为了克服上述现有技术的缺点，本发明专利技术的目的在于提供一种普通整流二极管芯片的硫化工艺，采用硫化反应釜，在氩气条件下，快速升温至220℃～260℃，硫化20min～30min，此时，采用反应釜内气体与氩气同等置换法，控制氩气的输入流速和反应釜气体输出流速，降温至150℃～180℃，然后每20min以5℃～10℃梯度式降温至80℃～100℃，硫化2h～3h，然后降温放料。本发明专利技术可以有效的去除芯片上的硫化物，本硫化工艺，在氩气的环境里，采用了快速升温然后梯度式降温的方法，可以有效的降低导致靠近热板的附着的硫化物边缘出现焦烧，同时，不影响芯片的平整度。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于普通整流二极管芯片的生产工艺领域，特别地，涉及一种普通整流二极管芯片的硫化工艺。
技术介绍
采目前市场上大部分二极管芯片的端电极是由银基陶瓷制成的。金属银具有若干有利的属性，包括高电导率以及当在空气中烧制银基陶瓷时对氧化的极好免疫性。令人遗憾的是金属银也有其不足，一种这样的不足就是金属银对硫和硫的化合物相当敏感。而且，银形成不导电的硫化银，导致银基芯片出现开路。为了解决此技术难题，已经有文献提出了采用注压硫化法，注压硫化法工艺有点是比氮气硫化法成品的平整度要高，在注压过程中，加热模板所提供的热量仅仅只用于维持硫化，它能很快含硫的成分加热到190°C -220°C。在模压过程中，由加热所提供的热量首先要用于预热芯片本身携带的硫化物，由于这些硫化物，比如橡胶、胶制品的导热性能差，如果附着的硫化物很厚，热量要传导到附着的硫化物中心需要较长的时间。采用高温硫化也可在一定程度上缩短操作时间，但往往导致靠近热板的附着的硫化物边缘出现焦烧。
技术实现思路
为了克服上述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种普通整流二极管芯片的硫化工艺，采用硫化反应釜，在氩气条件下，快速升温至220°C?260°C，硫化20min?30min，此时，采用反应釜内气体与氩气同等置换法，控制氩气的输入流速和反应釜气体输出流速，降温至150°C?180°C，然后每20 min以5°C?10°C梯度式降温至80°C?100°C，硫化2h?3h，然后降温放料。如上所述的工艺，所述氩气的输入流速和反应釜气体输出流速8?10L/min，输入的氩气预先预热至120°C。如上所述的工艺，以每20min降低5°C进行梯度式降温。如上所述的工艺，快速升温的最高温度为230°C，梯度式降温最低温度为100°C。如上所述的工艺，氩气纯度为99.99%，氩气的输入流速为8L/min。本专利技术可以有效的去除芯片上的硫化物，本硫化工艺，在氩气的环境里，采用了快速升温然后梯度式降温的方法，可以有效的降低导致靠近热板的附着的硫化物边缘出现焦烧，同时，不影响芯片的平整度。【具体实施方式】下面对本专利技术作进一步详细的描述。一种普通整流二极管芯片的硫化工艺，采用硫化反应釜，在氩气条件下，快速升温至220°C?260°C，硫化20min?30min，此时，采用反应釜内气体与氩气同等置换法，控制氩气的输入流速和反应釜气体输出流速，降温至150°C?180°C，然后每20 min以5°C?10°C梯度式降温至80°C?100°C，硫化2h?3h，然后降温放料。如上所述的工艺，所述氩气的输入流速和反应釜气体输出流速8?10L/min，输入的氩气预先预热至120°C。如上所述的工艺，以每20min降低5°C进行梯度式降温。如上所述的工艺，快速升温的最高温度为230°C，梯度式降温最低温度为100°C。如上所述的工艺，氩气纯度为99.99%，氩气的输入流速为8L/min。实施例1 采用如下温度控制方案: 快速升温至220°C，硫化20min?30min，此时，采用反应釜内气体与氩气同等置换法，控制氩气的输入流速和反应釜气体输出流速，降温至150°C，然后每20 min以5°C梯度式降温至80 C，硫化2h?3h，然后降温放料。实施例2 采用如下温度控制方案: 快速升温至260°C，硫化20min?30min，此时，采用反应釜内气体与氩气同等置换法，控制氩气的输入流速和反应釜气体输出流速，降温至150°C，然后每20 min以5°C梯度式降温至80 C，硫化2h?3h，然后降温放料。