一种蚀刻金属铜片EMC支架制造技术

本实用新型专利技术提供了一种蚀刻金属铜片EMC支架，包括金属铜片、EMC塑料外框架、芯片腔和芯片电极，所述金属铜片设有若干，所述金属铜片为倒凸字形，并且之间通过反射腔相连，所述反射腔为凸字形且与金属铜片为一体式结构，所述金属铜片通过半蚀刻技术制成，所述芯片电极设于芯片腔内，所述芯片腔设计为倒等腰梯形状，所述芯片电极通过导线与金属铜片相连，所述芯片腔和金属铜片周围设有EMC塑料外框架，本实用新型专利技术具有良好的散热性能,芯片的结温低,EMC支架中金属的结合界面质量高,CTE匹配差异小,有较高的气密性以及更好的抗热、抗光衰性能，有较高的可靠性及使用寿命。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种EMC支架，特别涉及一种蚀刻金属铜片EMC支架。
技术介绍
目前市场上已出现一种新型热固性塑料包封支架封装的LED器件，国内外的一些LED大厂，如日亚、三星、亿光等，正大力推广该类LED产品，这种使用EM C树脂包封支架封装的LED器件简称为EMC器件，EMC是一种以环氧树脂为基体材料的热固性材料，主要成分是环氧树脂、二氧化硅、二氧化钛等，其中环氧树脂有粘合、硬化作用，二氧化硅作为调节EMC膨胀系数的填料，二氧化钛用作反光材料。传统的金属铜片EMC支架具有较多的弊端，比如，散热性能较差，导致LED芯片的光衰严重，使用寿命短；同时传统的金属铜片EMC支架多采用冲裁的方式进行加工，但冲裁的方式对于加工较小且精密的零件困难大，且冲裁加工的断面粗糙度不一样，同时冲裁的零件必须进行毛刺处理，对于应力形变的零件还需要通过热处理的方法来消除，导致EMC支架中金属的结合界面质量不高，从而导致气密性不高。鉴于此，有必要设计一种新的金属铜片EMC支架，具备良好的散热、气密性、耐热、耐光衰性能，以此来解决目前存在的问题。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是克服现有的缺陷，提供一种蚀刻金属铜片EMC支架，具有良好的散热性能，芯片的结温低，EMC支架中金属的结合界面质量高，CTE匹配差异小，有较高的气密性以及更好的抗热、抗光衰性能，有较高的可靠性及使用寿命，能有效解决技术背景中的问题。为了解决上述技术问题，本技术提供了如下的技术方案:本技术提供一种蚀刻金属铜片EMC支架，包括金属铜片、EMC塑料外框架、芯片腔和芯片电极，所述金属铜片设有若干，并且之间通过反射腔相连，所述金属铜片通过半蚀刻技术制成，所述芯片电极设于芯片腔内，所述芯片电极通过导线与金属铜片相连，所述芯片腔和金属铜片周围设有EMC塑料外框。作为本技术的一种优选技术方案，所述芯片腔设计为倒等腰梯形状。作为本技术的一种优选技术方案，所述反射腔为凸字形。作为本技术的一种优选技术方案，所述金属铜片为倒凸字形，且与反射腔为一体式结构。作为本技术的一种优选技术方案，所述金属铜片的厚度为2-4mm。与现有技术相比本技术所达到的有益效果是:1.本技术采用的是垂直散热结构，芯片产生的热量通过芯片下方的芯片电极直接传导到该装置外，芯片电极散热面积较大，芯片的结温低，CTE匹配差异小，具有更好的抗热、抗光衰性能。2.使用精密半蚀刻技术制造金属铜片，其蚀刻金属铜片断面，蚀刻断面一致性很好，有较好的可控断面质量，而传统的冲裁断面则分为抽拉圆角、光亮面、破断面几个部分，各部分表面特性及粗糙度不一样。3.蚀刻技术可通过调整蚀刻药水的配方来控制支架的断面粗糙度，EMC支架中金属的结合界面质量高，有较高的气密性和较高的可靠性及使用寿命。【附图说明】附图用来提供对本技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本技术的实施例一起用于解释本技术，并不构成对本技术的限制。在附图中:图1是本技术主视结构示意图；图中标号:1-金属铜片；2- EMC塑料外框架；3_芯片腔；4_芯片电极；5_反射腔；6-导线。【具体实施方式】以下结合附图对本技术的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本技术，并不用于限定本技术。