【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种金属屏蔽罩，具体涉及一种锥台形金属短管荧光屏屏蔽罩。
技术介绍
Rheed(分子束外延生长的实时监测技术)已得到了广泛的应用。从电子枪发射出来的具有一定能量(通常为10-30kev)的电子束以1-2°的掠射角射到样品表面，然后衍射到荧光屏上成像，因此RHEED所反映的完全是样品表面的结构信息。然而在高气压(数百mTorr)的生长环境下，荧光屏必须靠近样品台以减少电子束的散射。这样就带来两个技术难题:一，蒸发材料会蒸镀到荧光屏上，大大缩短其使用寿命;二，如果样品台温度较高，如激光分子束外延样品温度接近1000C，荧光粉很容易挥发掉。
技术实现思路
针对现有技术存在的问题，本技术目的是，提供一种适用于高气压下的Rheed荧光屏金属屏蔽罩，通过在荧光屏的前面放置一个锥台形的金属短管，电子束可以通过锥台形金属短管的前端小孔入射到荧光屏上显示成像，锥台形短管往前伸出一段距离，可以有效地屏蔽蒸发源蒸发出的材料附着到荧光屏上；同时，锥台形短管也可以屏蔽样品处的加热源的热量辐射到荧光屏上将荧光粉蒸发掉。本技术的技术方案是:一种适用高气压下的Rheed荧光屏金属屏蔽罩，在分子束外延生长的实时监测荧光屏的前面放置一个屏蔽罩，所述屏蔽罩纵截面为锥台形的金属短管，锥台形金属短管的大口径端与荧光屏座接触并压紧荧光屏座2，锥台形的斜线与分子束外延的水平线呈20-35度角。电子束5从锥台形金属短管的小口径端进入，然后在后面的荧光屏上成像。锥台形管一方面完全挡住了下方的蒸镀材料，另一方面也有效屏蔽样品台的热辐射。本技术有益效果:通过在荧光屏的前端安置一个锥台形短管，工...
【技术保护点】
一种适用于高气压下的Rheed荧光屏金属屏蔽罩，其特征是在分子束外延生长的实时监测荧光屏的前面放置一个屏蔽罩，所述屏蔽罩纵截面为锥台形的金属短管，锥台形金属短管的大口径端与荧光屏座接触并压紧荧光屏座，锥台形的斜线与分子束外延的水平线呈20‑35度角。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：马建行，陆伟华，邵玮，
申请(专利权)人：苏州新锐博纳米科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32
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