GaN基HEMT器件制备方法技术

本发明专利技术公开了一种GaN基HEMT器件制备方法，涉及带有绝缘栅的场效应晶体管技术领域。所述方法包括如下步骤：对GaN基HEMT材料进行台面刻蚀；形成源极和漏极；生长掩膜层；刻蚀上述器件的栅极区域，分别形成增强型GaN基HEMT器件的栅极图形和耗尽型GaN基HEMT器件的栅极图形；采用等离子体模式刻蚀上述器件的表面；生长栅下介质层；在栅下介质层的上表面生长栅金属种子层；刻蚀栅区域外的金属种子层；在栅区域形成栅极。所述方法能大大降低界面缺陷和陷阱密度，进一步提高器件性能和可靠性，且所沉积薄膜具有极好均匀性和可控性，并可实现低损伤薄膜沉积。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及带有绝缘栅的场效应晶体管
，尤其涉及一种。
技术介绍
GaN 微波功率器件主要是指 AlGaN/GaN、InAlN/GaN、AlN/GaN 和 InAlGaN/GaN 等异质结高电子迀移率晶体管(HEMT)，统称为GaN HEMT。HEMT在能够形成二维电子气(2DEG)的异质结上用类似于MESFET的工艺制成的一种场效应晶体管，因此也称为异质结场效应晶体管(HFET)。该器件工作原理上不同于MESFET和M0SFET的主要处是:其源漏间导电沟道是器件结构中自然形成的2DEG，而不是像MESFET那样的掺杂薄层或M0SFET那样的场致反型层，栅压Vs的作用是改变2DEG的电子密度，从而控制器件的工作状态。以AlGaN/GaN异质结为例，因极化效应很容易在AlGaN势皇层中靠结的附近形成2DEG，是理想的HEMT器件。从本质上说，HEMT只容易做成耗尽(常开)型，因AlGaN/GaN异质结压电极化和自发极化作用其Vs=0 V时已有2DEG存在。施加正栅压使2DEG中电子密度升高，电阻减小；施加负栅压使其电子密度下降，负栅压升高到一定水平时沟道即被夹断，因而其阈值电压为负值(典型值为-4V)。增强(常关)型GaN HEMT要用特殊工艺将阈值电压变成正值来实现。尽管GaN作为一种新型半导体材料，已在诸多领域取得了重要的突破和应用，如GaN蓝光LED和蓝光激光器、GaN微波功率器件和MMIC、GaN深紫外探测器等，近年来，它在数字电路和功率开关上的应用成为了国内外研究热点。GaN在数字电路和功率开关上的应用都需要制备增强型的GaN HEMT器件(E模器件)，由于常规工艺制作的AlGaN/GaN HEMT均为耗尽型(阈值电压Vth< 0 V，D模器件)，开发E模GaN HEMT成为关键。E模GaN HEMT器件是高速开关、高温GaN数字电路和射频集成电路(RFIC)的一个重要组成部分。从应用的角度来说，E模HEMT有着D模HEMT无法比拟的优势，在微波功率放大器和低噪音功率放大器领域，E模HEMT不需要负电极电压，降低了电路的复杂性和成本；在高功率开关领域，E模HEMT能够提高电路的安全性和功耗，节省能源；在数字电路领域，氮化物半导体由于缺少P沟道器件，无法形成低功耗的互补逻辑，E模HEMT能够缓解缺少p沟道的问题，实现简化的数字电路结构。目前实现GaN增强型器件的技术包括栅下凹槽刻蚀、氟基等离子处理、栅下p型GaN盖帽层等方法，这些技术中最有希望产品化产业化的是栅下凹槽刻蚀技术。栅下凹槽刻蚀实现增强型器件一般是采用反应耦合离子刻蚀(ICP)刻蚀HEMT器件势皇层；然后采用原子层沉积(ALD)技术在凹槽内沉积一层介质层，降低器件栅漏电，提高器件阈值电压；最后电子束蒸发栅金属，形成最终的增强型GaN HEMT器件。增强型器件的势皇层材料可以是AlGaN、InAIN、A1N和InAlGaN材料，栅下介质一般是A1203，也可以是AIN、Hf02、SiN等其它介质，或以上多种介质的复合层薄膜；栅金属一般是Ni/Au，也可以是Ni/Pt/Au、Ti/Pt/Au、Pt/Au等金属组合。原子层沉积(ALD)是一种可以将物质以单原子膜形式一层一层的镀在基底表面的方法。在ALD进行薄膜生长时，将适当的前驱反应气体以脉冲方式通入反应器中，随后再通入惰性气体进行清洗，对随后的每一沉积层都重复这样的程序。ALD的优点包括可以通过控制反应周期数简单精确地控制薄膜的厚度，形成达到原子层厚度精度的薄膜；不需要控制反应物流量的均一性；前驱体是饱和化学吸附，保证生成大面积均匀性的薄膜；可生成极好的三维保形性化学计量薄膜，作为台阶覆盖和纳米孔材料的涂层；可以沉积多组分纳米薄层和混合氧化物；薄膜生长可在低温(室温到400°C)下进行；可广泛适用于各种形状的衬底。