本发明专利技术涉及一种Ag/Co(OH)2纳米阵列薄膜超级电容器电极材料及其制备方法。本发明专利技术的Ag/Co(OH)2纳米阵列薄膜超级电容器电极材料是多孔状的，而且Co(OH)2纳米阵列是直接生长在泡沫镍上，其制备方法主要包括泡沫镍上直接生长多孔Co(OH)2纳米阵列薄膜的制备，以及后期的Ag纳米粒子的修饰方法。本发明专利技术制备的Ag/Co(OH)2纳米复合材料具有多孔结构，优异的循环稳定性，是高性能的电容器电极材料。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种超级电容器负极材料及其制备方法，具体是一种Ag/Co (0H) 2。
技术介绍
目前，超级电容器的电极材料主要有活性炭材料、导电聚合物及其复合材料和过渡金属氧化物及其复合电极材料，但是他们自身存在的一些缺点。又由于超级电容器具有一般物理电容器无法比拟的极高的能量密度和功率密度，与电池相比其功率密度也高出很多倍，所以超级电容器一经问世便得到人们的高度重视。所以，超级电容器在消费电子、通讯、医疗器械、国防、航空航天等领域得到越来越广泛的应用，并且应用范围还在不断的扩大。因此，发展特征及性能有所改进的其它电极材料是下一步研究的关键。
技术实现思路
本专利技术的目的在于:提供了一种Ag/Co (0H) 2。为了实现上述目的，本专利技术采用如下技术方案:—种Ag/Co(0H)2纳米阵列薄膜超级电容器电极材料，制备的Ag/Co(0H) 2成多孔状，粒子分布均勾。优选地，所述的Ag/Co (0H) 2纳米阵列薄膜超级电容器电极材料的制备方法，包括如下步骤:(1)多孔a -Co (0Η) 2纳米阵列薄膜的制备称取一定量的二价钴盐加入到去离子水中，磁力搅拌10?20分钟；称取一定量的六次甲基四胺加入到去离子水中，磁力搅拌10?20分钟；将上述两种溶液混合后，在磁力搅拌10?30分钟；将上述混合后的溶液加入到反应釜中，同时放进一片2*4cm的泡沫镍，在90°C加热3?6小时，待其降温到室温时，取出样品，将样品在温度为60°C的条件下烘干，即得到多孔a -Co (0Η) 2纳米阵列薄膜；⑵Ag/Co (0H) 2纳米复合材料的制备配置一定量的硝酸银和NaHB溶液，将生长上a -Co (0H) 2的泡沫镍浸渍到一定量的的硝酸银中，浸渍一定时间；再浸渍到NaHB中一定时间，重复上述步骤2?5次；⑶Ag/Co (0H)2纳米阵列薄膜超级电容器电极材料的制备将生长有Ag/Co (0H)2纳米复合材料的泡沫镍压片，真空干燥数小时，制成超级电容器电极材料。优选地，步骤(1)中的二价钴盐为Co (N03) 2.6H20o优选地，所述的Ag/Co (0H) 2纳米阵列薄膜超级电容器电极材料的制备方法，包括如下步骤:(1)多孔a -Co (0Η) 2纳米阵列薄膜的制备称取1?5mmol Co (Ν03) 2.6Η20加入到20?30ml去离子水中，磁力搅拌10?20分钟；称取5?lOmmol六次甲基四胺加入到20?30ml去离子水中，磁力搅拌10?20分钟；将上述两种溶液混合后，再磁力搅拌10?30分钟；将上述混合后的溶液加入到反应釜中，同时放进一片2*4cm的泡沫镍，在90°C加热3?6小时，待其降温到室温时，取出样品，然后将样品在温度约为60°C的条件下烘干，即得到多孔a -Co (OH) 2纳米阵列薄膜；(2) Ag/Co (0H) 2纳米复合材料的制备配置25?35mL 4mmol/L的硝酸银溶液和25?35mL 2mmol/L的NaHB溶液，在将生长上Co (0H) 2的泡沫镍浸渍到硝酸银中溶液，浸渍时间为0.5?2分钟；再浸渍到NaHB溶液中0.5?2分钟；重复上述步骤2?3次，即得到Ag修饰的多孔a -Co (0H) 2纳米阵列薄膜，即Ag/Co (0H) 2纳米复合材料；(3) Ag/Co (0H)2纳米阵列薄膜超级电容器电极材料的制备将生长有Ag/Co (0H)2纳米复合材料的泡沫镍压片，盛与培养皿中，放入真空干燥箱中干燥10小时，即得到超级电容器电极材料。