本实用新型专利技术属于二极管技术领域，具体涉及一种超薄大功率整流桥式二极管，包括铜质底料片、底料片上的四只芯粒以及封装本体，二极管总厚度为1.15±0.05mm，底料片上设有镂空结构的封装区域，封装区域两端设有焊接芯粒的载料平台，四只芯粒分别焊接在载料平台上，芯粒上均设有桥片，桥片一端焊接在芯粒上部，桥片另一端焊接在与该芯粒相对一端设置的焊接台上，底料片的厚度为0.30mm，桥片的厚度为0.20mm，桥片完全封装于封装本体内，载料平台底端面与封装本体底端面平齐形成漏铜结构，为超薄的平脚表面贴装型结构，采用水平设置的4桥片搭桥CLIP结构，大大减小应力，减小二极管厚度，底料片外漏，提高散热效果，热稳定性好，整流效率较高。
【技术实现步骤摘要】
本技术属于二极管
，具体涉及一种超薄大功率整流桥式二极管。
技术介绍
整流桥的作用是通过二极管的单向导通的特性将电平在零点上下浮动的交流电转换为单向的直流电，传统大功率整流桥采用传统的2片叠扣工艺，这样的传统工艺虽然比较成熟了，但是它一直存在着应力缺陷，在高温、低温冲击下，料片在垂直于芯粒的方向上会产生较大的热膨胀应力，导致芯粒受损，器件性能下降甚至失效。大功率整流桥二极管在使用中芯粒是热源，热量通过黑胶传递到达外壳，与空气进行热交换，大量热量通过金属焊料、铜材向下传递，与基板进行热交换。根据定义，导热系数λ表示lm厚的稳定、均匀导热的材质，在Is内，通过lm2的面积所传递的热量，其上下表面温度差为1°C。λ可表示为：λ = W/ (d · Δ Τ · t) = P/ (d · Δ Τ)由于热阻Rthj为：Rthj= ΔΤ/Ρ代入上式，即：Rthj= 1/d · λ 可以看出，材料固定时，λ是一定的，减小热源到达上下边缘的距离，能有效地降低热量传递过程中的热阻，热阻越小，内部热量能传递到器件表面越快，散热越好，因此减小大功率整流桥二极管的厚度能够促使提高散热效率。而传统大功率整流桥二极管的结构不紧凑，整体的厚度大，与基板的接触面积小，工作时流经芯片的电流密度大，热损耗大，使得整流效率低。减小大功率整流桥二极管的厚度，需要精确的对底料片的锡膏位置、芯粒装架的位置、CLIP装架位置以及制作的工艺做出调整，实现难度较高。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是针对上述缺陷，提供一种超薄大功率整流桥式二极管，为超薄的平脚表面贴装型结构，采用水平设置的4个桥片搭桥的CLIP结构，大大减小应力，二极管厚度较小，底料片部分外漏，提高散热效果，热稳定性好，热损耗小，整流效率较高。 本技术解决其技术问题采用的技术方案如下： —种超薄大功率整流桥式二极管，包括铜质底料片、底料片上的四只芯粒以及封装本体，所述的底料片上设有镂空结构的对应封装本体的封装区域，封装区域两端设有焊接芯粒的载料平台，封装区域内相对两端的载料平台间不连接，两端载料平台不连接，所述的四只芯粒均分为两组，两组芯粒分布在封装区域内左右两侧，同组两个芯粒分别焊接在同侧相对的两个载料平台上，且同组两个芯粒不处于同一直线上，同组两个芯粒一个靠近封装区域内侧另一个靠近封装区域外侧，芯粒上均设有桥片，桥片一端焊接在芯粒上部，桥片另一端焊接在与该芯粒相对一端设置的焊接台上，封装区域内相对两端的焊接台间不连接，所述底料片的厚度为0. 30mm，桥片的厚度为0. 20mm，桥片完全封装于封装本体内，载料平台底端面、焊接台底端面与封装本体底端面平齐形成漏铜结构。进一步的，两组芯粒在二极管两极方向上关于二极管中间对称。进一步的，芯粒上部封装本体的余量为0. 15mm，焊接时焊锡厚度不超过0. 07mm。进一步的，桥片方向与二极管两极方向一致。进一步的，靠近封装区域外侧的两个芯粒对应的载料平台为独立结构，且该端的两个焊接台对应的与载料平台连接一体，靠近封装区域内侧的两个芯粒的载料平台为一体结构，对应的该端的焊接台为一体的弯角结构，弯角结构的一端延伸至该端载料平台的内侧，焊接台与桥片焊接处向上弯折，使桥片两端的焊接面平齐一致。