本发明专利技术公开了一种GPP整流二极管，涉及二极管领域，包括p型半导体电极、n型半导体电极以及所述p型半导体电极与n型半导体电极相互烧结而成的结界面，结面上附着有GPP芯片， p型半导体电极与n型半导体电极分别连接有p极弱电检测装置和n极弱电检测装置，本发明专利技术可防止电压电流过大烧毁二极管，内部电容单位相当于小型的纽扣电池，用来维护别的元器件保持电流通路一直存在，所述弱点监测装置能够检测出电压和电流情况，便于知晓电路的导通，且该装置散热性也较好。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及二极管领域，具体涉及一种GPP整流二极管。
技术介绍
GPP 玻璃纯化器件，Gpp是Glassi vat 1n(玻璃化)passivat1n(纯化)parts (元件)or parts of an apparats(器件)词组的缩写，是玻璃钝化类器件的统称，它泛指引入或包含有结质膜保护工艺手段的全部有源器件。可是，由于玻璃钝化工艺措施对结界面裸露于体外的多种平面类二极管应用效果更为显著，并且已成为成功的典型应用，从而使Gpp(Glassivat1n passivat1n parts)逐渐成为了 “玻璃钝化二极管”的代名词了。现有技术中的GPP二极管装配不便，且导通测试较为繁琐，散热性差。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种GPP整流二极管，以解决现有技术中导致的上述多项缺陷。—种GPP整流二极管，包括P型半导体电极、η型半导体电极以及所述P型半导体电极与η型半导体电极相互烧结而成的结界面，结面上附着有GPP芯片，P型半导体电极与η型半导体电极分别连接有P极弱电检测装置和η极弱电检测装置。优选的，所述P型半导体电极与η型半导体电极连接处采用聚合硅烧结，且外部设有由高硼硅玻璃制成的电极电路保护壳。优选的，所述电极电路保护壳外侧设有硅脂涂层。优选的，所述电极电路保护壳的厚度为l_2mm。优选的，所述P极弱电检测装置和η极弱电检测装置设于电极电路保护壳外侧。本专利技术的有益效果:该种GPP整流二极管，电流由N型向P型单一方向流过，应用其整流的功能，在其界面的两侧形成空间电荷层，构成自建电场，形成小型电容积单位，当外加电压等于零时，由于ρ-η结两边载流子的浓度差引起扩散电流和由自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态，电压从N极流向P极时中间GPP芯片控制电流形成微定量电泳泳向P电极，防止电压电流过大烧毁二极管，内部电容单位相当于小型的纽扣电池，用来维护别的元器件保持电流通路一直存在，所述弱点监测装置能够检测出电压和电流情况，便于知晓电路的导通，且本专利技术的二极管散热性也较好。【附图说明】图1为本专利技术所述的一种GPP整流二极管的结构示意图。其中:I一P电极弱电检测装置，2—P半导体电极，3—N半导体电极，4一GPP芯片，5—电容质，6—硅脂涂层，7—电极电路保护壳，8—N电极弱电检测装置，9 一结界面。【具体实施方式】为使本专利技术实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合【具体实施方式】，进一步阐述本专利技术。如图1所示，一种GPP整流二极管，包括P型半导体电极2、n型半导体电极3以及所述P型半导体电极2与η型半导体电极3相互烧结而成的结界面9，结面上附着有GPP芯片4，ρ型半导体电极2与η型半导体电极3分别连接有P极弱电检测装置I和η极弱电检测装置8，该种二极管只允许电流由N型向P型单一方向流过，应用其整流的功能，在其界面的两侧形成空间电荷层，构成自建电场，形成小型电容积单位，当外加电压等于零时，由于Ρ-η结两边载流子的浓度差引起扩散电流和由自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态，这是常态下的二极管特性，所述弱点监测装置能够检测出电压和电流情况，便于知晓电路的导通。在本实施例中，所述ρ型半导体电极2与η型半导体电极3连接处采用聚合硅烧结，且外部设有由高硼硅玻璃制成的电极电路保护壳7，所述电极电路保护壳7的厚度为1-2_。在本实施例中，所述电极电路保护壳7外侧设有硅脂涂层6。在本实施例中，所述ρ极弱电检测装置I和η极弱电检测装置8设于电极电路保护壳7外侧。基于上述，该种GPP整流二极管，由ρ型半导体电极2连接η型半导体电极3，并且在烧结成一个结界面9，结界面9上聚合有GPP芯片4，聚合GPP芯片4周围在通电情况下电容单位5会形成自建电场可以储存电量。在断电情况下电容单位5向Ρ，Ν两极的弱电检测装置供电，保证检测装置正常运行，而且电量可以保护任何连通着的电器元件。由技术常识可知，本专利技术可以通过其它的不脱离其精神实质或必要特征的实施方案来实现。因此，上述公开的实施方案，就各方面而言，都只是举例说明，并不是仅有的。所有在本专利技术范围内或在等同于本专利技术的范围内的改变均被本专利技术包含。【主权项】1.一种GPP 二极管，其特征在于，包括P型半导体电极、η型半导体电极以及所述P型半导体电极与η型半导体电极相互烧结而成的结界面，结面上附着有GPP芯片，P型半导体电极与η型半导体电极分别连接有P极弱电检测装置和η极弱电检测装置。2.根据权利要求1所述的一种GPP二极管，其特征在于:所述P型半导体电极与η型半导体电极连接处采用聚合硅烧结，且外部设有由高硼硅玻璃制成的电极电路保护壳。3.根据权利要求1所述的一种GPP二极管，其特征在于:所述电极电路保护壳外侧设有硅脂涂层。4.根据权利要求3所述的一种GPP二极管，其特征在于:所述电极电路保护壳的厚度为1-2mmο5.根据权利要求1所述的一种GPP二极管，其特征在于:所述P极弱电检测装置和η极弱电检测装置设于电极电路保护壳外侧。【专利摘要】本<b>专利技术</b>公开了一种GPP整流二极管，涉及二极管领域，包括p型半导体电极、n型半导体电极以及所述p型半导体电极与n型半导体电极相互烧结而成的结界面，结面上附着有GPP芯片，？p型半导体电极与n型半导体电极分别连接有p极弱电检测装置和n极弱电检测装置，本<b>专利技术</b>可防止电压电流过大烧毁二极管，内部电容单位相当于小型的纽扣电池，用来维护别的元器件保持电流通路一直存在，所述弱点监测装置能够检测出电压和电流情况，便于知晓电路的导通，且该装置散热性也较好。【IPC分类】H01L23/367, H01L29/861, H01L23/31, G01R31/26【公开号】CN105529368【申请号】CN201610075759【专利技术人】黄仲濬, 蒋文甄 【申请人】泰州优宾晶圆科技有限公司【公开日】2016年4月27日【申请日】2016年2月3日本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种GPP二极管，其特征在于，包括p型半导体电极、n型半导体电极以及所述p型半导体电极与n型半导体电极相互烧结而成的结界面，结面上附着有GPP芯片， p型半导体电极与n型半导体电极分别连接有p极弱电检测装置和n极弱电检测装置。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：黄仲濬，蒋文甄，
申请(专利权)人：泰州优宾晶圆科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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