其涉及一种MOS管的同步自驱动电路。
技术介绍
目前在输出电压较低(小于60V)的情况下，用MOS管代替二极管整流的同步整流方案，能够显著提高电源的转换效率。而常规MOS管同步整流驱动电路，一般采用专用芯片控制，其成本高昂，并且不同的拓扑结构需要用到不同的同步整流驱动控制芯片，即常规方案的通用性不强。鉴于上述现有的被驱动的MOS管同步整流驱动电路存在的缺陷，本专利技术人基于从事此类产品工程应用多年丰富的实务经验及专业知识，并配合学理的运用，积极加以研究创新，以期创设一种被驱动的MOS管的同步自驱动电路，使其更具有实用性。
技术实现思路
本技术中提供了一种被驱动的MOS管的同步自驱动电路，代替了原有价格高昂的控制芯片来为同步整流被驱动的MOS管提供同步自驱动信号，其通用性强，可应用于不同的拓扑结构中，更具有实用价值。本技术采取的技术方案为:一种MOS管的同步自驱动电路，包括三极管Q2、三极管Q3、三极管Q4、二极管D1、电阻R3、电阻R4、辅助电源Vcc;其中三极管Q2的内部有两个对称的NPN三极管Q21和Q22，二极管Dl的内部有两个对称的二极管Dl I和Dl 2;三极管Q21的基极B1、三极管Q22的基极B2和集电极C2连接后形成连接节点，连接节点通过电阻R3与辅助电源Vcc正极连接;三极管Q21的发射极EI与二极管Dl I的阳极连接；所三极管述Q22的发射极E2与二极管D12的阳极连接;三极管Q21的集电极Cl通过电阻R4与辅助电源Vcc正极连接；三极管Q3的基极B3和三极管Q4的基极B4的连接节点与集电极Cl连接;三极管Q3的发射极E3和三极管Q4的发射极E4的连接节点与被驱动的MOS管的栅极G连接;三极管Q4的集电极C4与辅助电源Vcc正极连接;三极管Q3的集电极C3、二极管D11的阴极和被驱动的MOS管的源极S通过同一节点连接;二极管D12的阴极与被驱动的MOS管的漏极D连接；辅助电源Vcc负极与被驱动的MOS管的源极S连接。进一步地，所述三极管Q21和Q22的电气特性相同。进一步地，所述二极管Dll和D12的电气特性相同。进一步地，三极管Q3为PNP三极管，三极管Q4为NPN三极管。进一步地，被驱动的MOS管的同步自驱动电路还包括二极管D2，二极管D2的阳极与三极管Q21的基极B1、三极管Q22的基极B2和集电极C2三者的连接节点连接，二极管D2的阴极与集电极Cl连接。进一步地，三极管Q3的基极B3和三极管Q4的基极B4的连接节点通过电阻R2与被驱动的MOS管的源极S连接。进一步地，三极管Q3的发射极E3和三极管Q4的发射极E4的连接节点与被驱动的MOS管的栅极G之间还设置有电阻Rl。进一步地，辅助电源Vcc设置有去耦电容C，去耦电容C 一端与辅助电源Vcc正极连接，另一端与被驱动的MOS管的源极S连接。进一步地，辅助电源Vcc负极与被驱动的MOS管的源极S之间的电压值在+3.3V?+20V之间。采用了上述技术方案后，本技术具有以下的有益效果:1、本技术中的被驱动的MOS管同步自驱动电路代替了原有价格高昂的同步整流控制芯片来为同步整流MOS管提供同步自驱动信号，在降低成本的同时，增强了其通用性，可应用于不同的拓扑结构中，更具有实用价值；2、被驱动的MOS管驱动信号跟随被驱动的MOS管的漏极一源极的电流变化，不会有误驱动的情况发生，即被驱动的MOS管需要导通的情况下，才会有驱动信号产生；不需要导通的情况下，则不会有驱动信号产生，使得电路工作可靠性高；当电流从被驱动的MOS管的源极S流向漏极D时，被驱动的MOS管的源极S的电位高于漏极D的电位，因此二极管Dll的阳极电位高于二极管D12的阳极电位，由于三极管Q21和Q22的电气特性相同，因此当基极B2 —发射极E2这个PN结正向导通时，基极BI —发射极EI这个PN结反向截止，集电极Cl与发射极EI之间也截止，此时集电极Cl为高电平，二极管Q4饱和导通，通过电阻Rl给被驱动的MOS管提供一个高电平的驱动信号；当电流从被驱动的MOS管的漏极D流向源极S时，已经被开通的MOS管的漏极D的电位高于源极S的电位，因此二极管D12的阳极电位高于二极管Dll的阳极电位，此时基极BI —发射极EI这个PN结正向导通，基极B2 —发射极E2这个PN结反向截止，集电极Cl的电位被钳制在VB1E1+VF，此时虽然Q3会饱和导通，但因其发射极电位Vces值小于被驱动的MOS管的最小开通阈值电压，因此被驱动的MOS管将会被关闭。