进一步的，桥片两端向下弯折后再水平延展，桥片两端关于桥片中间对称。进一步的，二极管总厚度为1. 15±0. 05mm，二极管长度为2. 66mm，宽度为11.4mm。本技术的有益效果是：采用上述方案，本二极管为平脚表面贴装型结构，没有弯脚结构，产品可靠性能一致性高，采用4个CLIP桥片桥接工艺，有效缓冲两个焊接端子在高温过程中产生的热应力，使产品性能更稳定，底料片的厚度为0.30mm，桥片的厚度为0.20mm，结合4个CLIP桥片桥接结构，芯粒上部封装本体的余量为0. 15mm，焊接时焊锡厚度不超过0. 07mm，使本二极管厚度只有1. 15mm，厚度减小，封装本体底端面与载料平台底端面平齐使封装本体底部漏铜，提高散热性能，同时本二极管的面积大，散热性进一步加强，稳定性好，降低了热阻，使整流效率提高。【附图说明】通过下面结合附图的详细描述，本技术前述的和其他的目的、特征和优点将变得显而易见。图1为本技术的主视示意图。图2为本技术的后视示意图。图3为本技术的截面结构示意图。其中：1为底料片，1. 1为封装区域，1. 2为载料平台，1. 3为焊接台，2为芯粒，3为封装本体，4为桥片。【具体实施方式】参照图1至图3所示的一种超薄大功率整流桥式二极管，包括方形的铜质底料片1、底料片1上的四只芯粒2以及封装本体3,二极管总厚度Η为1. 15±0. 05mm，二极管长度为2. 66_，宽度为11. 4_，面积较大，促使散热加快，厚度相比现有的大功率整流二极管大大降低，达到超薄级别，底料片1上设有镂空结构的对应封装本体1封装的方形封装区域1. 1，封装区域1. 1的两端设有焊接芯粒2的载料平台1. 2,两端载料平台1. 2不连接，形成对立的分离式结构，四只芯粒2均分为两组，每组两个，两组芯粒2分布在封装区域1. 1内的左右两侧，优选的，两组芯粒2在二极管两极方向上关于二极管对称，结构对称便于装架生产，同组的两个芯粒2分别焊接在同侧相对的两个载料平台1. 2上，且同组两个芯粒2在二极管两极方向上不处于同一直线，在二极管两极方向上，同组两个芯粒2—个靠近封装区域1. 1内侧另一个靠近封装区域1. 1的外侧，芯粒2上均设有桥片4,桥片4的一端焊接在芯粒2的上部，桥片4的另一端焊接在与该芯粒2相对一端设置的焊接台1. 3上，靠近封装区域外侧的两个芯粒2对应的载料平台1. 2为独立结构，该端的两个载料平台1. 2间不连接，且该端的两个焊接台1. 3 —一当前第1页1 2 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种超薄大功率整流桥式二极管,包括铜质底料片、底料片上的四只芯粒以及封装本体，其特征在于：所述的底料片上设有镂空结构的对应封装本体的封装区域，封装区域两端设有焊接芯粒的载料平台，所述的四只芯粒均分为两组，两组芯粒分布在封装区域内左右两侧，同组两个芯粒分别焊接在同侧相对的两个载料平台上，且同组两个芯粒不处于同一直线上，同组两个芯粒一个靠近封装区域内侧另一个靠近封装区域外侧，芯粒上均设有桥片，桥片一端焊接在芯粒上部，桥片另一端焊接在与该芯粒相对一端设置的焊接台上，所述底料片的厚度为0.30mm，桥片的厚度为0.20mm，桥片完全封装于封装本体内，载料平台底端面与封装本体底端面平齐形成漏铜结构。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：万奎，钟俊，
申请(专利权)人：常州星海电子有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32
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