实施例3 采用如下温度控制方案: 快速升温至230°C，硫化20min?30min，此时，采用反应釜内气体与氩气同等置换法，控制氩气的输入流速和反应釜气体输出流速，降温至180°C，然后每20 min以10°C梯度式降温至100 C，硫化2h?3h，然后降温放料。实施例4 采用如下温度控制方案: 快速升温至240°C，硫化20min?30min，此时，采用反应釜内气体与氩气同等置换法，控制氩气的输入流速和反应釜气体输出流速，降温至150°C，然后每20 min以5°C梯度式降温至80 C，硫化2h?3h，然后降温放料。实施例5 采用如下温度控制方案: 快速升温至220°C，硫化20min?30min，此时，采用反应釜内气体与氩气同等置换法，控制氩气的输入流速和反应釜气体输出流速，降温至180°C，然后每20 min以10°C梯度式降温至100 C，硫化2h?3h，然后降温放料。结果:采用实施例1合格成品率97%，采用实施例2合格成品率76%，采用实施例3合格成品率94%，采用实施例4合格成品率88%，采用实施例5合格成品率95%。 除此之外，本技术方案中的氩气也可以换成氮气，也可以用于其他芯片的硫化，只是温度控制不同。当然上述实施例只是为说明本专利技术的技术构思及特点所作的例举而非穷举，其目的在于让熟悉此项技术的人能够了解本专利技术的内容并据以实施，并不能以此限制本专利技术的保护范围。凡根据本专利技术主要技术方案的精神实质所做的修饰，都应涵盖在本专利技术的保护范围之内。【主权项】1.普通整流二极管芯片的硫化工艺，其特征在于:采用硫化反应釜，在氩气条件下，快速升温至220°C?260°C，硫化20min?30min，此时，采用反应釜内气体与氩气同等置换法，控制氩气的输入流速和反应釜气体输出流速，降温至150°C?180°C，然后每20 min以5°C?10°C梯度式降温至80°C?100°C，硫化2h?3h，然后降温放料。2.根据权利要求1所述的普通整流二极管芯片的硫化工艺，其特征在于:所述氩气的输入流速和反应釜气体输出流速8?10L/min，输入的氩气预先预热至120°C。3.根据权利要求1所述的普通整流二极管芯片的硫化工艺，其特征在于:以每20min降低5°C进行梯度式降温。4.根据权利要求1所述的普通整流二极管芯片的硫化工艺，其特征在于:快速升温的最高温度为230°C，梯度式降温最低温度为100°C。5.根据权利要求1或2所述的普通整流二极管芯片的硫化工艺，其特征在于:氩气纯度为99.99%，氩气的输入流速为8L/min。【专利摘要】为了克服上述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种普通整流二极管芯片的硫化工艺，采用硫化反应釜，在氩气条件下，快速升温至220℃～260℃，硫化20min～30min，此时，采用反应釜内气体与氩气同等置换法，控制氩气的输入流速和反应釜气体输出流速，降温至150℃～180℃，然后每20min以5℃～10℃梯度式降温至80℃～100℃，硫化2h～3h，然后降温放料。本专利技术可以有效的去除芯片上的硫化物，本硫化工艺，在氩气的环境里，采用了快速升温然后梯度式降温的方法，可以有效的降低导致靠近热板的附着的硫化物边缘出现焦烧，同时，不影响芯片的平整度。【IPC分类】H01L21/329【公开号】CN105390394【申请号】CN201510708003【专利技术人】王伟, 申君光, 张海霞, 卞秋野, 钱芳, 任子学 【申请人】国家电网公司, 国网山东省电力公司东营供电公司, 国网山东利津县供电公司【公开日】2016年3月9日【申请日】2015年10月28日本文档来自技高网...
【技术保护点】
普通整流二极管芯片的硫化工艺，其特征在于：采用硫化反应釜，在氩气条件下，快速升温至220℃～260℃，硫化20min～30min，此时，采用反应釜内气体与氩气同等置换法，控制氩气的输入流速和反应釜气体输出流速，降温至150℃～180℃，然后每20 min以5℃～10℃梯度式降温至80℃～100℃，硫化2h～3h，然后降温放料。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王伟，申君光，张海霞，卞秋野，钱芳，任子学，
申请(专利权)人：国家电网公司，国网山东省电力公司东营供电公司，国网山东利津县供电公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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