一种电子元件及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种电子元件及其制造方法，包括如下步骤：S1、在基片上形成电极生料层，所述基片为经过烧结的氧化铝基片或氧化锆基片；S2、对附有所述电极生料层的基片进行烧结，使所述电极生料层形成电极；S3、将所述电极转移到薄膜生料片上；S4、将多层附有电极的薄膜生料片进行层叠形成坯体，对所述坯体进行烧结。本电子元件内部的电极和瓷体不容易开裂。

【技术实现步骤摘要】
一种电子元件及其制造方法
本专利技术涉及一种电子元件及其制造方法。
技术介绍
在传统的叠压成型工艺中，附有导电电极的基片直接通过叠压成型使上下基片粘合在一起，形成生坯，后将生坯和电极进行共烧处理。由于导电电极及基片分别属于金属和非金属材料，在烧成的过程中两种材料的烧结收缩过程存在较大的差异，而两种材料在没有达到烧成温度之前均处于低强度阶段，当受到收缩过程差异造成的应力时，瓷体或电极会产生缺陷导致可靠性较差。
技术实现思路
为了克服现有技术的不足，本专利技术提供了一种电子元件的制造方法，使得电子元件内部的电极和瓷体不容易开裂。一种电子元件的制造方法，包括如下步骤：S1、在基片上形成电极生料层，所述基片为经过烧结的氧化铝基片或氧化锆基片；S2、对附有所述电极生料层的基片进行烧结，使所述电极生料层形成电极；S3、将所述电极转移到薄膜生料片上；S4、将多层附有电极的薄膜生料片进行层叠形成坯体，对所述坯体进行烧结。在一个实施例中，在步骤S2与步骤S3之间，还包括如下步骤：S21、将附有所述电极的基片放入氢氟酸溶液中浸泡。在一个实施例中，在步骤S21之后还包括如下步骤：S21、将浸泡了氢氟酸溶液的基片进行烘干；S22、将烘干后的基片附有所述电极的一面粘上发泡胶，使所述电极粘在所述发泡胶上；S23、将所述基片移除，使所述电极与基片分离；在步骤S3包括如下步骤：S31、将所述发泡胶与所述薄膜生料片粘合，使所述电极在所述薄膜生料片与发泡胶之间；S32、对所述电极、薄膜生料片和发泡胶施加压力，使所述电极与薄膜生料片之间产生结合力；S33、对所述发泡胶加热使所述发泡胶失去粘性，然后将所述发泡胶与所述电极和薄膜生料片分离。在一个实施例中，所述基片由氧化铝和硼硅玻璃制作而成，其中氧化铝的质量含量大于90％。在一个实施例中，氧化铝的质量含量大于99％。在一个实施例中，所述基片由氧化锆和硼硅玻璃制作而成，其中氧化锆的质量含量大于99％。在一个实施例中，所述氢氟酸溶液的质量浓度为0.5％～1％；浸泡的时长介于2min～5min；烘干的温度为50℃，烘干的时长介于5min～10min。在一个实施例中，在步骤S32中，将电极、薄膜生料片和发泡胶放入水中进行温水等静压，其中，水温介于60℃～75℃，等静压压力为5000psi～8000psi。在一个实施例中，在步骤S33中，对所述发泡胶的加热温度为120℃，加热时长为5min～10min。本专利技术还提供了一种电子元件，采用所述的电子元件的制造方法制作而成。本专利技术的有益效果是：在叠层成型前对电极先烧成，形成一定的强度后再与瓷体材料共烧，当电极材料与共烧材料烧结过程中产生应力时，电极材料能耐受住瓷体收缩施加的应力，保证电极及瓷体间的致密性，减少内部缺陷的产生。本专利技术尤其适用于电极起始收缩温度与瓷体材料起始收缩温度差异大于150℃，或收缩率差异大于10％的两种或多种材料共烧情况。采用本专利技术可保证内部电极连通，防止电极和瓷体开裂，提升了电子元件的可靠性性能。【附图说明】图1是本专利技术一种实施例的电子元件制造方法的示意图。【具体实施方式】以下对专利技术的较佳实施例作进一步详细说明。如图1所示，在一种实施例里，电子元件制造方法包括以下步骤：S1、在基片101上形成电极生料层，所述基片101为经过烧结的氧化铝基片或氧化锆基片；S2、对附有所述电极生料层的基片101进行烧结，使所述电极生料层形成电极102；S3、将所述电极转移到薄膜生料片103上；S4、将多层通过步骤S1至S3制作得到的附有电极的薄膜生料片103进行层叠形成坯体100，对所述坯体进行烧结。坯体烧结前还可以依次进行切割和排胶处理，烧结后还可以依次进行倒角、制作端电极和电镀等处理，从而得到电子元件。在步骤S2中，经过烧结的基片101在此步骤中不会或者说几乎不会再收缩，而电极生料层在烧结过程中则会产生收缩，电极生料层相对于基片101而言具有较大的收缩率，因此，烧结形成的电极102与基片101之间不会形成非常紧密的结合力，在步骤S3中，容易将电极转移到薄膜生料片103上。而在步骤S4中，由于烧结后的电极102在此步骤中不会或者说几乎不会再收缩，而薄膜生料片103相对于电极102而言烧结收缩率相差不大，因此，烧结后，电极102与薄膜生料片103烧成的瓷体之间形成稳定的结合，同时电极和瓷体均不容易产生裂痕。基片101可以由粉末状的Al2O3和粉末状的硼硅玻璃的混合物制作而成，其中，Al2O3质量含量大于90％，在一个实施例中Al2O3质量含量大于99％。基片101也可以由粉末状的氧化锆和粉末状的硼硅玻璃的混合物制作而成，其中，氧化锆的质量含量大于90％。在步骤S1中，电极生料层可以通过以下步骤制作：配制电极浆料，所述电极浆料是介电常数在0.016～0.025mm*ohm的银浆或铜浆，电极浆料中含有二氧化硅。在步骤S2中，在烧结过程中，电极102与基片101之间形成相互浸润的粘合层，粘合层由硼硅玻璃组成，粘合层将电极102与基片101固定在一起(这种结合力比较小)，因此，电极102不会任意收缩，能够保持原来电极生料层的形状。通过印刷或光刻法将电极浆料涂布在基片101上，形成所述电极生料层。可以通过以下步骤将所述电极102转移到薄膜生料片103上：S21、将附有电极102的基片101放在浓度为0.5％～1％的氢氟酸溶液中浸泡2～5min，以腐蚀电极102与基片101之间的粘合层，以便于后续电极102从基片101中脱离。然后在50℃的烘箱中对电极102和基片101烘烤5～10min。S22、将基片101附有所述电极102的一面粘上发泡胶104，使所述电极102粘在所述发泡胶104上；注意排除贴合中的气孔后，将所述基片101移除，使所述电极102与基片101分离。S23、将所述发泡胶104与所述薄膜生料片103粘合，使所述电极102在所述薄膜生料片103与发泡胶104之间。对所述电极102、薄膜生料片103和发泡胶104施加压力，使所述电极102与薄膜生料片103之间产生结合力。例如，将电极102、薄膜生料片103和发泡胶104放入水中，进行温水等静压，其中水温为60～75℃，等静压压力为5000～8000psi。S24、对发泡胶104进行120℃热处理5～10min，从而使发泡胶104失去粘性，发泡胶104无法形成对电极102和薄膜生料片103粘合，然后将所述发泡胶与所述电极和薄膜生料片分离。薄膜生料片103中含有硼硅玻璃，其可以是氧化铝生料片(氧化铝的质量含量小于90％)、铁氧体生料片或者玻璃生料片。在优选的实施例中，薄膜生料片103是有粉末状的Al2O3和粉末状的硼硅玻璃的混合物制作而成。更优选的，薄膜生料片103是由重量百分比为35％～45％的Al2O3、以及55％～65％的硼硅玻璃的混合物制作而成，更优选的，Al2O3和硼硅玻璃的重量百分比为40％：60％。所述粉末状的Al2O3的优选粒径是，D50为1.5μm，D95为3μm。所述粉末状的硼硅玻璃的优选粒径是，D50为1.5μm，D95为3μm。在上述实施例中，薄膜生料片103可以通过以下步骤制备：将重量百分比为35％～45％的Al2O3和重量百分比为55％～65％的硼硅玻璃的混合制备粉末状本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子元件的制造方法，其特征是，包括如下步骤：S1、在基片上形成电极生料层，所述基片为经过烧结的氧化铝基片或氧化锆基片；S2、对附有所述电极生料层的基片进行烧结，使所述电极生料层形成电极；S3、将所述电极转移到薄膜生料片上；S4、将多层附有电极的薄膜生料片进行层叠形成坯体，对所述坯体进行烧结。

【技术特征摘要】
1.一种电子元件的制造方法，其特征是，包括如下步骤：S1、在基片上形成电极生料层，所述基片为经过烧结的氧化铝基片或氧化锆基片；S2、对附有所述电极生料层的基片进行烧结，使所述电极生料层形成电极；S3、将所述电极转移到薄膜生料片上；S4、将多层附有电极的薄膜生料片进行层叠形成坯体，对所述坯体进行烧结；其中，在步骤S2与步骤S3之间，还包括如下步骤：S21、将附有所述电极的基片放入氢氟酸溶液中浸泡，将浸泡了氢氟酸溶液的基片进行烘干；S22、将烘干后的基片附有所述电极的一面粘上发泡胶，使所述电极粘在所述发泡胶上；S23、将所述基片移除，使所述电极与基片分离；在步骤S3包括如下步骤：S31、将所述发泡胶与所述薄膜生料片粘合，使所述电极在所述薄膜生料片与发泡胶之间；S32、对所述电极、薄膜生料片和发泡胶施加压力，使所述电极与薄膜生料片之间产生结合力；S33、对所述发泡胶加热使所述发泡胶失去粘性，然后将所述发泡胶与所述电极和薄膜生料片分离。2.如权利要求1所述的电子元件的制造方...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑卫卫，余瑞麟，戴春雷，
申请(专利权)人：深圳顺络电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44