TFT基板的制作方法技术

本发明专利技术提供一种TFT基板的制作方法，通过在沉积层间介电层之前对栅极绝缘层表面进行等离子体处理，增强其表面附着力，之后在栅极绝缘层上沉积层间介电层，从而增强了层间介电层与栅极绝缘层之间的粘着力，可以防止在后高温制程中造成层间介电层裂纹或者脱落的问题，提高产品良率，提高TFT基板的电学性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种TFT基板的制作方法。
技术介绍
随着显示技术的发展，液晶显示器(LiquidCrystalDisplay，LCD)等平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品，成为显示装置中的主流。现有市场上的液晶显示装置大部分为背光型液晶显示器，其包括液晶显示面板及背光模组(backlightmodule)。液晶显示面板的工作原理是在两片平行的玻璃基板当中放置液晶分子，两片玻璃基板中间有许多垂直和水平的细小电线，通过通电与否来控制液晶分子改变方向，将背光模组的光线折射出来产生画面。通常液晶显示面板由彩膜(CF，ColorFilter)基板、薄膜晶体管(TFT，ThinFilmTransistor)基板、夹于彩膜基板与薄膜晶体管基板之间的液晶(LC，LiquidCrystal)及密封胶框(Sealant)组成，其成型工艺一般包括：前段阵列(Array)制程(薄膜、黄光、蚀刻及剥膜)、中段成盒(Cell)制程(TFT基板与CF基板贴合)及后段模组组装制程(驱动IC与印刷电路板压合)。其中，前段Array制程主要是形成TFT基板，以便于控制液晶分子的运动；中段Cell制程主要是在TFT基板与CF基板之间添加液晶；后段模组组装制程主要是驱动IC压合与印刷电路板的整合，进而驱动液晶分子转动，显示图像。低温多晶硅(Lowtemperaturepoly-silicon，简称LTPS)，由于其具有高的电子迁移率，可以有效的减小TFT的器件的面积，从而提升像素的开口率。增大面板显示亮度的同时可以降低整体的功耗，使得面板的制造成本大幅度降低。在LTPS制作工艺中会使用氮化硅，氧化硅或者氮化硅与氧化硅多层结构作为层间介电层(interlayerdielectric，ILD)，在后续氢化及活化的高温制程中由于附着力不佳或者应力不匹配容易使ILD膜脱落，极大影响产品良率。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种TFT基板的制作方法，可以增强层间介电层与栅极绝缘层之间的粘着力，从而防止在后高温制程中造成层间介电层裂纹或者脱落的问题，提高产品良率。为实现上述目的，本专利技术提供一种TFT基板的制作方法，包括如下步骤：步骤1、提供一基板，在所述基板上形成间隔设置的第一遮光层与第二遮光层，在所述第一遮光层、第二遮光层与基板上形成缓冲层；步骤2、在所述缓冲层上形成分别对应于第一遮光层与第二遮光层的第一多晶硅层与第二多晶硅层，分别对所述第一多晶硅层与第二多晶硅层进行离子掺杂，在所述多晶硅层上形成位于两侧的第一重掺杂区、位于中间的第一沟道区、及位于所述第一重掺杂区与第一沟道区之间的第一轻掺杂区，在所述第二多晶硅层上形成位于两侧的第二重掺杂区、及位于中间的第二沟道区；步骤3、在所述第一多晶硅层、第二多晶硅层、及缓冲层上沉积栅极绝缘层，在所述栅极绝缘层上形成分别对应于第一多晶硅层与第二多晶硅层的第一栅极与第二栅极；步骤4、对暴露出来的栅极绝缘层表面进行等离子体处理，以增强栅极绝缘层表面的附着力；步骤5、在栅极绝缘层及第一栅极、第二栅极上沉积层间介电层，然后通过高温制程对所述层间介电层进行氢化和活化；步骤6、对所述层间介电层及栅极绝缘层进行图案化处理，得到位于所述第一重掺杂区上方的第一过孔及位于所述第二重掺杂区上方的第二过孔，之后在所述层间介电层上形成第一源极、第一漏极、第二源极、第二漏极，所述第一源极与第一漏极分别通过第一过孔与第一重掺杂区相接触，所述第二源极与第二漏极分别通过第二过孔与第二重掺杂区相接触；步骤7、在所述第一源极、第一漏极、第二源极、第二漏极、及层间介电层上制作平坦层，对所述平坦层进行图案化处理，得到位于所述第一漏极上方的第三过孔，在所述平坦层上依次制作公共电极与钝化层，所述钝化层包覆所述平坦层上的第三过孔，之后在覆盖所述第三过孔底部的钝化层上钻孔，使得所述第一漏极暴露出来，在所述钝化层上形成像素电极，所述像素电极通过第三过孔与第一漏极相接触。