激光加工方法技术

本发明专利技术涉及激光加工方法。在31ns～54ns的脉冲宽度且7.5μm～10μm的脉冲间距下照射作为脉冲激光的激光(L)，从而沿着切断预定线(5)在GaAs基板(12)上形成作为切断的起点的改质区域(7)。由此，沿着切断预定线(5)形成于GaAs基板(12)上的改质区域(7)，易于在加工对象物(1)的厚度方向上产生龟裂。因此，对于具备GaAs基板(12)的板状的加工对象物(1)，能够形成作为切断的起点的功能极佳的改质区域(7)。

【技术实现步骤摘要】
【专利说明】 本申请是申请日为2008年10月27日、申请号为200880103871. 9、专利技术名称为邀 光加工方法的专利申请的分案申请。
本专利技术设及用于沿着切断预定线将具备GaAs基板的板状的加工对象物切断的激 光加工方法。
技术介绍
作为现有的上述
的，已知有使聚光点对准具备Si基板的 板状的加工对象物的内部并照射激光，沿着加工对象物的切断预定线，在Si基板上形成作 为切断的起点的改质区域（例如参照专利文献1)。 专利文献1 :日本特开2004-343008号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的问题 然而，针对具备GaAs基板的板状的加工对象物，期待可使切断的可靠性进一步提 高的改质区域的形成技术。 因此，本专利技术有鉴于上述的问题，其目的在于，提供一种对于具备GaAs基板的板 状的加工对象物、能够形成作为切断的起点的功能极佳的改质区域的。[000引解决问题的方法 本专利技术者为了达成上述目的而进行了深入探讨，结果发现：对于具备GaAs基板的 板状的加工对象物，为了形成作为切断的起点的功能极佳的改质区域，照射于加工对象物 的脉冲激光的脉冲宽度是相当重要的因素。即从通过在31ns~54ns的脉冲宽度下照射脉 冲激光而在GaAs基板上形成的改质区域，易于在加工对象物的厚度方向上产生龟裂。另一 方面，从通过在比31ns短的脉冲宽度或者比54ns长的脉冲宽度下照射脉冲激光而在GaAs 基板上形成的改质区域，难W在加工对象物的厚度方向上产生龟裂。本专利技术者基于该认知 而进一步进行了探讨，直至完成本专利技术。 即本专利技术所设及的，其特征在于，是使聚光点对准具备GaAs基板的 板状的加工对象物的内部并照射激光，从而沿着加工对象物的切断预定线，在GaAs基板上 形成将成为切断的起点的改质区域的，激光为脉冲激光，且激光的脉冲宽度 为 31ns~54ns。 在该中，通过在31ns~54ns的脉冲宽度下照射激光，从而沿着切断 预定线在GaAs基板上形成作为切断的起点的改质区域。由此，沿着切断预定线而在GaAs 基板上形成的改质区域，易于在加工对象物的厚度方向上产生龟裂。因此，根据该激光加工 方法，对于具备GaAs基板的板状的加工对象物，能够形成作为切断的起点的功能极佳的改 质区域。 在本专利技术所设及的中，优选，激光的脉冲间距（pitch)为7. 5ym~ 10ym。在该情况下，对于具备GaAs基板的板状的加工对象物，能够形成作为切断的起点的 功能进一步更佳的改质区域。在此，激光的脉冲间距是指：将"激光的聚光点相对于加工对 象物的扫描速度（移动速度）"除W"脉冲激光的重复频率"的数值。 在本专利技术所设及的中，优选，在形成改质区域后，W改质区域为起 点，沿着切断预定线将加工对象物切断。在该情况下，能够沿着切断预定线高精度地切断加 工对象物。 在本专利技术所设及的中，改质区域可W包含烙融处理区域。 专利技术的效果 根据本专利技术，对于具备GaAs基板的板状的加工对象物，能够形成作为切断的起点 的功能极佳的改质区域。【附图说明】 图1是用来形成改质区域的激光加工装置的大致构成图。[001引图2是作为改质区域的形成对象的加工对象物的平面图。 图3是沿着图2的加工对象物的III-III线的截面图。 图4是激光加工后的加工对象物的平面图。 图5是沿着图4的加工对象物的V-V线的截面图。 图6是沿着图4的加工对象物的VI-VI线的截面图。 图7是表示激光加工后的娃片的切断面的照片的图。 图8是表示激光的波长和娃基板的内部的透过率之间的关系的图。图9是表示激光的峰值功率密度和裂纹点的大小之间的关系的图。 