在本技术的描述中，需要理解的是，术语“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。实施例:如图1所示，本技术提供一种蚀刻金属铜片EMC支架，包括金属铜片1、EMC塑料外框架2、芯片腔3和芯片电极4，所述金属铜片1设有若干，并且之间通过反射腔5相连，所述金属铜片1通过半蚀刻技术制成，所述芯片电极4设于芯片腔3内，所述芯片电极4通过导线6与金属铜片1相连，所述芯片腔3和金属铜片1周围设有EMC塑料外框架2。进一步的，所述芯片腔3设计为倒等腰梯形状。进一步的，所述反射腔5为凸字形，减小反射腔反射率的衰减程度。进一步的，所述金属铜片1为倒凸字形，且与反射腔5为一体式结构。进一步的，所述金属铜片1的厚度为2_4mm。本技术反射腔可以有效提高芯片封装成的器件的出光效率和集中度。本技术采用的是垂直散热结构，芯片产生的热量通过芯片下方的芯片电极4直接传导到该装置外，芯片电极4散热面积较大，使用精密半蚀刻技术制造金属铜片1，其蚀刻金属铜片1断面，蚀刻断面一致性很好，有较好的可控断面质量；传统的冲裁断面则分为抽拉圆角、光亮面、破断面几个部分，各部分表面特性及粗糙度不一样，而蚀刻技术可通过调整蚀刻药水的配方来控制支架的断面粗糙度，EMC支架中金属的结合界面质量高，气密性好。本技术具有良好的散热性能，芯片的结温低，EMC支架中金属的结合界面质量高，CTE匹配差异小，有较高的气密性以及更好的抗热、抗光衰性能，有较高的可靠性及使用寿命，是一种值得广泛推广使用的EMC支架。最后应说明的是:以上所述仅为本技术的优选实施例而已，并不用于限制本技术，尽管参照前述实施例对本技术进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。【主权项】1.一种蚀刻金属铜片EMC支架，其特征在于，包括金属铜片(1)、EMC塑料外框架(2)、芯片腔(3)和芯片电极(4)，所述金属铜片(1)设有若干，并且之间通过反射腔(5)相连，所述金属铜片(1)通过半蚀刻技术制成，所述芯片电极(4)设于芯片腔(3)内，所述芯片电极(4)通过导线(6)与金属铜片(1)相连，所述芯片腔(3)和金属铜片(1)周围设有EMC塑料外框架(2)。2.根据权利要求1所述的一种蚀刻金属铜片EMC支架，其特征在于，所述芯片腔(3)设计为倒等腰梯形状。3.根据权利要求1所述的一种蚀刻金属铜片EMC支架，其特征在于，所述反射腔(5)为凸字形。4.根据权利要求1所述的一种蚀刻金属铜片EMC支架，其特征在于，所述金属铜片(1)为倒凸字形，且与反射腔(5 )为一体式结构。5.根据权利要求1所述的一种蚀刻金属铜片EMC支架，其特征在于，所述金属铜片(1)的厚度为2-4mm。【专利摘要】本技术提供了一种蚀刻金属铜片EMC支架，包括金属铜片、EMC塑料外框架、芯片腔和芯片电极，所述金属铜片设有若干，所述金属铜片为倒凸字形，并且之间通过反射腔相连，所述反射腔为凸字形且与金属铜片为一体式结构，所述金属铜片通过半蚀刻技术制成，所述芯片电极设于芯片腔内，所述芯片腔设计为倒等腰梯形状，所述芯片电极通过导线与金属铜片相连，所述芯片腔和金属铜片周围设有EMC塑料外框架，本技术具有良好的散热性能,芯片的结温低,EMC支架中金属的结合界面质量高,CTE匹配差异小,有较高的气密性以及更好的抗热、抗光衰性能，有较本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种蚀刻金属铜片EMC支架，其特征在于，包括金属铜片（1）、EMC塑料外框架（2）、芯片腔（3）和芯片电极（4），所述金属铜片（1）设有若干，并且之间通过反射腔（5）相连，所述金属铜片（1）通过半蚀刻技术制成，所述芯片电极（4）设于芯片腔（3）内，所述芯片电极（4）通过导线（6）与金属铜片（1）相连，所述芯片腔（3）和金属铜片（1）周围设有EMC塑料外框架（2）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：廖义泽，
申请(专利权)人：深圳市虹鑫铜业有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44