原子层沉积技术可以沉积A1203、A1N、N1、Ti02、SiN, Si02等化合物介质材料，也可沉积N1、Cu、Pt、T1、Mo、Au等单质金属，而且重复性、均勾性均好于电子束蒸发工艺。影响GaN增强型器件特性的一种重要因素是器件肖特基势皇的导体/介质/金属界面，界面质量决定着器件的阈值电压、漏电等特性。现有工艺是采用ALD生长A1203等介质形成栅下介质层，然后电子束蒸发Ni/Au等栅金属形成肖特基势皇。此工艺中的GaN与A1203、A1203与金属Ni形成复杂界面，而且在不同设备之间进行工艺，不可避免接触外界物质，容易引入界面陷阱或缺陷。界面与陷阱态对增强型GaN器件的漏电、电流崩塌、阈值电压和输出电流等影响很大，而且影响器件的长期可靠性。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种，所述方法能大大降低界面缺陷和陷阱密度，进一步提高器件性能和可靠性，且所沉积薄膜具有极好均匀性和可控性，并可实现低损伤薄膜沉积。为解决上述技术问题，本专利技术所采取的技术方案是:一种，其特征在于包括如下步骤: 1)对GaN基HEMT材料进行台面刻蚀； 2)在台面刻蚀后的器件上表面的漏源区域进行源漏金属蒸发，形成源极和漏极； 3)在上述器件的上表面生长掩膜层； 4)刻蚀上述器件的栅极区域，分别形成增强型GaN基HEMT器件的栅极图形和耗尽型GaN基HEMT器件的栅极图形； 5)采用等离子体模式刻蚀上述器件的表面； 6)生长栅下介质层； 7)在栅下介质层的上表面生长栅金属种子层； 8)刻蚀栅区域外的金属种子层； 9)在步骤8)中器件的栅区域形成栅极； 上述步骤依次在原子层沉积ALD设备的反应腔体内完成，每完成某一工艺，即抽空腔体内空气，达到真空环境，然后再通入下一工艺的反应气体进行反应，如此反复。进一步的技术方案在于:所述方法还包括在步骤1)之前进行的器件清洗步骤。进一步的技术方案在于:所述GaN基HEMT材料包括衬底层、GaN缓冲层、A1N层和势皇层。进一步的技术方案在于:所述势皇层材料为AlGaN、InAlN、AlN或InAlGaN，厚度为3nm_30nmo进一步的技术方案在于:在所述的生长栅下介质层前，所述方法还包括:在ALD设备的反应腔体内采用等离子体模式对材料表面进行清洗或处理的步骤，所用等离子体气体包括采用队/U混合气体作为源的氮等离子体、采用氩气作为源的氩等离子体以及采用去离子水或臭氧气体作为源的氧等离子体，等离子体处理功率50W-150W。进一步的技术方案在于:通过ALD设备生长的栅下介质层包括A1203、A1N、SiN和/或Si02;生长模式为热生长或等尚子体模式生长，生长时反应腔体温度为20°C _400°C。进一步的技术方案在于:采用ALD设备生长的金属种子层和栅极的制作材料包括N1、T1、N1、T1、Pt 和 / 或 Au。进一步的技术方案在于:所述的步骤4)中:首先，在台面一侧的栅极区域，使用RIE刻蚀增强型器件的掩膜层，并使用ICP刻蚀增强型器件的势皇层，形成增强型GaN基HEMT器件的栅极图形；然后，在台面另一侧的栅极区域，使用RIE刻蚀耗尽型器件的掩膜层，形成耗尽型GaN基HEMT器件的栅极图形。进一步的技术方案在于:所述掩膜层的制作材料为SiN。本专利技术还公开了一种GaN基HEMT器件，其特征在于:包括GaN基本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种GaN基HEMT器件制备方法，其特征在于包括如下步骤：1）对GaN基HEMT材料进行台面刻蚀；2）在台面刻蚀后的器件上表面的漏源区域进行源漏金属蒸发，形成源极（5）和漏极（6）；3）在上述器件的上表面生长掩膜层（7）；4）刻蚀上述器件的栅极区域，分别形成增强型GaN基HEMT器件的栅极图形和耗尽型GaN基HEMT器件的栅极图形；5）采用等离子体模式刻蚀上述器件的表面；6）生长栅下介质层（8）；7）在栅下介质层（8）的上表面生长栅金属种子层（9）；8）刻蚀栅区域外的金属种子层（9）；9）在步骤8）中器件的栅区域形成栅极（10）；上述步骤依次在原子层沉积ALD设备的反应腔体内完成，每完成某一工艺，即抽空腔体内空气，达到真空环境，然后再通入下一工艺的反应气体进行反应，如此反复。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：敦少博，顾国栋，郭红雨，韩婷婷，吕元杰，王元刚，冯志红，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十三研究所，
类型：发明
国别省市：河北;13