本发明专利技术公开了一种消影增透透明薄膜、导电薄膜、导电玻璃及触摸屏，其中消影增透透明薄膜设于基板上，所述消影增透透明薄膜为至少一组复合膜层，其中每组复合膜层由高折射率光学介质膜层与SiO2膜层组成，每组复合膜层中的高折射率光学介质膜层靠近基板一侧，其特征在于，所述高折射率光学介质膜层的折射率为1.75-2.1。本发明专利技术提高消隐效果，并且降低了工艺制作的难度，同时扩展消影膜对高折射率材料的选择范围。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及导电薄膜
，尤其涉及一种消影增透透明薄膜、导电薄膜、导电 玻璃及触摸屏。
技术介绍
透明导电氧化物薄膜为电容式触摸屏的主要部件，该薄膜位于显示区域，一般由 ΙΤ0膜蚀刻而成，ΙΤ0膜与触摸屏基板的折射率不同导致显示区内电极（ΙΤ0)与电极缝隙的 可见光反射与透射光谱有较大区别，使电极与缝隙清晰可见（色差Af与大于1)，并 且颜色不呈中性（颜色值Ia"与Ib"大于1)。另外触摸屏尺寸越大，要求ΙΤ0层的 面电阻越小，所需的ΙΤ0层的厚度就越厚，导致电极与缝隙的色差越明显，可见光透过率也 降低，严重影响视觉效果，降低触摸屏品质。 消影增透透明导电薄膜是目前国内外解决色差问题、提高可见光透过率的主要手 段之一。消影增透透明导电薄膜一般由高、低折射率材料依次叠加外加最表面的ΙΤ0薄膜 组成，其中高折射率材料主要包括五氧化二铌（Nb205)或者二氧化钛（Ti02)薄膜等，低折 射率材料一般为Si02、MgF2薄膜等。但是由于Nb205 (折射率2. 3左右）或者Ti02 (折射率 2. 55-2. 76)薄膜的折射率较高，物理厚度微小改变将导致薄膜光学厚度（折射率X物理厚 度）发生明显的变化，为了获得消影效果，对高折射率材料的厚度控制要求非常苛刻；另外 Nb、Ti材料的金属、陶瓷靶材价格较高，也增加了消影增透透明导电薄膜的制造成本。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提供一种消影增透透明薄膜，主要目的是提高消隐效果， 并且降低了工艺制作的难度，同时扩展消影膜对高折射率材料的选择范围。 为达到上述目的，本专利技术主要提供如下技术方案： -方面，本专利技术实施例提供了一种消影增透透明薄膜，设于基板上，所述消影增透 透明薄膜为至少一组复合膜层，其中每组复合膜层由高折射率光学介质膜层与SiOj莫层组 成，每组复合膜层中的高折射率光学介质膜层靠近基板一侧，所述高折射率光学介质膜层 的折射率为1.75-2. 1。 作为优选，每组复合膜层中所述高折射率光学介质薄膜选自以下ZnO薄膜、Si3N4 薄膜、Sn02薄膜或A1 203薄膜。 另一方面，本专利技术实施例提供了一种消影增透透明导电薄膜，设于基板上，包括消 影增透透明薄膜和ΙΤ0层，其中消影增透透明薄膜位于靠近基板一侧，所述消影增透透明 薄膜为上述实施例所述的消影增透透明薄膜。 另一方面，本专利技术实施例提供了一种导电玻璃，包括基板、消影增透透明薄膜和 ΙΤ0层，其中基板的第一表面和与第一表面相对的第二表面分别设有消影增透透明薄膜，基 板的第一表面和/或第二表面的消影增透透明薄膜的表面设有ΙΤ0层，其中所述消影增透 透明薄膜为上述实施例所述的消影增透透明薄膜。 作为优选，所述基板的厚度为0. 1~1. 1mm;基板的第一表面一侧的高折射率光学 介质膜层的厚度为15~51nm，第一表面一侧的SiOj莫层的厚度为11~70nm;基板的第二 表面一侧的高折射率光学介质膜层的厚度为9~90nm，第二表面一侧的SiOj莫层的厚度为 40~180nm;ΙΤ0层的厚度为13~70nm。 另一方面，本专利技术实施例提供了一种触摸屏，所述触摸屏的导电玻璃为上述实施 例的导电玻璃。 与现有技术相比，本专利技术的有益效果在于： 本专利技术实施例的消影增透透明薄膜采用折射率在1. 75-2. 