【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
双编码集成发射电路,其特征是:由双NPN三极管型振荡电路、编码集成电路、射频电路、指示电路、控制开关共同组成:其中:双NPN三极管型振荡电路:第一NPN三极管的集电极与第二NPN三极管的基极之间接第一交连电容,第一集电极电阻一端接电源,另一端接第一NPN三极管的集电极,第二NPN三极管的基极对地接第一放电发光管,第一NPN放电三极管的基极对地接第二放电发光管,第二NPN三极管的集电极与第一NPN三极管的基极之间接第二交连电容,两个NPN三极管的基极电阻都接电源,第一个NPN三极管的集电极作为双NPN三极管型振荡电路的第一输出,第二个NPN三极管的集电极作为双NPN三极管型振荡电路的第二输出;每块编码集成电路的输出连接一个或门二极管,或门二极管的负极连接在一起接调制电阻的一端,调制电阻的另一端连接发射管的发射极;每块编码集成电路的固定码接地线;射频电路由铜箔天线与发射管、调频电感、可调电容组成:调频元件中的调频电感一端与编码集成电路的电源端连接在一起接经过控制开关后接电源,调频电感的另一端连接铜箔天线的一端,发射管集电极连接在铜箔天线的一端,发射管基极电阻连接在发射管的基极与集电极之间, ...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:蒋丹,杨远静,
申请(专利权)人:重庆尊来科技有限责任公司,
类型:新型
国别省市:重庆;85
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