3、将三极管Q21和Q22、二极管Dll和D12分别采用了集成在同一片芯片上，在相同的生产条件并保证相同的性能参数的情况下，方便大批量制造使用;在满足电路要求的同时，节约了成本。【附图说明】为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见，下面描述中的附图仅仅是本技术中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本技术的MOS管的同步自驱动电路；图2为图1中三极管Q2的局部放大图；图3为降压式同步整流电路的应用示意图；图4为反激式同步整流电路；图5为正激式同步整流电路；图6为半桥式同步整流电路；图7为LLC同步整流电路。【具体实施方式】为了使本
的人员更好地理解本技术中的技术方案，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本技术保护的范围。本技术实施例采用递进的方式撰写。一种MOS管的同步自驱动电路，包括三极管Q2、PNP三极管Q3、NPN三极管Q4、二极管D1、电阻R3、电阻R4、辅助电源Vcc;其中三极管Q2的内部有两个对称的NPN三极管Q21和Q22，三极管Q21和Q22的电气特性相同；二极管Dl的内部有两个对称的二极管Dll和D12，二极管Dll和D12的电气特性相同；三极管Q21的基极B1、三极管Q22的基极B2和集电极C2连接后形成连接节点，连接节点通过电阻R3与辅助电源Vcc正极连接;三极管Q21的发射极El与二极管Dl I的阳极连接;所三极管述Q22的发射极E2与二极管Dl 2的阳极连接;三极管Q21的集电极Cl通过电阻R4与辅助电源Vcc正极连接;三极管Q3的基极B3和三极管Q4的基极B4的连接节点与集电极Cl连接;三极管Q3的发射极E3和三极管Q4的发射极E4的连接节点与被驱动的MOS管的栅极G连接;三极管Q4的集电极C4与辅助电源Vcc正极连接;三极管Q3的集电极C3、二极管Dll的阴极和被驱动的MOS管的源极S通过同一节点连接;二极管D12的阴极与被驱动的MOS管的漏极D连接;辅助电源Vcc负极与被驱动的MOS管的源极S连接。MOS管的同步自驱动电路还包括二极管D2，二极管D2的阳极与三极管Q21的基极B1、三极管Q22的基极B2和集电极C2三者的连接节点连接，二极管D2本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种MOS管的同步自驱动电路，其特征在于，包括三极管Q2、三极管Q3、三极管Q4、二极管D1、电阻R3、电阻R4、辅助电源Vcc；其中三极管Q2的内部有两个对称的NPN三极管Q21和Q22，二极管D1的内部有两个对称的二极管D11和D12；所述三极管Q21的基极B1、三极管Q22的基极B2和集电极C2连接后形成连接节点，所述连接节点通过电阻R3与辅助电源Vcc正极连接；所述三极管Q21的发射极E1与所述二极管D11的阳极连接；所述三极管Q22的发射极E2与所述二极管D12的阳极连接；所述三极管Q21的集电极C1通过电阻R4与所述辅助电源Vcc正极连接；所述三极管Q3的基极B3和三极管Q4的基极B4的连接节点与所述集电极C1连接；所述三极管Q3的发射极E3和三极管Q4的发射极E4的连接节点与被驱动的MOS管的栅极G连接；所述三极管Q4的集电极C4与所述辅助电源Vcc正极连接；所述三极管Q3的集电极C3、二极管D11的阴极和被驱动的MOS管源极S通过同一节点连接；所述二极管D12的阴极与被驱动的MOS管漏极D连接；所述辅助电源Vcc负极与被驱动的MOS管源极S连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：兰爱春，
申请(专利权)人：常州诚联电源股份有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32