优选地，步骤⑴中多孔a-Co(OH)^米阵列薄膜中制备方法如下:称取5mmolCo(N03)2.6Η20加入到20ml去离子水中，磁力搅拌20分钟；称取lOmmol六次甲基四胺加入到25ml去离子水中，磁力搅拌20分钟；将上述两种溶液混合后，再磁力搅拌30分钟；将上述混合后的溶液加入到反应釜中，同时放进一片2*4cm的泡沫镍，在90°C加热5小时，待其降温到室温时，取出样品，然后将样品在温度为60°C的条件下烘干，即得到多孔a-Co(0H)2纳米阵列薄膜。优选地，步骤(2)中Ag/Co (0!1)2纳米复合材料的制备方法如下:配置30mL 4mmol/L的硝酸银溶液和30mL 2mmol/L的NaHB溶液，在将生长上Co (0H) 2的泡沫镍浸渍到硝酸银中溶液，浸渍时间为1分钟；再浸渍到NaHB溶液中1分钟；重复上述步骤2?3次，即得到Ag修饰的多孔a-Co(OH)^米阵列薄膜，即Ag/Co (0H) 2纳米复合材料。本专利技术的有益效果在于:本专利技术制备而成的Ag/Co (0H) 2纳米阵列薄膜超级电容器电极材料是一类性能良好的超级电容器电极材料，同时本专利技术的设备简单，工艺条件易于控制。通过本专利技术的方法制备的Ag/Co (0H) 2超级电容器电极材料具有优异的电学性能，经过相关电化学性能测试分析得Ag/Co (0H) 2纳米阵列薄膜材料的比电容量最高为930.1F/g，循环寿命较长。在低恒电流充放电性能理想，lA/g电流密度经过1200个循环，Ag/Co (OH) 2的比容量有较好的保持，是第一个循环的92.6%，而未经Ag修饰的0)(0!1)2为83.4%。因此，该方法制备的Ag/Co (0H) 2纳米阵列薄膜材料在超级电容器电极材料领域有巨大的应用价值。【附图说明】图1为实施例1所制备的多孔a -Co (0H) 2纳米阵列薄膜的XRD图；图2 (a)为实例1所制备的生长有多孔a -Co (0H) 2纳米阵列薄膜泡沫镍的SEM图；(b)为实例1所制备的生长有多孔a -Co (0Η) 2纳米阵列薄膜的SEM图；(c)为实施例2所制备的Ag修饰的多孔a -Co (0H) 2纳米阵列薄膜SEM图；(d)为实施例1所制备的Ag修饰的多孔a -Co (OH) 2纳米阵列薄膜SEM图；图3为实施例1所制备的Ag修饰的多孔a -Co (0H) 2纳米阵列薄膜SEM高倍图；图4为实施例1所制备的Ag修饰的多孔a -Co (0H) 2纳米阵列薄膜EDAX图；图5为实施例1所制备的不同材料的超级电容器电极在10mV/S扫描速度下的CV循环性能测试图；图6为实施例1所制备Ag修饰的多孔a-Co(OH)^米阵列薄膜超级电容器电极材料在不同扫描速度下的CV循环性能测试图；图7为实施例1所制备Ag修饰的多孔a-Co(OH)^米阵列薄膜超级电容器电极材料的充放电性能测试图；图8为实施例1所制备Ag修饰的多孔a-Co(OH)^米阵列薄膜超级电容器电极材料的循环稳定性能测试图。【具体实施方式】为了便于本领域技术人员理解，下面结合附图1-7和实施例对本专利技术的构思作进一步的说明；同时，说明书中所涉及的各种原料，均购自市场。实施例1(1)多孔a -Co (0H) 2纳米阵列薄膜的制备称取5mmo 1 Co (N03) 2.6H20加入到20ml去离子水中，磁力搅拌20分钟；称取lOmmol六次甲基四胺加入到25ml去离子水中，磁力搅拌20分钟；将上述两种溶液混合后，再磁力搅拌30分钟；将上述混合后的溶液加入到反应釜中，同时放进一片2*4cm的泡沫镍，在90°C加热5小时，待其降温到室温时，取出样品，然后将样品在温度为60°C的条件下烘干，即得到多孔a-Co (0队纳米阵列薄膜。⑵本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种Ag/Co(OH)2纳米阵列薄膜超级电容器电极材料，其特征在于，制备的Ag/Co(OH)2成多孔状，粒子分布均匀。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：吴明在，丁丽君，刘涛，
申请(专利权)人：安徽大学，
类型：发明
国别省市：安徽;34
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