图10是表示适用于本实施方式所设及的的加工对象物的平面图。 图11是沿着图10的加工对象物的切断预定线的部分截面图。 图12是用来说明本实施方式所设及的的加工对象物的部分截面 图。 图13是用来说明本实施方式所设及的的加工对象物的部分截面 图。 图14是表示实施实施例W及比较例所设及的时的脉冲宽度和分割 率的关系的图。 图15是表示实施实施例W及比较例所设及的时的脉冲间距和分割 率的关系的图。 图16是表示表1的条件7的情况下的分割后的加工对象物的表面的照片W及切 断面的照片的图。 图17是表示表1的条件8的情况下的分割后的加工对象物的表面的照片W及切 断面的照片的图。 图18是表示表1的条件9的情况下的分割后的加工对象物的表面的照片W及切 断面的照片的图。 图19是表示表1的条件10的情况下的分割后的加工对象物的表面的照片W及切 断面的照片的图。 图20是表示表1的条件11的情况下的分割后的加工对象物的表面的照片W及切 断面的照片的图。 符号的说明 [003引 1…加工对象物 5…切断预定线 7…改质区域 12...GaAs基板[004引 13…烙融处理区域[004引L…激光P…聚光点【具体实施方式】 W下，参照附图，对本专利技术的最佳实施方式进行详细的说明。在此，在各图中，对相 同或相当的部分赋予相同的符号，省略重复的说明。 在本实施方式所设及的中，使聚光点对准板状的加工对象物并照射 激光，从而沿着切断预定线，在加工对象物形成改质区域。 因此，首先，参照图1~图9,对本实施方式所设及的的改质区域的 形成进行说明。[004引如图1所示，激光加工装置100具备：使激光（加工用激光）L脉冲振荡的激光光 源101、配置成使激光L的光轴的方向改变90。的分色镜（die虹Oicmirror) 103、用来使激 光L聚光的聚光用透镜105。另外，激光加工装置100具备：用来支承被由聚光用透镜105 聚光了的激光L照射的加工对象物1的支承台107、用来使支承台107沿着X、Y、Z轴方向 移动的可动台111、为了调节激光L的输出和脉冲宽度等而控制激光光源101的激光光源控 制部102、用来枉制可动台111的移动的可动台枉制部115。 在该激光加工装置100中，从激光光源101射出的激光L通过分色镜103而使其 光轴的方向改变90°，并通过聚光透镜105而被聚光于被载置在支承台107上的加工对象 物1的内部。与此同时，使可动台111移动，加工对象物1相对于激光L而沿着切断预定线 5相对移动。由此，沿着切断预定线5在加工对象物1中形成作为切断的起点的改质区域。 W下，对该改质区域进行详细的说明。 如图2所示，在板状的加工对象物1中设置有用于切断加工对象物1的切断预定 线5。切断预定线5是延伸为直线状的假想线。在加工对象物1的内部形成改质区域的情 况下，如图3所示，在使聚光点P对准加工对象物1的内部的状态下，使激光L沿着切断预 定线5 (即沿着图2的箭头A方向）相对地移动。由此，如图4~图6所示，改质区域7沿 着切断预定线5而被形成于加工对象物1的内部，沿着切断预定线5形成的改质区域7作 为切断起点区域8。 在此，所谓聚光点P是指激光L聚光的地方。另外，切断预定线5不限于直线状，可 W是曲线状，并且不限于假想线，可W是在加工对象物1的表面3上实际引出的线。另外， 改质区域7可W被连续地形成，也可W被间断地形成。另外，改质区域7可W至少被形成于 加工对象物I的内部。另外，存在W改质区域7为起点而形成有龟裂的情况，龟裂W及改质 区域7可W露出于加工对象物1的外表面（本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种激光加工方法，其特征在于，是使聚光点对准具备GaAs基板的板状的加工对象物的内部而照射激光，从而沿着所述加工对象物的切断预定线，在所述GaAs基板形成将成为切断的起点的改质区域的激光加工方法，所述激光为脉冲激光，并且所述激光的脉冲宽度为31ns～54ns。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：熊谷正芳，
申请(专利权)人：浜松光子学株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP