本发明专利技术涉及一种声波装置。该声波装置包括：支撑基板；接合在所述支撑基板上的压电基板；设置在所述压电基板上的多个声波元件；以及互连线，所述互连线设置在所述压电基板上并将所述多个声波元件相联接，其中：设置有所述多个声波元件的第一区域的压电基板被留下；设置有所述互连线的第二区域的压电基板被留下；第三区域的压电基板用于切断所述支撑基板；以及第四区域的压电基板不同于所述第一区域、所述第二区域和所述第三区域，所述第四区域具有第五区域，在该第五区域中所述压电基板的至少一部分被除去。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术的特定方面涉及一种声波装置。
技术介绍
已知使用声波的声波装置，在该声波装置中，压电基板附着于支撑基板并且在压电基板上形成有声波元件。当支撑基板的线性热膨胀系数小于压电基板的线性热膨胀系数时，可以改善声波装置的温度特性。已知这样的技术，其中在将支撑基板和压电基板层压的层压基板的周边部上形成有台阶部(请参见文献1:日本专利申请特开2001-60846号公报)。
技术实现思路
根据本专利技术的一方面，提供了一种声波装置，该声波装置包括:支撑基板；接合在所述支撑基板上的压电基板；设置在所述压电基板上的多个声波元件；以及互连线，所述互连线设置在所述压电基板上并将所述多个声波元件相联接，其中:设置有所述多个声波元件的第一区域的压电基板被留下；设置有所述互连线的第二区域的压电基板被留下；第三区域的压电基板用于切断所述支撑基板；以及第四区域的压电基板不同于所述第一区域、所述第二区域和所述第三区域，所述第四区域具有第五区域，在该第五区域中所述压电基板的至少一部分被除去。【附图说明】图1A示出了根据第一实施方式的声波装置的平面图；图1B示出了沿图1A的线A-A截取的剖视图；图2A至图2D示出了用于描述根据第一实施方式的的剖视图；图3A至图3C示出了用于描述根据第一实施方式的的剖视图；图4A示出了根据第一比较例的声波装置的平面图；图4B示出了沿图4A的线A-A截取的剖视图；图5A示出了第一比较例的剖视图；图5B示出了第一实施方式的剖视图；图6A和图6B示出了第一比较例的剖视图；图6C和图6D示出了第一实施方式的剖视图；图7A示出了第二比较例的剖视图；图7B示出了第一实施方式的剖视图；图8A示出了根据第二实施方式的声波装置的平面图；图8B示出了沿图8A的线B-B截取的剖视图；图9A示出了根据第二实施方式的第一修改例的声波装置的平面图；图9B示出了沿图9A的线B-B截取的剖视图；图10A示出了根据第二实施方式的第二修改例的声波装置的平面图；图10B示出了沿图10A的线A-A截取的剖视图；图11A示出了第一实施方式的剖视图；图1 IB至图1 IE示出了第三实施方式和第三实施方式的修改例的剖视图；图12A示出了根据第四实施方式的声波装置的平面图；以及图12B示出了沿图12A的线A-A截取的剖视图。【具体实施方式】在文献1中，没有考虑通过互连线将形成在压电基板上的多个声波元件相连接。将参照附图对给定实施方式进行描述。图1A示出了根据第一实施方式的声波装置的平面图。图1B示出了沿图1A的线A-A截取的剖视图。如图1A和图1B所示，在声波装置100中，压电基板12接合在支撑基板10上。支撑基板10例如是蓝宝石基板。压电基板12例如是钽酸锂基板。在压电基板12上形成有IDT(叉指式换能器)14、反射器15和互连线18。IDT 14在压电基板12中或其表面上激励声波。反射器15反射声波。IDT 14和反射器15形成了诸如谐振器的声波元件16。互连线18将多个声波元件16电联接并且/或者将声波元件16和端子19电联接。IDT 14和反射器15例如是诸如铝膜的金属膜。互连线18是层合膜，在该层合膜中从下方层压诸如铝膜、钛膜和金膜的金属膜。在互连线18上形成有待电连接至外部部件的端子19。端子19例如是诸如焊料或金的凸起。如图1A所示，在支撑基板10上形成有作为多个声波元件16的串联谐振器S1至S3以及并联谐振器P1和P2。一个或多个串联谐振器S1至S3借助互连线18串联连接在输入端子IN和输出端子OUT之间。一个或多个并联谐振器P1和P2借助互连线18并联连接在输入端子IN和输出端子OUT之间。并联谐振器P1和P2借助互连线18而电连接至接地端子GND。支撑基板10具有形成有多个声波元件16的区域20 (第一区域)、形成有互连线18的区域22 (第二区域)、用于切断支撑基板10的区域24(第三区域:切割线)、以及除了区域20、22和24之外的区域26 (第四区域)。为了确保制造误差和制造裕度，区域20可以是宽度比声波元件16大几μπι至ΙΟμπι的区域。区域22和24可以具有相同的结构。压电基板12的区域20和22被留下。压电基板12的区域24和26被除去以使支撑基板10露出。图2Α至图3C示出了用于描述根据第一实施方式的的剖视图。如图2Α所示，将压电基板12接合至支撑基板10的上表面。例如，通过在使其表面活性化的常温下的接合方法将压电基板12接合至支撑基板10。支撑基板10可以是蓝宝石基板、硅基板、氧化铝基板等。压电基板12可以是钽酸锂基板、铌酸锂基板等。支撑基板10的膜厚例如为50 μ m至150 μ m。压电基板12的膜厚例如为5 μ m至50 μ m。如图2B所示，在压电基板12上形成IDT 14、反射器15和互连线18的下层18a，它们均由金属膜13制成。金属膜13例如是掺杂有铜的铝膜。金属膜13可以是铜膜等。可以通过溅射方法、汽相淀积方法等形成金属膜13。可以通过蚀刻方法或剥离方法形成图案。如图2C所示，在下层18a上形成上层18b。上层18b例如是从下层18a侧层压钛层和金层的层合层。根据声波元件16的特性来选择金属膜13的膜厚和材料。上层18b用作传导层，并包括电阻率比下层18a低的层。金属膜13和互连线18可以彼此一起形成，并且金属膜13和互连线18可以是同一膜，而没有上层18b。声波元件16的金属膜13和互连线18可以彼此单独地形成，并且可以由不同的材料制成。以下将下层18a和上层18b显示为互连线18。而且，并未示出下层18a和上层18b。如图2D所示，在压电基板12上形成掩膜层70。掩膜层70例如是光刻胶。声波元件16和互连线18上的掩膜层70被留下。其它区域的掩膜层70是孔口。如图3A所示，通过使用掩膜层70作为掩膜而除去压电基板12的一部分。通过使用喷砂方法的蚀刻方法来除去压电基板12的所述部分。由此，除去压电基板12的除了声波元件16和互连线18之外的所述部分，而使支撑基板10露出。如图3B所示，除去掩膜层70。在互连线18上形成端子19。端子19可以是焊料凸起、金柱凸起等。如图3C所示，向区域24照射激光。通过折断，如区域62所示的那样来切断支撑基板10。通过这些处理，可以制造出根据第一实施方式的声波装置。图4A示出了根据第一比较例的声波装置的平面图。图4B示出了沿图4A的线A-A截取的剖视图。如图4A和图4B所示，在声波装置102中，没有除去压电基板12。也就是说，区域20、22、24和26的压电基板12被留下。其它结构与第一实施方式相同。因此省略对这些结构的说明。在第一实施方式和第一比较例中，将压电基板12接合在线性热膨胀系数比压电基板12小的支撑基板10上。由此，可以控制声波元件16的温度特性。以这种方式，可以通过将压电基板12接合在支撑基板10上而控制声波元件16的特性。图5A示出了第一比较例的剖视图。图5B示出了第一实施方式的剖视图。如图5A所示，在第一比较例中，被IDT 14激励的表面声波50 (声波)通过反射器15被反射。但是，作为表面声波50的一部分的声波51从反射器15泄漏并在压电基板12中传播。由此，声波元件16的损失变大。如图5B所示，在第一实施方式中，位于声波元本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种声波装置，该声波装置包括：支撑基板；接合在所述支撑基板上的压电基板；设置在所述压电基板上的多个声波元件；以及互连线，所述互连线设置在所述压电基板上并将所述多个声波元件联接，其中：设置有所述多个声波元件的第一区域的压电基板被留下；设置有所述互连线的第二区域的压电基板被留下；第三区域的压电基板用于切断所述支撑基板；以及第四区域的压电基板不同于所述第一区域、所述第二区域和所述第三区域，所述第四区域具有第五区域，在该第五区域中所述压电基板的至少一部分被除去。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：黑柳琢真，先滩薰，
申请(专利权)人：太阳诱电株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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