一种液晶面板及显示装置制造方法及图纸

技术编号:13059898 阅读:151 留言:0更新日期:2016-03-24 00:06
本发明专利技术公开了一种液晶面板及显示装置,以改善显示装置的ESD现象,提高产品品质。液晶面板包括通过封框胶对盒的阵列基板和彩膜基板,其中:彩膜基板包括静电屏蔽层以及位于静电屏蔽层靠近阵列基板一侧的黑矩阵;黑矩阵的外围区域具有与封框胶位置相对的环形沟道。在本发明专利技术实施例技术方案中,由于黑矩阵的外围区域具有与封框胶位置相对的环形沟道,当外界静电进入时,只能到达黑矩阵位于环形沟道外侧的部分,而无法到达内部显示区域。相比现有技术,可以减少气泡、断线或者显示发绿等不良,改善了显示装置的ESD现象,提高了产品品质。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
,特别是涉及一种液晶面板及显示装置
技术介绍
在平板显示装置中,薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor LiquidCrystal Display,TFT-1XD)具有体积小、无福射和制造成本相对较低等特点,在当前的平板显示器市场占据了主导地位。在半导体器件中,ESD(Electro Static Discharge,静电释放,简称ESD)是一种常见的现象,ESD会导致绝缘介质的击穿,从而引起阈值电压的漂移或者栅电极和源、漏电级之间的短路。目前,通常在彩膜基板的衬底基板与偏光片之间设置一静电屏蔽层,当外界静电接触到屏幕时,静电屏蔽层可以快速地将静电导入大地,从而避免ESD对液晶面板造成静电损伤。然而,本申请的专利技术人发现,在使用静电枪对液晶面板进行信赖性测试时,仍然会有大量的静电电荷聚集到液晶面板内部的黑矩阵上,从而导致液晶面板产生气泡、断线或者显示发绿等不良,严重影响到产品的品质。
技术实现思路
本专利技术实施例的目的是提供一种液晶面板及显示装置,以改善显示装置的ESD现象,提尚广品品质。本专利技术实施例提供了一种液晶面板,包括通过封框胶对盒的阵列基板和彩膜基板,其中:所述彩膜基板包括静电屏蔽层以及位于静电屏蔽层靠近阵列基板一侧的黑矩阵;所述黑矩阵的外围区域具有与封框胶位置相对的环形沟道。在本专利技术实施例技术方案中,由于黑矩阵的外围区域具有与封框胶位置相对的环形沟道,当外界静电进入时,只能到达黑矩阵位于环形沟道外侧的部分,而无法到达内部显示区域。相比现有技术,可以减少气泡、断线或者显示发绿等不良,改善了显示装置的ESD现象,提尚了广品品质。优选的,所述黑矩阵位于环形沟道外侧的部分接地设置。这样,积聚的静电电荷可以快速导入大地,从而进一步减少ESD对显示装置的影响。优选的,所述黑矩阵的边缘与彩膜基板的边缘平齐。该结构有利于实现显示装置的窄边框设计,并且可以基于该结构设计黑矩阵位于环形沟道外侧的部分的接地结构。较佳的,所述阵列基板上设置有接地电路;所述静电屏蔽层和所述黑矩阵位于环形沟道外侧的部分,通过设置于彩膜基板侧端面的导电胶与阵列基板的接地电路连接。该结构设计占用显示装置边框部分的面积较少,并且简单易实现。可选的,所述黑矩阵的边缘位于彩膜基板的边缘的内侧。可选的,所述封框胶的外边缘位于彩膜基板的边缘的内侧。优选的,所述封框胶的外边缘与彩膜基板的边缘平齐。该结构有利于实现显示装置的窄边框设计。优选的,所述环形沟道的宽度为10?20微米。环形沟道的宽度在该范围内取值,可以将沟道两侧充分间隔,并且能够避免周边漏光,从而进一步提升产品品质。更优的,所述环形沟道的宽度为15微米。本专利技术实施例还提供了一种显示装置,包括根据前述任一技术方案所述的液晶面板。相比现有技术,该显示装置的ESD现象得以改善,较少发生气泡、断线或者显示发绿等不良,因此广品品质$父好。【附图说明】图1为本专利技术实施例液晶面板俯视图;图2为图1的A-A向截面视图;图3为本专利技术另一实施例液晶面板外围区域的截面视图;图4为本专利技术又一实施例液晶面板外围区域的截面视图。附图标记:10-阵列基板;20-彩膜基板;30-封框胶;21-静电屏蔽层;22-黑矩阵;23-环形沟道;11-接地电路;40-导电胶;24-衬底基板;25-彩色树脂;26-透明光学胶。【具体实施方式】为了改善显示装置的ESD现象,提高产品品质,本专利技术实施例提供了一种液晶面板及显示装置。为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚,以下举实施例对本专利技术作进一步详细说明。