一种半导体器件的制造方法及衬底处理装置，抑制实施成膜处理后的处理室内产生颗粒，包括下述工序：将衬底搬入处理室内的工序；在处理室内，利用具有加热器的支承台支承衬底的工序；将支承着衬底的支承台配置于第一位置，在使加热器为打开的状态下，向处理室内供给处理气体、在衬底上形成膜的工序；将膜形成后的衬底从处理室内搬出的工序；将支承台配置于比第一位置更靠近处理室内的顶板部的第二位置，在使加热器为打开的状态下，向处理室内供给反应性气体的工序。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件的制造方法及衬底处理装置。
技术介绍
作为半导体器件的制造工序中的一项工序，有时要进行向处理室内的衬底供给处理气体、在衬底上形成膜的成膜处理。
技术实现思路
进行上述成膜处理时，不仅在衬底上会附着堆积物，在处理室内的部件上也会附着堆积物。该堆积物成为在处理室内产生颗粒(异物)、降低成膜处理的品质的原因之一。本专利技术的目的在于提供一种能够抑制实施成膜处理后的处理室内产生颗粒的技术。根据本专利技术的一个方案，提供一种具有下述工序的技术，所述工序为:将衬底搬入处理室内的工序；在所述处理室内，利用具备加热器的支承台支承所述衬底的工序；将支承所述衬底的所述支承台配置于第一位置，在使所述加热器为打开的状态下，向所述处理室内供给处理气体、在所述衬底上形成膜的工序；将膜形成后的所述衬底从所述处理室内搬出的工序；将所述支承台配置于比所述第一位置更靠近所述处理室内的顶板部的第二位置，在使所述加热器为打开的状态下，向所述处理室内供给反应性气体的工序。根据本专利技术，能够抑制实施成膜处理后的处理室内产生颗粒。【附图说明】图1是本专利技术的第一实施方式中优选使用的衬底处理装置在晶片处理时的剖面构成图。图2是本专利技术的第一实施方式中优选使用的衬底处理装置在晶片搬送时的剖面构成图。图3是本专利技术的第一实施方式中优选使用的衬底处理装置的控制器的结构简图，其是用框图表示控制器的控制系统的图。图4是表示本专利技术的第一实施方式的成膜顺序(sequence)中的气体供给定时的图。图5是表示本专利技术的第一实施方式的成膜顺序的变形例6中的气体供给定时的图。图6是表示本专利技术的其他实施方式的成膜顺序中的气体供给定时的图。图7(a)是表示使支承台移动到晶片搬送位置的状态的图，(b)是表示使支承台移动到晶片处理位置的状态的图，(c)是表示使支承台移动到堆积物改性位置的状态的图，(d)是表示使支承台移动到清洁位置的状态的图。图8 (a)是表示使支承台移动到过冲(overshoot)位置的状态的图，(b)是例示簇射头的温度变化的图。图9(a)是表示BTCSM的化学结构式的图，(b)是表示BTCSE的化学结构式的图，(c)是表示TCDMDS的化学结构式的图，⑷是表示DCTMDS的化学结构式的图，(e)是表示MCPMDS的化学结构式的图。图10(a)是表示环硼氮烷(borazine)的化学结构式的图，(b)是表示环硼氮烷化合物的化学结构式的图，(c)是表示η，η’，η”-三甲基环硼氮烷的化学结构式的图，(d)是表示η，η’，η” -三正丙基环硼氮烷的化学结构式的图。图11是本专利技术的其他实施方式中优选使用的衬底处理装置的处理炉的结构简图，其是用纵剖面图表示处理炉部分的图。图12是本专利技术的其他实施方式中优选使用的衬底处理装置的处理炉的结构简图，其是用纵剖面图表示处理炉部分的图。附图标记的说明13 搬送机械装置200晶片(衬底)203支承台206加热器201 处理室202 处理容器207b升降机构210a气体供给口210b气体供给口240簇射头280控制器(控制部)【具体实施方式】<本专利技术的第一实施方式>以下，针对本专利技术的第一实施方式，主要采用图1?图3进行说明。(1)衬底处理装置的构成如图1、图2所示，衬底处理装置40具有处理容器202。处理容器202构成为例如横截面呈圆形且扁平的密闭容器。处理容器202由例如铝(A1)、不锈钢(SUS)等金属材料构成。处理容器202内形成有对作为衬底的硅晶片等晶片200进行处理的处理室201。在处理容器202、后述的簇射头240、气体供给管232a、排气室260a、排气管261等的周围设置有辅助加热器206a，所述辅助加热器206a能将上述部件加热到例如数十?150°C左右。处理室201内设置有支承晶片200的支承台203。