一种热熔胶膜转移石墨烯的方法技术

本发明专利技术公开一种热熔胶膜转移石墨烯的方法，该方法包括如下步骤：（1）将生长在衬底上的石墨烯、热熔胶膜和目标基底叠在一起，然后用热压辊压合；（2）压合后，除去石墨烯上的生长衬底。与现有石墨烯转移方法相比，本发明专利技术方法转移得到的石墨烯电阻较低，透光率较高，且操作简单。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于透明导电薄膜材料领域，具体涉及一种利用热熔胶膜转移石墨烯的方法。
技术介绍
石墨烯是碳原子按六角结构紧密堆积成的单原子层二维晶体，除了具有优异的光学、热学、力学等特性，石墨烯还具有优越的电性能，在高频电子器件中有着巨大的应用价值。由于石墨烯是二维的原子晶体薄膜，要使石墨烯能够真正的使用必须将石墨烯转移至三维的目标衬底上，因此石墨烯的转移技术是不可或缺的工艺手段。目前转移石墨烯常见的方法有:一是把生长有石墨烯薄膜的金属衬底直接与目标基材贴附在一起，然后采用化学蚀刻或其他蚀刻方式将金属衬底蚀刻掉;第二种方法为把生长有石墨烯的金属衬底贴附在过程转移基材上，将金属衬底蚀刻后再把石墨烯薄膜留在过程转移基材上，然后通过一定工艺技术将过程转移基材上的石墨烯薄膜转移至目标基材上;另外目前有一种新的方法在生长有石墨烯的金属衬底上涂布一层树脂，再将涂布有树脂的金属衬底与目标基材贴合在一起使用某种方法使树脂固化，将金属衬底蚀刻后使石墨烯留在树脂上，形成石墨烯/树月旨/目标基底的结构。其中第一种方法由于金属衬底无法很好的与目标基底贴合在一起，导致成品膜出现皱褶、不平整、破损等问题;第二种方法转移单层石墨烯电阻较高，转移多层石墨烯，透光率下降，严重影响石墨烯的应用效果;第三种方法能够大幅度的降低电阻，但操作比较麻烦，对树脂的涂布技术要求较高。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是克服现有的缺陷，提供了。为了解决上述技术问题，本专利技术提供了如下的技术方案: ，包括如下步骤: (1)将生长在衬底上的石墨烯、热熔胶膜和目标基底叠在一起，然后用热压辊压合； (2)压合后，除去石墨烯上的生长衬底。进一步，所述热熔胶膜的厚度为30-100微米； 进一步，所述热熔胶膜为乙烯-醋酸乙烯酯共聚物热熔胶膜、聚酰胺热熔胶膜、共聚酯热熔胶膜、聚烃烯热熔胶膜或聚氨酯热熔胶膜。进一步，压合时，热压辊温度为100-300 0C。进一步，所述目标基底为聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯、聚丙烯、玻璃或硅片。进一步，采用化学腐蚀法、机械剥离法或鼓泡法除去石墨烯上的生长衬底。与现有石墨烯转移方法相比，本专利技术方法转移得到的石墨烯电阻较低，透光率较高，且操作简单。【附图说明】附图用来提供对本专利技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本专利技术的实施例一起用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的限制。在附图中: 图1是本专利技术的工艺流程示意图。【具体实施方式】以下结合附图对本专利技术的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。实施例1 热熔胶膜转移石墨烯的工艺流程如图1所示，具体过程如下: (1)采用常规气相沉积法在铜箔上生长石墨烯，再将生长有石墨烯的铜箔展形，得到铜箔/石墨稀； (2)将生长在铜箔上的石墨烯、市售聚氨酯热熔胶膜(型号:H3T6，厚度50μπι，昆山慧安塑胶有限公司)和聚对苯二甲酸乙二酯(PET)基底叠在一起，再经过180°C的热压辊压合，使热熔胶膜熔融，从而将石墨烯与目标基底紧密粘贴，得到PET/热熔胶膜/石墨烯/铜箔； (3)将PET/热熔胶膜/石墨烯/铜箔置于盐酸和双氧水的混合溶液中刻蚀，每隔3min取出用去离子水和乙醇清洗铜箔的表面，直至铜箔完全去除，最后用去离子水清洗，热风吹干，得到PET/热熔胶膜/石墨烯，方阻160 Ω/Π，透光率90.6%。