如图1和图2所示,本专利技术实施例提供了一种液晶面板,包括通过封框胶30对盒的阵列基板10和彩膜基板20,其中:彩膜基板20包括静电屏蔽层21以及位于静电屏蔽层21靠近阵列基板10 —侧的黑矩阵22 ;黑矩阵22的外围区域具有与封框胶30位置相对的环形沟道23。在本专利技术实施例的技术方案中,液晶面板的具体类型不限,例如可以为TN(Twisted Nematic,扭曲向列)模式液晶面板,ADS (ADvanced Super Dimens1n Switch,高级超维场转换技术,简称ADS)模式液晶面板,VA (Vertical Alignment,垂直取向)模式液晶面板、1?5(1]1-?]^116-5¥;^(311;[1^,平面方向转换)模式液晶面板等等。如图1和图2所示,彩膜基板20的结构通常包括衬底基板24、位于衬底基板24远离阵列基板10 —侧的静电屏蔽层21、位于衬底基板24靠近阵列基板10 —侧并呈阵列排布的彩色树脂25、遮挡相邻彩色树脂25的边界区域以及基板外围区域的黑矩阵22,以及位于彩色树脂25和黑矩阵22靠近阵列基板10 —侧的透明光学胶26。其中,静电屏蔽层21呈板状并接地设置,例如通过导电胶40与阵列基板10的接地电路11连接,从而实现接地。静电屏蔽层21可以采用氧化铟锡等透明导电材质。导电胶40的具体材质不限,例如可以采用导电银胶。现有技术中,在使用静电枪对液晶面板进行信赖性测试时,部分静电电荷可以通过静电屏蔽层导入大地,与此同时,还会有静电电荷聚集到液晶面板内部的黑矩阵上。如果黑矩阵未进行接地设置,则这些静电电荷无法导出,会严重影响到液晶的偏转,从而使得液晶面板显示发绿;当静电电荷大量聚集时,也会导致液晶面板的走线电路烧毁。即使将现有技术的黑矩阵接地,仍然会影响到液晶的极化,导致气泡不良,当静电电荷大量聚集而无法顺畅导出时,也会导致液晶面板的走线电路烧毁。如图2所示,在本专利技术实施例技术方案中,黑矩阵22的外围区域具有与封框胶30位置相对的环形沟道23,该环形沟道23内会被透明光学胶26和封框胶30填充,由于环形沟道23将黑矩阵22间隔为相互无连接的两部分,当外界静电进入时,只能到达黑矩阵22位于环形沟道23外侧的部分,而无法到达内部显示区域,图2中箭头所示为静电电荷的走向。相比现有技术,由于黑矩阵22位于环形沟道23内侧的部分不会附有静电电荷,因此,可以减少上述气泡、断线或者显示发绿等不良,从而改善了显示装置的ESD现象,提高了产品品质Ο由于环形沟道23将黑矩阵22间隔为相互无连接的两部分,因此,无论黑矩阵22位于环形沟道23外侧的部分是否接地,黑矩阵22位于环形沟道23内侧的部分均不会附有静电电荷。但优选的,黑矩阵22位于环形沟道23外侧的部分接地设置,这样,积聚的静电电荷可以快速导入大地,从而进一步减少ESD对显示装置的影响。如图2所示,在本专利技术的优选实施例中,黑矩阵22的边缘与彩膜基板20的边缘平齐。该结构可以提高显示区域在整个液晶面板的占比,有利于实现显示装置的窄边框设计,并且可以基于该结构设计黑矩阵22位于环形沟道23外侧的部分的接地结构。请继续参照图1和图2所示,阵列基板10上设置有接地电路11 ;静电屏蔽层21和黑矩阵22位于环形沟道23外侧的部分,通过设置于彩膜基板20侧端面的导电胶40与阵列基板10的接地电路11连接。该结构设计占用显示装置边框部分的面积较少,并且简单易实现。如图2所示,在本专利技术的优选实施例中,封框胶30的外边缘与彩膜基板20的边缘平齐。同理,该结构有利于实现显示装置的窄边框设计。如图3所示,在本专利技术的一个实施例中,本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种液晶面板,其特征在于,包括通过封框胶对盒的阵列基板和彩膜基板,其中:所述彩膜基板包括静电屏蔽层以及位于静电屏蔽层靠近阵列基板一侧的黑矩阵;所述黑矩阵的外围区域具有与封框胶位置相对的环形沟道。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:古宏刚邵贤杰章祯刘波宋洁
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司合肥京东方光电科技有限公司
类型:发明
国别省市:北京;11

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