在直接接触晶片200的支承台203的上表面设置有作为支承板的衬托器217，所述衬托器217由例如石英(Si02)、碳、陶瓷、碳化硅(SiC)、氧化铝(A1203)、氮化铝(A1N)等构成。在衬托器217的外周部，以包围晶片200的支承区域的方式设置有构成为圆环状(环状)圆板的整流板(conductance plate) 204。整流板204的上表面的高度被设定为与保持在衬托器217上的晶片200表面(被处理面)的高度基本相同。在整流板204的周缘部与处理室201 (处理容器202)的内壁侧面之间设置有规定宽度的空隙201a。空隙201a作为用于使向晶片200供给的气体流向后述的排气口 260的排出口而发挥作用。支承台203中内置有作为加热晶片200的加热手段(加热机构)的加热器206和作为温度检测器的温度传感器206b。通过基于由温度传感器206b检测到的温度信息来调整向加热器206的通电状态，能够使支承于衬托器217上的晶片200的温度为所希望的温度。支承台203的下端部贯通处理容器202的底部。在处理室201的外部设置有作为使支承台203升降的支承台移动部的升降机构207bο通过使升降机构207b工作从而使支承台203升降，能够使支承于衬托器217上的晶片200升降。在搬送晶片200时，支承台203下降至图2所示的位置(晶片搬送位置)，在处理晶片200时，支承台203上升至图1所示的位置(晶片处理位置)。支承台203下端部的周围被波纹管219覆盖，将处理室201内保持气密。在处理室201的底面(下表面)，以在垂直方向上直立的方式设置有例如3根提升销208b。在支承台203 (也包括衬托器217)上与提升销208b对应的位置处分别设置有供提升销208b贯通的贯通孔208a。如图2所示，在使支承台203下降至晶片搬送位置时，提升销208b的上端部从衬托器217的上表面突出，提升销208b从下方对晶片200进行支承。如图1所示，在使支承台203上升至晶片处理位置时，提升销208b的上端部相对于衬托器217的上表面埋没，衬托器217从下方对晶片200进行支承。由于升降销207与晶片200直接接触，所以期望由例如石英、氧化铝等材质构成。在处理室201 (处理容器202)的内壁侧面，设置有将晶片200搬送于处理室201内外的晶片搬送口 250。晶片搬送口 250上设置有闸阀44，通过打开闸阀44，能够使处理室201内与搬送室11内连通。搬送室11形成于搬送容器(密闭容器)12内，在搬送室11内设置有搬送晶片200的搬送机械装置13。搬送机械装置13中具有搬送晶片200时对晶片200进行支承的搬送臂13a。通过在使支承台203下降至晶片搬送位置的状态下打开闸阀44，能够利用搬送机械装置13将晶片200在处理室201内和搬送室11内之间进行搬送。即，搬送机械装置13构成为将晶片200搬送于处理室201内外的搬送单元(搬送机构)。被搬送至处理室201内的晶片200如上述那样被暂时载置在提升销208b上。在搬送室11的与设置有晶片搬送口 250侧的相反侧，隔着闸阀45设置有装载锁定室(load lockchamber) 21,能够利用搬送机械装置13在装载锁定室21内和搬送室11内之间搬送晶片200。装载锁定室21作为暂时收纳未处理或处理过的晶片200的预备室而发挥作用。在处理室201 (处本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种半导体器件的制造方法，其具有下述工序：将衬底搬入处理室内的工序；在所述处理室内，利用具有加热器的支承台支承所述衬底的工序；将支承着所述衬底的所述支承台配置于第一位置，在使所述加热器为打开的状态下，向所述处理室内供给处理气体、在所述衬底上形成膜的工序；将膜形成后的所述衬底从所述处理室内搬出的工序；将所述支承台配置于比所述第一位置更靠近所述处理室内的顶板部的第二位置，在使所述加热器为打开的状态下，向所述处理室内供给反应性气体的工序。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：山本隆治，镰仓司，广濑义朗，岛本聪，
申请(专利权)人：株式会社日立国际电气，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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