一种带散热片封装件的分离方法技术

技术编号:13131072 阅读:88 留言:0更新日期:2016-04-06 16:18
本发明专利技术公开了一种带散热片封装件的分离方法,所述封装件包括有载板、芯片、塑封体和散热片,在封装件分离过程中,对散热片先采用激光或者刀具开槽,再对其蚀刻,然后用刀具分离产品,该发明专利技术解决了在封装件分离过程中,因直接使用刀具切割造成的散热片毛刺问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于集成电路封装领域,具体是一种带散热片封装件的分离方法
技术介绍
集成电路是信息产业和高新技术的核心,集成电路封装是集成电路技术的主要组成部分。目前部分封装产品散热能力不足,需要在塑封体上增加散热片以提高散热能力,使散热片和塑封体直接结合,并在一道工序中完成,大大提高了生产效率。但是在封装件的分离过程中,直接使用刀具切割会造成散热片毛刺问题。
技术实现思路
对于上述现有技术存在的问题,本专利技术提供了一种带散热片封装件的分离方法,该方法在封装件分离过程中,对散热片先采用激光或者刀具开槽,再对其蚀刻,然后用刀具分离产品,该专利技术解决了在封装件分离过程中,因直接使用刀具切割造成的散热片毛刺问题。一种带散热片封装件的分离方法,封装件上有散热片,具体按照如下步骤进行:第一步:激光开槽:采用激光对散热片防氧化层开槽,槽深为1um到10um;第二步:蚀刻槽:采用三氯化铁溶液对散热片进行蚀刻,直到散热片完全分离;第三步:刀具切割:沿着蚀刻槽用刀具将塑封体、载板分离,完成封装件产品分离过程。所述第一步的替代步骤为:刀具开槽:采用刀具对散热片防氧化层开槽,槽深为1um到10um。附图说明图1为本专利技术中的载板图;图2为本专利技术中上芯后产品剖面图;图3为本专利技术中压焊后产品剖面图;图4为本专利技术中塑封后剖面图;图5为本专利技术中对散热片表面开槽后(槽深度为1um到10um)剖面图;图6为本专利技术中散热片开槽后蚀刻后(深度为散热片厚度)的剖面图;图7为本专利技术中蚀刻后再用刀具切割后的产品剖面图。图中:1—散热片,2—塑封体,3—焊线,4—芯片,5—载板,6—上芯胶,7—蚀刻槽,8—激光开槽。具体实施方式一种添加散热片的封装件的制造方法,具体按照如下步骤进行:第一步:准备载板5;如图1所示;第二步:晶圆减薄,减薄范围为50um—250um;第三步:划片,形成单颗芯片4;第四步:上芯,采用上芯胶6将芯片4连接在载板5上;如图2所示;第五步:压焊,采用焊线3连接芯片4和载板5;如图3所示;第六步:塑封,塑封体2包围芯片4、上芯胶6和载板5的上部,同时塑封散热片1,然后固化;如图4所示;第七步:打印、切割、包装。就上述第七步的切割工艺,即一种带散热片封装件的分离方法,具体按照如下步骤进行:第一步:激光开槽8:采用激光对散热片防氧化层开槽,槽深为1um到10um;如图5所示;第二步:蚀刻槽7:采用三氯化铁溶液对散热片进行蚀刻,直到散热片完全分离;如图6所示;第三步:刀具切割:沿着蚀刻槽用刀具将塑封体、载板分离,完成封装件产品分离过程。如图7所示。所述第一步的替代步骤为:刀具开槽:采用刀具对散热片防氧化层开槽,槽深为1um到10um。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种带散热片封装件的分离方法,封装件上有散热片,其特征在于:具体按照如下步骤进行:第一步:激光开槽:采用激光对散热片防氧化层开槽,槽深为1um到10um;第二步:蚀刻槽:采用三氯化铁溶液对散热片进行蚀刻,直到散热片完全分离;第三步:刀具切割:沿着蚀刻槽用刀具将塑封体、载板分离,完成封装件产品分离过程。

【技术特征摘要】
1.一种带散热片封装件的分离方法,封装件上有散热片,其特征在于:具体按照如下
步骤进行:
第一步:激光开槽:采用激光对散热片防氧化层开槽,槽深为1um到10um;
第二步:蚀刻槽:采用三氯化铁溶液对散热片进行蚀刻,直到散热片完全分离;
第...

【专利技术属性】
技术研发人员:王虎
申请(专利权)人:华天科技西安有限公司
类型:发明
国别省市:陕西;61

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