采用常规涂布树脂的方法将生长在铜箔上的石墨烯转移至PET上，所得PET/树脂/石墨烯的方阻250 Ω/□，透光率88%。实施例2 (1)采用常规气相沉积法在铜箔上生长石墨烯后，再将生长有石墨烯的铜箔展形，得到铜箔/石墨稀； (2)将生长在铜箔上的石墨烯、市售聚酰胺热熔胶膜(型号:H3S2，厚度40μπι，昆山慧安塑胶有限公司)和聚对苯二甲酸乙二酯(PET)基底叠在一起，再经过150°C的热压辊压合，使热熔胶膜熔融，从而将石墨烯与目标基底紧密粘贴，得到PET/热熔胶膜/石墨烯/铜箔； (3)采用鼓泡法(鼓泡法为现有技术在此不多介绍，如“化学气相沉积法合成石墨烯的转移技术研究进展”黄曼等，化学通报，2012年第11期)除去PET/热熔胶膜/石墨烯/铜箔中的衬底铜箔，得到PET/热熔胶膜/石墨烯，方阻150 Ω/Π，透光率90.1%。最后应说明的是:以上所述仅为本专利技术的优选实施例而已，并不用于限制本专利技术，尽管参照前述实施例对本专利技术进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本专利技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本专利技术的保护范围之内。【主权项】1.，包括如下步骤: (1)将生长在衬底上的石墨烯、热熔胶膜和目标基底叠在一起，然后用热压辊压合； (2)压合后，除去石墨烯上的生长衬底。2.根据权利要求1所述热熔胶膜转移石墨烯的方法，其特征在于，所述热熔胶膜的厚度为30-100微米。3.根据权利要求1所述热熔胶膜转移石墨烯的方法，其特征在于，所述热熔胶膜为乙烯-醋酸乙烯酯共聚物热熔胶膜、聚酰胺热熔胶膜、共聚酯热熔胶膜、聚烃烯热熔胶膜或聚氨酯热熔胶膜。4.根据权利要求1所述热熔胶膜转移石墨烯的方法，其特征在于，压合时，热压辊温度^ 100-300 0C ο5.根据权利要求1所述热熔胶膜转移石墨烯的方法，其特征在于，所述目标基底为聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯、聚丙烯、玻璃或硅片。6.根据权利要求1所述热熔胶膜转移石墨烯的方法，其特征在于，采用化学腐蚀法、机械剥离法或鼓泡法除去石墨烯上的生长衬底。【专利摘要】本专利技术公开，该方法包括如下步骤：（1）将生长在衬底上的石墨烯、热熔胶膜和目标基底叠在一起，然后用热压辊压合；（2）压合后，除去石墨烯上的生长衬底。与现有石墨烯转移方法相比，本专利技术方法转移得到的石墨烯电阻较低，透光率较高，且操作简单。【IPC分类】C01B31/04【公开号】CN105565303【申请号】CN201510983668【专利技术人】王小蓓, 杨军, 王炜, 谭化兵 【申请人】无锡格菲电子薄膜科技有限公司【公开日】2016年5月11日【申请日】2015年12月24日本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种热熔胶膜转移石墨烯的方法，包括如下步骤：（1）将生长在衬底上的石墨烯、热熔胶膜和目标基底叠在一起，然后用热压辊压合；（2）压合后，除去石墨烯上的生长衬底。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王小蓓，杨军，王炜，谭化兵，
申请(专利权)人：无锡格菲电子薄膜科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32