1范围内的高折射率光 学介质膜层与SiOj莫层组合构成具有增透减反功能的复合膜层，该复合膜层单独或组合形 成消影增透透明薄膜，通过光学干涉相消原理使得消影增透透明薄膜与ΙΤ0层组合形成导 电薄膜时，ΙΤ0层受蚀刻与未受蚀刻区域在D65光源条件下透过率大于85%，色值相近，且 均呈中性，有效降低膜层厚度对膜系颜色变化的影响，降低了对高折射率材料镀膜控制工 艺的精度要求，使得消影效果更容易控制，并扩展了消影膜对高折射率材料的选择范围，降 低了生产成本。【附图说明】 图1是本专利技术一实施例的导电玻璃的结构示意图； 图2是本专利技术实施例一、二、三、四中上高折射率光学介质膜层厚度变化时反射光 谱颜色a*、b*的变化趋势图。【具体实施方式】 下面结合具体实施例对本专利技术作进一步详细描述，但不作为对本专利技术的限定。在 下述说明中，不同的"一实施例"或"实施例"指的不一定是同一实施例。此外，一或多个实 施例中的特定特征、结构、或特点可由任何合适形式组合。 实施例一 参见图1，本实施例中的导电玻璃包括：基板1，基板1的第一表面上依次设有ZnO 材质的第一高折射率光学介质膜层2、第一SiOj莫层3和ΙΤ0层6 ;基板1的第二表面上 依次设有ZnO材质的第二高折射率光学介质膜层4和第二SiOj莫层5 ;Ζη0的折射率为为 2. 1 (波长550nm);基板1的厚度为0. 6mm;第一高折射率光学介质膜层2的厚度为16nm;第 一SiOj莫层3的厚度为30nm;第二高折射率光学介质膜层4的厚度为12nm;第二SiOJ莫 层5的厚度为100nm;IT0层6面电阻为120Ω/ □，厚度为23nm〇 本实施例中的消影增透透明导电薄膜在D65光源条件下的可见光波段透过率及 反射率见下表1，透射颜色色值与反射颜色色值见下表2。 将现有技术的以Nb205为消影透明导电薄膜作为对比例，其中的Nb205层的厚度变 化对颜色L、a*、b*值的影响与本实施例中以ZnO为材质的高折射率光学介质膜层的厚度变 化对颜色L、a*、b*值的影响作对比，对比结果详见图2a和图2b。 实施例二 如图1所不，本专利技术实施例的导电玻璃与实施例一不同在于：第一高折射率光学 介质膜层2和第二高折射率光学介质膜层4均为Si3N4膜层；Si3N4的折射率为1. 99 (波 长550nm);基板1的厚度为1. 1mm，第一高折射率光学介质膜层2的厚度为15nm，第二高 折射率光学介质膜层4的厚度为10nm，第二Si02膜层5的厚度为90m，ITO层6面电阻为 140Ω/ □，厚度为 19nm。 本实施例中的消影增透透明导电薄膜在D65光源条件下的可见光波段透过率及 反射率见下表1，透射颜色色值与反射颜色色值见下表2。 将现有技术的以Nb205为消影透明导电薄膜作为对比例，其中的Nb205层的厚度变 化对颜色L、a*、b*值的影响与本实施例中以Si3N4为材质的高折射率光学介质膜层的厚度 变化对颜色L、a*、b*值的影响作对比，对比结果详见图2a和图2b。 实施例三 本实施例的导电玻璃与实施例一不同在于：第一高折射率光学介质膜层2和第 二高折射率光学介质膜层4均为SnOj莫层；SnO2的折射率为当前第1页1 2 本文档来自技高网...
【技术保护点】
消影增透透明薄膜，设于基板上，所述消影增透透明薄膜为至少一组复合膜层，其中每组复合膜层由高折射率光学介质膜层与SiO2膜层组成，每组复合膜层中的高折射率光学介质膜层靠近基板一侧，其特征在于，所述高折射率光学介质膜层的折射率为1.75‑2.1。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：孟政，刘静，汪洪，
申请(专利权)人：北京航玻新材料技术有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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