所述步骤1中，所述基板为玻璃基板；所述第一遮光层与第二遮光层的材料为金属；所述缓冲层为氧化硅层、氮化硅层、或者由氧化硅层与氮化硅层叠加构成的复合层。所述步骤2中，所述离子掺杂的方式为离子植入机植入掺杂或者气相沉积掺杂。所述步骤2中，所述第一重掺杂区、第一轻掺杂区为N型掺杂，所述第二重掺杂区为P型掺杂，或者所述第一重掺杂区、第一轻掺杂区为P型掺杂，所述第二重掺杂区为N型掺杂。所述步骤4中，所述等离子体为氢气等离子体、氮气等离子体和氨气等离子体中的一种或多种。所述步骤4具体为：将所述步骤3得到的基板放入等离子体化学气相沉积装置中，向等离子体化学气相沉积装置中通入氢气、氮气和氨气中的一种或多种，通过射频放电使通入的气体转化为等离子体，从而对基板进行等离子体处理，使其表面活化，增强栅极绝缘层表面的附着力。所述等离子体化学气相沉积装置的射频放电功率介于200瓦至4千瓦之间；向等离子体化学气相沉积装置中通入的氢气的流量介于1000sccm至15000sccm之间；向等离子体化学气相沉积装置中通入的氮气的流量介于1000sccm至15000sccm之间；向等离子体化学气相沉积装置中通入的氨气的流量介于1000sccm至15000sccm之间。所述步骤5中，所述层间介电层为氮化硅层、氧化硅层、或者氮化硅层与氧化硅层叠加构成的复合层。所述层间介电层包括沉积于栅极绝缘层及第一栅极、第二栅极上的厚度为的氮化硅层以及沉积于氮化硅层上的厚度为的氧化硅层。所述步骤5中，所述高温制程的温度为590℃。本专利技术的有益效果：本专利技术提供的一种TFT基板的制作方法，通过在沉积层间介电层之前对栅极绝缘层表面进行等离子体处理，增强其表面附着力，之后在栅极绝缘层上沉积层间介电层，从而增强了层间介电层与栅极绝缘层之间的粘着力，可以防止在后高温制程中造成层间介电层裂纹或者脱落的问题，提高产品良率，提高TFT基板的电学性能。为了能更进一步了解本专利技术的特征以及
技术实现思路
，请参阅以下有关本专利技术的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本专利技术加以限制。附图说明下面结合附图，通过对本专利技术的具体实施方式详细描述，将使本专利技术的技术方案及其它有益效果显而易见。附图中本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供一基板(10)，在所述基板(10)上形成间隔设置的第一遮光层(21)与第二遮光层(22)，在所述第一遮光层(21)、第二遮光层(22)与基板(10)上形成缓冲层(30)；步骤2、在所述缓冲层(30)上形成分别对应于第一遮光层(21)与第二遮光层(22)的第一多晶硅层(40)与第二多晶硅层(90)，分别对所述第一多晶硅层(40)与第二多晶硅层(90)进行离子掺杂，在所述多晶硅层(40)上形成位于两侧的第一重掺杂区(41)、位于中间的第一沟道区(42)、及位于所述第一重掺杂区(41)与第一沟道区(42)之间的第一轻掺杂区(43)，在所述第二多晶硅层(90)上形成位于两侧的第二重掺杂区(91)、及位于中间的第二沟道区(92)；步骤3、在所述第一多晶硅层(40)、第二多晶硅层(90)、及缓冲层(30)上沉积栅极绝缘层(51)，在所述栅极绝缘层(51)上形成分别对应于第一多晶硅层(40)与第二多晶硅层(90)的第一栅极(52)与第二栅极(93)；步骤4、对暴露出来的栅极绝缘层(51)表面进行等离子体处理，以增强栅极绝缘层(51)表面的附着力；步骤5、在栅极绝缘层(51)及第一栅极(52)、第二栅极(93)上沉积层间介电层(53)，然后通过高温制程对所述层间介电层(53)进行氢化和活化；步骤6、对所述层间介电层(53)及栅极绝缘层(51)进行图案化处理，得到位于所述第一重掺杂区(41)上方的第一过孔(55)及位于所述第二重掺杂区(91)上方的第二过孔(95)，之后在所述层间介电层(53)上形成第一源极(61)、第一漏极(62)、第二源极(96)、第二漏极(97)，所述第一源极(61)与第一漏极(62)分别通过第一过孔(55)与第一重掺杂区(41)相接触，所述第二源极(96)与第二漏极(97)分别通过第二过孔(95)与第二重掺杂区(91)相接触；步骤7、在所述第一源极(61)、第一漏极(62)、第二源极(96)、第二漏极(97)、及层间介电层(53)上制作平坦层(70)，对所述平坦层(70)进行图案化处理，得到位于所述第一漏极(62)上方的第三过孔(71)，在所述平坦层(70)上依次制作公共电极(80)与钝化层(81)，所述钝化层(81)包覆所述平坦层(70)上的第三过孔(71)，之后在覆盖所述第三过孔(71)底部的钝化层(81)上钻孔，使得所述第一漏极(62)暴露出来，在所述钝化层(81)上形成像素电极(82)，所述像素电极(82)通过第三过孔(71)与第一漏极(62)相接触。...

【技术特征摘要】
1.一种TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、提供一基板(10)，在所述基板(10)上形成间隔设置的第一遮光
层(21)与第二遮光层(22)，在所述第一遮光层(21)、第二遮光层(22)与
基板(10)上形成缓冲层(30)；
步骤2、在所述缓冲层(30)上形成分别对应于第一遮光层(21)与第二
遮光层(22)的第一多晶硅层(40)与第二多晶硅层(90)，分别对所述第一
多晶硅层(40)与第二多晶硅层(90)进行离子掺杂，在所述多晶硅层(40)
上形成位于两侧的第一重掺杂区(41)、位于中间的第一沟道区(42)、及位于
所述第一重掺杂区(41)与第一沟道区(42)之间的第一轻掺杂区(43)，在
所述第二多晶硅层(90)上形成位于两侧的第二重掺杂区(91)、及位于中间
的第二沟道区(92)；
步骤3、在所述第一多晶硅层(40)、第二多晶硅层(90)、及缓冲层(30)
上沉积栅极绝缘层(51)，在所述栅极绝缘层(51)上形成分别对应于第一多
晶硅层(40)与第二多晶硅层(90)的第一栅极(52)与第二栅极(93)；
步骤4、对暴露出来的栅极绝缘层(51)表面进行等离子体处理，以增强
栅极绝缘层(51)表面的附着力；
步骤5、在栅极绝缘层(51)及第一栅极(52)、第二栅极(93)上沉积层
间介电层(53)，然后通过高温制程对所述层间介电层(53)进行氢化和活化；
步骤6、对所述层间介电层(53)及栅极绝缘层(51)进行图案化处理，
得到位于所述第一重掺杂区(41)上方的第一过孔(55)及位于所述第二重掺
杂区(91)上方的第二过孔(95)，之后在所述层间介电层(53)上形成第一
源极(61)、第一漏极(62)、第二源极(96)、第二漏极(97)，所述第一源极
(61)与第一漏极(62)分别通过第一过孔(55)与第一重掺杂区(41)相接
触，所述第二源极(96)与第二漏极(97)分别通过第二过孔(95)与第二重
掺杂区(91)相接触；
步骤7、在所述第一源极(61)、第一漏极(62)、第二源极(96)、第二漏
极(97)、及层间介电层(53)上制作平坦层(70)，对所述平坦层(70)进行
图案化处理，得到位于所述第一漏极(62)上方的第三过孔(71)，在所述平

\t坦层(70)上依次制作公共电极(80)与钝化层(81)，所述钝化层(81)包
覆所述平坦层(70)上的第三过孔(71)，之后在覆盖所述第三过孔(71)底
部的钝化层(81)上钻孔，使得所述第一漏极(62)暴露出来，在所述钝化层...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘元甫，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42